本实用新型公开了一种安全型房屋建筑基坑支护装置，涉及到建筑基坑技术领域，包括顶板和两个支撑柱，顶板的底端两侧均设置有支撑柱，顶板的顶端两侧均设置有移动板，且两个移动板相互远离的一端均通过销轴活动设置有挡板，顶板的顶端两侧均开设有滑槽。本...

本实用新型公开了一种公路施工用的整平设备，涉及到公路整平设备领域，包括固定板，固定板的正下方设置有连接板，连接板的中部正下方设置有安装板，安装板的两侧均固定连接有震动刮板，震动刮板远离安装板的一端上表面固定连接有阻尼连接件，两个阻尼连接...

本实用新型公开的属于建筑施工技术领域，具体为一种建筑施工用钢筋定位结构，包括定位架和定位块，所述定位架上设置有滑动槽，所述定位架表面上设置有刻度，所述定位架侧壁上设置有固定孔，所述滑动槽上均匀设置有定位块，所述定位块上设置有固定槽，所述...

一种三五族半导体器件，包括:具有源极区及漏极区的衬底、源极，设置于衬底且对应于源极区、漏极，设置于衬底且对应于漏极区、栅极，设置于源极及漏极之间、第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在源极及漏极上，且覆盖部分衬底，且于栅极及源极与...

一种缩短线宽的半导体器件，包括晶圆、设置于晶圆上的第一保护层、第二保护层、及栅极。第一保护层设有多个孔洞，孔洞的孔径为300奈米至500奈米；第二保护层设置于第一保护层上及多个孔洞内，第二保护层设有多个开口以暴露出晶圆的部分表面，开口的...

本实用新型公开了一种基坑支撑梁和基坑内支撑结构，包括基坑，所述基坑的内部底端设置有底梁架，所述基坑的内部顶端设置有顶梁架，所述底梁架与顶梁架之间设有横梁杆，所述横梁杆的两端均焊接有纵向连接梁，所述纵向连接梁的两端依次贯穿在底梁架的顶端与...

一种物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形...

一种量测组件可用于量测高电子迁移率晶体管的特性，包括探针及探棒，探针具有探针本体及设置在探针本体一端的尖端，探针本体具有第一导电金属及披覆于第一导电金属的绝缘层，尖端为接触金属。探棒具有第二导电金属及披覆于第二导电金属的第三金属层；探针...

一种用于超声波振荡清洗的载具盒，载具盒是由上盖、肋部及四个侧框架所构成的立方空心矩形结构，肋部与上盖相对设置，载具盒用以承载零件并设置于清洗槽中以进行超声波振荡清洗。其特征在于，上盖具有窗口，且窗口设置有多个不同尺寸的卡合孔和间隔孔，卡...

一种三五族半导体器件，包括衬底、设置于衬底上的外延层、及设置于外延层上的多个接触区。其中，外延层包括多个通道，通道由外延层延伸至部份衬底并暴露出衬底的表面，每两个通道之间具有主动区，且于主动区内至少包含两个接触区。此三五族半导体器件能以...

一种化学气相沉积系统包括承载台、喷洒头、及网筛。承载台用以承载晶圆；喷洒头具有多个喷孔且连接等离子体产生部；网筛设置于喷洒头与承载台之间，并相对于喷洒头的喷孔。其中，由射频电源提供射频电压，而于喷洒头与承载台之间产生电场，使得等离子体产...

一种机器人手臂的校正系统，机器人叶片用于持住晶圆，透过机器人手臂将晶圆传送至腔室，其特征在于，机器人手臂的校正系统包括校正治具及对准治具。校正治具具有激光模块及孔道，校正治具的孔道设置于机器人叶片的第一凹槽内，校正治具的激光模块设置于机...

一种碎片收集装置，用以自生产设备腔体收集碎片，其特征在于，包括碎片回收箱、第一管件与第二管件，碎片回收箱具备第一连通孔以及第二连通孔，第一连通孔与所述第二连通孔相对设置于碎片回收箱的两侧板上，而且第一连通孔与第二连通孔之间具备高度差，第...

一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:衬底；外延层，具有源极区及漏极区且设置于衬底上，且于外延层对应漏极区的位置具有突出的外延结构；源极电极，设置外延层上且对应源极区；漏极电极，设置于突出的外延结构上且对应漏极区；以及栅极，设置于外...

一种半导体器件，包括衬底、外延层、源极、漏极及栅极。外延层设置于衬底上，外延层具有源极区、漏极区及设置于源极区与漏极区之间的沟槽。源极设置于外延层上且对应源极区的位置。漏极设置于外延层上且对应漏极区的位置。栅极设置于源极与漏极之间且设置...

一种三五族半导体组件，包括衬底、源极、漏极以及T型栅极，源极、T型栅极、漏极位于衬底上，源极与漏极设置于T型栅极的两侧，其特征在于，T型栅极包括顶部与底部，顶部具备第一宽度，底部具备第二宽度，其中第一宽度大于第二宽度，而且第一宽度等于源...

一种半导体外延器件，包括衬底、应力中和层以及外延层，其中衬底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面，应力中和层设置于衬底的第二表面，外延层设置于衬底的第一表面。本实用新型披露的半导体外延器件通过应力中和层与外延层之间的应力相互抵消，令...

一种具改质衬底的半导体外延器件，包含衬底、氧化层、碳化层及氮化镓外延层，其中，氧化层为设置在衬底上、碳化层设置在氧化层上、氮化镓外延层设置在碳化层上，据此具改质衬底的半导体外延器件透过对成本低廉的衬底改质，碳化层可提升氮化镓外延层的晶格...