片材制造技术

本发明专利技术是一种片材，其特征在于，在表面上具有高度为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】片材、薄化晶片处理用片材、薄型晶片的处理方法及薄型元件的处理方法


[0001]本专利技术涉及一种片材
、
薄化晶片处理用片材
、
薄型晶片的处理方法及薄型元件的处理方法
。
特别是，本专利技术涉及一种用于对薄化至
300
微米以下的薄型硅晶片
、
或者化合物半导体晶片
、
或者1毫米以下的方形玻璃面板
、
玻璃晶片进行处理而不会发生破损的接着用片材
。

技术介绍

[0002]近年来，为了半导体构件的高密度化，积极地实施自之前的超过
500
微米的厚度改为使用
300
微米以下
、
特别是
100
微米以下的晶片厚的半导体构件制造
。
[0003]另外，为了半导体元件的三维化，也开发出很多如下制造方法：在薄化至1毫米以下
、
特别是
500
微米以下的玻璃面板上，将使用了
300
微米以下
、
特别是
100
微米以下的晶片厚的半导体构件再配置为功能上必要的结构而制成封装
。
[0004]关于此种薄型晶片的制造或使用了薄型面板的封装制造，例如，在作为三维半导体构件安装的重要工艺的硅穿孔
(Through Silicon Via
，
TSV)
工艺中，在硅晶片的表背两面实施电路形成，且为了使所述电路导通，而实施
TSV(Through Silicon Via)、
所谓的贯通电极形成，但为了形成所述电极，经由暂时接着剂
(
临时胶
(Temporary Glue)
剂
)
使成为半导体构件的硅晶片与被称为载体的用于支撑的玻璃晶片接着，然后，实施硅晶片的薄化
、
进而电路形成等
。
[0005]另外，关于使用了薄型面板的封装制造，例如在薄型玻璃面板上再配置人工智能
(Artificial Intelligence
，
AI)
用的现场可编程门阵列
(FieldProgrammable Gate Array
，
FPGA)
构件或作为多层层叠动态随机存取存储器
(Dynamic Random Access Memory
，
DRAM)
的高带宽存储器
(High BandwidthMemory
，
HBM)
构件而构成，构成一个功能
。
在构件向玻璃面板上的再配置后，面板利用模制树脂等密封，其后进行薄型化
、
平坦化，使电极露出，实施电路形成等
。
[0006]在上述所示的处理两个薄型基板的方法中，在电路形成时，作为载体的硅晶片或玻璃晶片成为支撑基材，进行所述工艺的实施，但在工艺结束后，需要取出薄化至
300
微米
、
视情况薄化至
100
微米以下的经电路形成的硅晶片或利用模制密封的再配置构件
。
[0007]之前，在取出所述薄化硅晶片或模制密封再配置构件时，一般利用使用了紫外线
(Ultraviolet
，
UV)
剥离方式的切割带，在连接有玻璃载体的状态下，在应取出的硅晶片上张贴所述切割带，在所述状态下，一般通过激光剥离方式等将载体去除
。
[0008]但是，在以此方式取出的
、
张贴于切割带上的经电路形成的薄化硅晶片的表面上，通常残存有薄化工艺中所使用的暂时接着剂树脂
。
[0009]所述残存树脂需要通过溶剂清洗法等溶解去除
。
[0010]另一方面，已知有切割带的接着用的糊剂大多情况下利用未硬化的丙烯酸树脂等，在所述暂时接着剂的残渣树脂的溶剂清洗工序中，会溶解于所使用的溶剂中，引起剥
离
、
膨润等问题，具有能够使用的清洗溶剂非常有限的问题
。
[0011]在专利文献1中公开了一种涉及包含前端为蘑菇形状的微纤维的干式接着性纤维结构体
(dry adhesive fiber structure)
的专利技术
。
[0012]现有技术文献
[0013]专利文献
[0014]专利文献1：美国专利申请公开第
2015/0368519
号公报

技术实现思路

[0015]专利技术所要解决的问题
[0016]在之前说明的状况下，从前，期望开发出一种工具，所述工具用于上述记载的三维安装等目的中大多使用的硅晶片或化合物半导体的薄化工序，可容易地对已经薄化的晶片或利用模制密封的再配置构件进行处理，且耐化学品性优异
。
[0017]本专利技术是为了解决所述问题而成，其目的在于提供一种可容易地对已经薄化的晶片或利用模制密封的再配置构件进行处理且耐化学品性优异的片材
、
包含所述片材的薄化晶片处理用片材
、
以及使用所述薄化晶片处理用片材的薄型晶片的处理方法及薄型元件的处理方法
。
[0018]解决问题的技术手段
[0019]为了解决所述问题，在本专利技术中，提供一种片材，其特征在于，在表面上具有高度为
50
微米至
500
微米
、
直径为
10
微米至
1mm
的圆柱状或半圆柱状
、
或者长度为
100
微米至
1mm、
粗细为
10
微米至
1mm
的棱柱状的多个结构体，且在表面上具有所述多个结构体以等间隔配置的结构
、
或者所述多个结构体以间隔的最大值小于间隔的最小值的3倍的方式排列的结构，且所述片材由热硬化性树脂成型而成
。
[0020]若为此种片材，则可容易且以充分的接着力接着晶片，另一方面，剥离几乎不需要力，因此可容易地对已经薄化的晶片或利用模制密封的再配置构件进行处理而不会发生破损
。
[0021]另外，本专利技术的片材由热硬化性树脂成形而成，耐化学品性优异，因此能够使用各种暂时接着剂清洗用树脂
。
[0022]所述热硬化性树脂例如为选自由丙烯酸系热硬化性弹性体
、
硅酮系热硬化性弹性体
、
氨基甲酸酯系热硬化性弹性体及氟系热硬化性弹性体所组成的群组中的至少一种
。
[0023]通过使用此种热硬化性弹性体作为热硬化性树脂，成为耐化学品性更优异的片材
。
[0024]另外，在本专利技术中，提供一种薄化晶片处理用片材，其特征在于，包含：
[0025]基材；以及<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种片材，其特征在于，在表面上具有高度为
50
微米至
500
微米
、
直径为
10
微米至
1mm
的圆柱状或半圆柱状
、
或者长度为
100
微米至
1mm、
粗细为
10
微米至
1mm
的棱柱状的多个结构体，且在表面上具有所述多个结构体以等间隔配置的结构
、
或者所述多个结构体以间隔的最大值小于间隔的最小值的3倍的方式排列的结构，且所述片材由热硬化性树脂成型而成
。2.
根据权利要求1所述的片材，其特征在于，所述热硬化性树脂为选自由丙烯酸系热硬化性弹性体<...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤英人，大和田保，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：