【技术实现步骤摘要】
化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法相关申请的交叉引用本非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2016年12月28日在日本提交的专利申请No.2016-255025的优先权,由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及化学增幅型负型抗蚀剂组合物和使用其的抗蚀剂图案形成方法。
技术介绍
为了满足近来对集成电路中更高集成度的需求,要求图案形成为更细的特征尺寸。在形成具有0.2μm以下的特征尺寸的抗蚀剂图案中最经常使用酸催化的化学增幅型抗蚀剂组合物。将高能射线例如UV、远UV或EB用作这些抗蚀剂组合物的曝光光源。特别地,将EB光刻用作超细微加工技术时,在加工光掩模坯以形成半导体器件制造中使用的光掩模中,其也是必不可缺的。包含大部分的具有酸性侧链的芳族结构的聚合物例如聚羟基苯乙烯可在用于KrF准分子激光光刻的抗蚀剂材料中使用。这些聚合物没有在用于ArF准分子激光光刻的抗蚀剂材料中使用,原因在于它们在200nm附近的波长下显示出强吸收。但是,期待这些聚合物形成可用于EB和EUV光刻的抗蚀剂材料以形成比ArF准分子激光的加工极限更细尺寸的图案,原因在于它们提供高耐蚀刻性。用于光刻的抗蚀剂组合物包括其中将曝光区域溶解掉的正型抗蚀剂组合物和其中使曝光区域作为图案残留的负型抗蚀剂组合物。取决于所需的抗蚀剂图案来从它们中选择可用的组合物。通常,化学增幅型负型抗蚀剂组合物包含通常在碱水显影剂中可溶的聚合物、曝光时分解以产生酸的产酸剂和在用作催化剂的酸的存在下使聚合物交联以致使得聚合物在显影剂中不可溶的交联剂(有时将交联剂引入聚合物中)。为了控制曝光时 ...
【技术保护点】
1.负型抗蚀剂组合物,包括(A)具有式(A)的锍化合物和(B)基础聚合物,该基础聚合物含有包含具有式(B1)的重复单元的聚合物,
【技术特征摘要】
2016.12.28 JP 2016-2550251.负型抗蚀剂组合物,包括(A)具有式(A)的锍化合物和(B)基础聚合物,该基础聚合物含有包含具有式(B1)的重复单元的聚合物,其中R1、R2和R3各自独立地为可含有杂原子的C1-C20直链、支化或环状的一价烃基,p和q各自独立地为0-5的整数,r为0-4的整数,在p=2-5的情况下,两个相邻的基团R1可以键合在一起以与它们所结合的碳原子形成环,在q=2-5的情况下,两个相邻的基团R2可以键合在一起以与它们所结合的碳原子形成环,在r=2-4的情况下,两个相邻的基团R3可以键合在一起以与它们所结合的碳原子形成环,其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基,R11各自独立地为卤素、任选卤代的C2-C8直链、支化或环状的酰氧基、任选卤代的C1-C6直链、支化或环状的烷基、或者任选卤代的C1-C6直链、支化或环状的烷氧基,A1为单键或者C1-C10直链、支化或环状的亚烷基,其中醚键可介于碳-碳键之间,s为0或1,w为0-2的整数,a为满足0≤a≤5+2w-b的整数,并且b为1-3的整数。2.权利要求1的负型抗蚀剂组合物,其中该聚合物还包含选自具有式(B2)、(B3)和(B4)的重复单元中的至少一种的重复单元:其中RA如上所定义,R12和R13各自独立地为羟基、卤素、乙酰氧基、任选卤代的C2-C8直链、支化或环状的酰氧基、任选卤代的C1-C8直链、支化或环状的烷基、任选卤代的C1-C8直链、支化或环状的烷氧基、或者任选卤代的C2-C8直链、支化或环状的烷基羰氧基,R14为乙酰基、乙酰氧基、C1-C20直链、支化或环状的烷基、C1-C20直链、支化或环状的烷氧基、C2-C20直链、支化或环状的酰氧基、C2-C20直链、支化或环状的烷氧基烷基、C2-C20烷硫基烷基、卤素原子、硝基、氰基、亚硫酰基、或者磺酰基,A2为单键或C1-C10直链、支化或环状的亚烷基,其中醚键可介于碳-碳键之间,c和d各自独立地为0-4的整数,e为0-5的整数,x为0-2的整数,并且t为0或1。3.权利要求1的负型抗蚀剂组合物,其中该聚合物还包含具有式(B5)的重复单元:其中RA如上所定义,A3为单键或者其中醚键可介于碳-碳键之间的C1-C10直链、支化或环状的亚烷基,R15各自独立地为卤素、任选卤代的C2-C8直链、支化或环状的酰氧基、任选卤代的C1-C6直链、支化或环状的烷基、或者任选卤代的C1-C6直链、支化或环状的烷氧基,W为氢、其中醚基、羰基或羰氧基可介于碳-碳键之间的C1-C10直链、支化或环状的一价脂族烃基、或者任选取代的一价芳环基团,Rx和Ry各自独立地为氢、任选羟基或烷氧基取代的C1-C15烷基或者任选取代的一价芳环基团,条件是Rx和Ry两者不同时为氢,Rx和Ry可以键合在一起以与它们所结合的碳原子形成环,y为0-2的整数,u为0或1,f为满足0≤f≤5+2y-g的整数,并且g为1-3的整数。4.权利要求3的负型抗蚀剂组合物,其中该聚合物还包含选自具有式(a1)-(a6)的单元中的至少一种的重复单元:其中RB各自独立地为氢或甲基,Z1为单...
【专利技术属性】
技术研发人员:小竹正晃,渡边聪,增永惠一,山田健司,大桥正树,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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