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信越化学工业株式会社专利技术
信越化学工业株式会社共有3967项专利
缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法技术
本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题:提供具有极高孤立间距分辨性,LER小,矩形性优异,抑制显影负载及残渣缺陷的影响,同时蚀刻耐性、图案崩塌受抑制的化学增幅正型抗蚀剂组成物;用以制造用于...
用于3D打印的水硬性组合物和制造3D物品的方法技术
本发明涉及水硬性组合物和制造3D物品的方法。包含(A)可溶于水的羟烷基烷基纤维素、(B)聚丙烯酰胺、(C)水泥、(D)水和(E)短纤维的水硬性组合物适合于材料挤出工艺的3D打印。组合物具有满意的喷嘴可挤出性、在层压之后的自支承和保水性。...
抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法。本发明课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及图案形成方法。该课题解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法,其包括:(i)涂布步骤,将含有具有金属‑氧共价键的金...
有机聚硅氧烷和包含其的室温固化性有机聚硅氧烷组合物制造技术
具有由下述式(1)表示的结构单元比的有机聚硅氧烷可形成即使在不使用溶剂的情况下固化性和稳定性也优异、可制作具有高硬度和高透明性的固化物的室温固化性组合物。(R1、R2表示碳原子数1~12的烷基或碳原子数6~10的芳基,k表示1~3的整数...
导热性片及导热性片的制造方法技术
本发明提供一种导热性片,其在高分子基质(A)中含有导热性填料(B),该导热性填料(B)包含碳和氮化硼中的任意一种以上,所述导热性片的厚度方向的导热率为15W/m·K以上,并且所述导热性填料的长轴方向沿所述导热性片的厚度方向取向的取向度为...
具有(聚)甘油基和聚氧化烯基的有机聚硅氧烷和处理的疏水性粉体、以及分散体和化妆料制造技术
提供通过对疏水性粉体进行处理使该经处理的疏水性粉体在水中良好地分散的有机聚硅氧烷、处理的疏水性粉体以及分散体和化妆料。该有机聚硅氧烷为具有(聚)甘油基和聚氧化烯基的有机聚硅氧烷。
衬底基板及单晶金刚石层叠基板以及它们的制造方法技术
本发明为一种衬底基板,其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中,具有初始基板与在所述初始基板上的中间层,所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</sub...
导热性层叠绝缘基板制造技术
本发明为一种导热性层叠绝缘基板,其为具有弹性层的导热性层叠绝缘基板,并且,所述导热性层叠绝缘基板在导热性陶瓷绝缘基板的表面直接层叠有所述弹性层。由此,提供一种热阻值小且导热性优异的导热性层叠绝缘基板。
导热性组合物及其固化物制造技术
提供导热性组合物,其包含:(A)由下述式(1)表示、23℃下为液体的有机聚硅氧烷:100质量份;和(B)导热性填充剂:2000~7000质量份,25℃下的粘度为1000Pa·s以下。(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO...
抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法,其特征为具备:涂布步骤,将含有具有金属‑氧...
含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法技术
本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供含有使上层抗蚀剂的感度、LWR、分辨度改善,对图案崩塌防止有贡献的热硬化性含硅材料的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组成物的图案形成方法。该...
化妆品制造技术
本发明的技术问题在于提供一种触感轻盈、延展良好、化妆膜均匀且具有优异的经时稳定性及优异的持妆性的化妆品。本发明的解决手段为一种化妆品,其特征在于,其包含:(A):下述式(1)所表示的沸点在205~255℃的范围内且25℃下的运动粘度小于...
密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法技术
本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性,具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形...
导热性加成固化型有机硅组合物及其固化物制造技术
本发明涉及一种导热性加成固化型有机硅组合物,其特征在于,其包含:(A)有机聚硅氧烷,其1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基且其25℃下的运动粘度为60~100,000mm2/s;(B)酚化合物,其为相对于组合物整体为0.01~10质量%...
抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜,且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料,包含:(A)不...
全氟聚醚-有机聚硅氧烷嵌段共聚物制造技术
本发明提供一种全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚物其具有氟聚醚基,能够控制分子中的硅氧烷单元数等,且与非氟系有机化合物的亲和性优异。本发明的全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚物为具有全氟聚醚嵌段和有机聚硅氧烷嵌段的全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚...
含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法技术
本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案...
用于非水电解质二次电池的负极活性物质及其制备方法技术
本发明提供一种具有负极活性物质颗粒的用于非水电解质二次电池的负极活性物质,该负极活性物质颗粒含有硅化合物(SiO<subgt;x</subgt;:0.5≤x≤1.6)颗粒,所述负极活性物质颗粒的至少一部分被碳材料包覆,所述负...
亲水性共聚物和亲水性组合物制造技术
包含由下述式(1)表示的结构单元(a)和由下述式(2)表示的结构单元(b)的亲水性共聚物可形成亲水性、防雾性和耐水性优异的涂膜。(式(1)中,R1表示氢原子或甲基,R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1~6的烷基,X1表示二价的连接基,式...
波长转换体及使用了该波长转换体的波长转换材料制造技术
本发明涉及一种波长转换体,其中,作为半导体纳米颗粒,所述波长转换体包含将波长450nm的光转换为波长λ<subgt;1</subgt;nm的光的第一半导体纳米颗粒、与将波长450nm的光转换为波长λ<subgt;2&l...
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