半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的技术问题在于提供一种在制造使用了具有缓冲层的半导体加工用粘着胶带的芯片时，抑制崩裂的产生

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工用粘着胶带，更详细而言，涉及当使用在晶圆的表面设置沟槽或利用激光在晶圆内部设置改质区域并利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化
(singulation)
的方法来制造半导体装置时，适合用于暂时保持半导体晶圆或芯片的粘着胶带，以及使用了该粘着胶带的半导体装置的制造方法
。

技术介绍

[0002]随着各种电子设备的小型化
、
多功能化的进展，也同样要求其中所搭载的半导体芯片的小型化
、
薄型化
。
为了芯片的薄型化，通常研磨半导体晶圆的背面来进行厚度调节
。
此外，为了得到经薄型化的芯片，有时也会利用被称为预切割法
(DBG
：
Dicing Before Grinding
；研磨前切割
)
的技术，该技术中，使用切割刀片从晶圆的表面侧形成一定深度的沟槽，然后从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨将晶圆单颗化而得到芯片
。
由于
DBG
能够同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片
。
[0003]此外，近年来，作为预切割法的变形例，提出了一种用激光在晶圆内部设置改质区域，并利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的方法
。
以下，有时将该方法记载为
LDBG(Laser Dicing Before Grinding
；研磨前激光切割
)。
对于
LDBG
，由于晶圆以改质区域为起点而沿着晶体方向被切断，因此相较于使用了切割刀片的预切割法，可以减少崩裂
(chipping)
的产生
。
其结果，可以得到抗折强度优异的芯片，而且可以有助于芯片的进一步薄型化
。
此外，相较于使用切割刀片在晶圆表面形成一定深度的沟槽的
DBG
，由于不存在使用切割刀片将晶圆削掉的区域
、
即由于切口宽度
(kerf width)
极小，因此芯片的产率优异
。
[0004]以往，在进行半导体晶圆的背面研磨时或通过
DBG、LDBG
制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路且保持半导体晶圆及半导体芯片，通常会在晶圆表面贴附被称作背磨片
(back grinding sheet)
的半导体加工用粘着胶带
。
在进行背面研磨后，在研磨面上贴附具有粘合剂层的粘合胶带
、
或者制成用于形成保护膜的保护膜形成用胶带
。
然后，对贴附于晶圆表面的半导体加工用粘着胶带照射紫外线等能量射线而使其粘着力降低，然后进行剥离
。
通过这样的工序，在芯片背面形成粘合剂层或保护膜形成层
。
[0005]半导体加工用粘着胶带有时使用包含基材
、
粘着剂层
、
缓冲层的层叠粘着胶带
。
例如专利文献
1(
日本特开
2015
‑
183008
号公报
)
等中记载有这样的半导体加工用粘着胶带的具体例
。
缓冲层是为了吸收晶圆背面研磨时产生的振动
、
或者缓解因异物造成的凹凸差
、
稳定且平坦地保持晶圆而设置
。
现有技术文献专利文献
[0006]专利文献1：日本特开
2015
‑
183008
号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0007]随着半导体设备的小型化进展，芯片的最终完工厚度也有变薄的倾向
。
然而，随着芯片的薄化的进展，芯片的端部发生破损的被称为“崩裂
(chipping)”的现象有所增加
。
本申请的专利技术人对该原因进行了深入研究，结果得到了下述发现
。
[0008]在进行半导体晶圆的背面研磨时，将上述的半导体加工用粘着胶带暂时粘着在晶圆的电路面上，边以水喷雾边进行研磨
。
然后，有时进行作为精加工的干式抛光工序
。
发现在该干式抛光工序中，芯片相互接触而经常导致崩裂
。
[0009]由于在半导体晶圆的背面研磨时是边以水喷雾而边进行，已分割的芯片的温度不会过度上升
。
然而，由于在干式抛光工序中无法以水喷雾，因此摩擦热会导致芯片的温度上升
。
芯片的热波及半导体加工用粘着胶带，将胶带的缓冲层加热至
60℃
左右而使缓冲层软化
。
软化的缓冲层的保持力
、
保形力降低，干式抛光工序的剪切力发生作用，使得半导体加工用粘着胶带打滑
、
变形
。
其结果，已分割的芯片发生位置偏离，由于芯片相互接触，因此芯片的端部发生破损的崩裂
。
[0010]在
DBG
法中，芯片间隔
(
切口宽度
)
较宽，因此芯片相互的接触不频繁，但在
LDBG
中，切口宽度实质上为0，因此即使轻微的位置偏离也会使得芯片相互接触而频繁发生崩裂
。
特别是在随着薄化进展而抗折强度降低的极薄芯片中容易发生崩裂
。
[0011]获得该发现，本申请的专利技术人进行深入研究，发现了通过防止在干式抛光时芯片的位置偏离，可以降低崩裂的可能性
。
在干式抛光时，通过摩擦热，芯片被加热到
60℃
左右，通过该热，半导体加工用粘着胶带的缓冲层被加热，导致芯片的位置偏离
。
因此，本申请的专利技术人想到通过抑制
60℃
左右加热时的缓冲层的变形来降低崩裂，进而完成了本专利技术
。
即，本专利技术的目的在于，在制造使用了具有缓冲层的半导体加工用粘着胶带的芯片时抑制崩裂的发生
。
解决技术问题的技术手段
[0012]以解决这样的技术问题为目的的本专利技术的主旨如下
。(1)
一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材
、
设置于该基材的一面侧的缓冲层及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，其中，对于加热到
60℃
的缓冲层，将前端曲率半径为
100nm
及棱间角为
115
°
的三角锥状压头的前端以
10
μ
m/
分钟的速度压入该缓冲层时压缩载荷达到
2mN
所需的压入深度
(Z)
为
3.0
μ
m
以下
。
[0013](2)
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材
、
设置于该基材的一面侧的缓冲层及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，其中，对于加热到
60℃
的缓冲层，将前端曲率半径为
100nm
及棱间角为
115
°
的三角锥状压头的前端以
10
μ
m/
分钟的速度压入该缓冲层时压缩载荷达到
2mN
所需的压入深度
(Z)
为
3.0
μ
m
以下
。2.
根据权利要求1所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述基材的
23℃
下的杨氏模量为
1000MPa
以上
。3.
根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物
。4.
根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川裕也，田村和幸，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：