信越化学工业株式会社专利技术

信越化学工业株式会社共有3967项专利

  • 本发明是一种负极活性物质,其包含负极活性物质颗粒,所述负极活性物质的特征在于,前述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒,所述硅化合物颗粒包含硅化合物SiOx,其中,0.5≤x≤1.6;前述硅化合物颗粒含有Li2SiO3和Li4SiO4中的至...
  • 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括:在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶;使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚...
  • 本发明的目的在于提供用于得到石墨烯膜的有效的制造方法和对EUV光表现出高透射率的表膜构件的制造方法。本发明的特征在于,包括:准备设置在衬底上的石墨烯的工序;用保护膜覆盖石墨烯的工序;通过湿式蚀刻除去衬底的工序;以及使用表面张力比湿式蚀刻...
  • 本发明涉及化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明提供负型抗蚀剂组合物,其包含具有式(A)的锍化合物和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成过程中显示出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。
  • 本发明涉及有机硅组合物和固化产物。提供了有机硅组合物,其包括(A)具有1.0‑100Pa·s的在25℃的粘度的含烯基的有机聚硅氧烷,(B)式(1)的有机聚硅氧烷,(C)式(2)的有机氢聚硅氧烷,(D)式(3)的有机氢聚硅氧烷,(E)填料...
  • 稀土烧结磁体的固定夹具
    本发明为稀土烧结磁体的固定夹具。提供用于在将磁体块切割加工成片时固定磁体块(M)的固定夹具,所述夹具包括其上放置磁体块的下部夹持体(31),设置在磁体块上的上部夹持体(32)和用于按压所述夹持体以对磁体块施加压力的按压单元(33)。下部...
  • 光掩模坯及其制备方法
    本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯,包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B),膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中,当通过飞行时间二次离子质谱法(T...
  • 光掩模坯及其制备方法
    本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯,包括透明基材、至少一个含铬和氮且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧且不含过渡金属的膜(B),膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中,当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SI...
  • 表膜构件框架和使用该表膜构件框架的表膜构件
    本发明的目的在于提供一种表现出高的PID(表膜构件变形)抑制效果的表膜构件框架和使用它的表膜构件。本发明的表膜构件框架是多边形框形状的表膜构件框架,其特征在于,在表膜构件框架的角部内部形成有中空部。另外,本发明的表膜构件框架也可以在表膜...
  • 提供了用于有效生产作为例如梨园蚧的性信息素的化合物的方法。例如,提供了用于生产7‑甲基‑3‑亚甲基‑7‑辛烯基羧酸酯化合物(4)的方法,该方法包括以下步骤:将7‑甲基‑3‑亚甲基‑7‑辛烯醛缩醛化合物(1)水解,得到7‑甲基‑3‑亚甲基...
  • 形成模板的衬底以及检测方法
    本发明提供了形成模板的衬底以及检测方法。特别地,本发明提供了具有125‑300mm直径的圆形的形成模板的衬底,其具有要在其上形成拓扑图案的表面,其中在直径为125mm的圆内衬底的厚度变化为至多2μm。
  • 偏振无关型光隔离器
    本发明的课题在于提供一种偏振无关型光隔离器,其无需分离后的回光的杂散光处理,表现出高度的隔离性。为了解决上述课题,提供一种偏振无关型光隔离器,其中,构成为含有:2个偏振光分离组件,其可使穿透光的偏振光成分分离;吸收型偏光器,其配置于被分...
  • 本发明提供缩合固化性硅酮树脂组合物薄片,易操作且固化性好且有高耐热性与耐紫外线性。其包含:A成分由(R
  • 非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池、非水电解质二次电池用负极材料的制造方法、以及非水电解质二次电池的制造方法
    本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具有负极活性物质颗粒,所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx,其中,0.5≤x≤1.6,并且,所述硅化合物包含锂化合物,所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于,在前述硅化合物的表...
  • SiC复合基板的制造方法
    本发明提供SiC复合基板的制造方法,是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法,其特征在于,在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14...
  • SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法
    本发明提供SiC复合基板的制造方法,其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法,其中,在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后,在该单晶SiC层12上采用物理...
  • SiC复合基板的制造方法
    本发明提供SiC复合基板的制造方法,是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法,其特征在于,在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后,在该单晶SiC层12上采用...
  • 本发明是一种含氢硅烷基有机硅树脂的制造方法,其通过以下方式来制造式(6)的固体状含氢硅烷基有机硅树脂:在酸催化剂存在下,使式(1)~(3)的化合物水解后,添加式(4)、(5)的含氢硅烷基有机硅化合物,并进行水解,然后利用比酸催化剂的当量...
  • 本发明提供一种表面处理剂和以该表面处理剂处理表面的方法。该表面处理剂具有能够形成防水防油性、低动摩擦性、去污性、脱模性、耐磨损性以及对基材的密合性优异的被膜的化合物和耐久性。该表面处理剂为以下述通式(1)表示的含有氟代氧化亚烷基的聚合物...
  • 本发明提供即使将负极低温干燥(小于250℃)也维持高电池容量和低体积膨胀率、初次充放电效率高、循环特性优异、以在SiO2中Si分散的粒子作为活性物质的非水电解质二次电池用负极及其制造方法、以及使用了该负极的锂离子二次电池。非水电解质二次...