专利查询
首页
专利评估
登录
注册
TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5121项专利
电子元件模件及其制造方法技术
一种电子元件模件具有一个装置侧模块(A)和一个天线侧模块(B)。装置侧模块(A)装备有一个第一介电基底(11)和一个高频装置(13),上述第一介电基底(11)形成为具有一个第一传输线(11a),而上述高频装置(13)安装在第一介电基底(...
磁存储器件和磁存储器件的制造方法技术
本发明的课题是提供能高效地利用由流过导线的电流所形成的磁场以稳定地进行信息的写入、同时能更简便地制造的磁存储器件及其制造方法。由于包含在基体31上形成一对层叠体S20a、S20b的层叠体形成工序、以至少覆盖一对层叠体S20a、S20b的...
磁致伸缩材料制造技术
本发明采用粉末冶金法,增大得到的超磁致伸缩元件等烧结体的密度,提供一种能减少高温大气中磁致伸缩特性等烧结体特性劣化的烧结体的制造方法。本发明是将式1:RT↓[w](式中,R是一种以上的稀土类金属,T是一种以上的过渡金属,w表示为1<w<...
烧结体的制造方法技术
本发明采用粉末冶金法,增大得到的超磁致伸缩元件等烧结体的密度,提供一种能减少高温大气中磁致伸缩特性等烧结体特性劣化的烧结体的制造方法。本发明是将式1:RT↓[w](式中,R是一种以上的稀土类金属,T是一种以上的过渡金属,w表示为1<w<...
磁致伸缩材料制造技术
本发明采用粉末冶金法,增大得到的超磁致伸缩元件等烧结体的密度,提供一种能减少高温大气中磁致伸缩特性等烧结体特性劣化的烧结体的制造方法。本发明是将式1:RT↓[w](式中,R是一种以上的稀土类金属,T是一种以上的过渡金属,w表示为1<w<...
磁阻效应元件、磁存储单元及磁存储器制造技术
提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场,稳定地进行信息写入,且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁...
磁致伸缩元件的制造方法、烧结用容器以及磁致伸缩元件技术
本发明提供一种磁致伸缩元件的制造方法、烧结用容器以及磁致伸缩元件。本发明是将烧结用容器10的定位器20作成具有使成型体100能够保持在直立状态的孔21的构成,在烧结时成型体100收缩,在成型体100和定位器20发生烧结反应的温度区域使成...
圆盘状元件保持装置制造方法及图纸
本发明提供一种对即使是在中央部位没有贯通孔的圆盘状元件也可进行良好的定位保持的圆盘状元件保持装置。在基板(1)上设置接合部(1B),在基板保持侧的贴合部(11)设置接合部(11B)。通过这些接合部将基板(1)保持在保持装置(10)上。通...
用于制造电子器件的结构体及使用它的电子器件制造方法技术
本发明提供一种能大幅度提高产品形状自由度的电子器件制造用结构体。根据本发明的电子器件制造用结构体,其特征在于,包括基板(11);和在上述基板(11)上设置的导电膜(12),其特征在于,上述导电膜对上述基板11)的粘接力小于等于0.1N/...
薄膜形成装置和方法,以及使用该装置的电子零件制造方法制造方法及图纸
一种膜形成装置,其中具有多个膜形成室的真空室安装在不同的平面内并通过真空传递室彼此连通,并且基片通过设置在该传递室中的一基片传递机构而在该真空室之间被传递。从而膜形成装置中的室的数目可以容易地增加,并可节省安装空间和提高生产效率。
用于薄膜形成装置的基片交换单元和基片交换的方法制造方法及图纸
本发明提供一种接收来自基片交换头部的与运载器在一起的已涂敷薄膜基片基片交换单元,该基片交换头部接收来自薄膜形成装置的基片和运载器,基片在基片交换头部和待安置有基片的工位台之间被传送;在保持运载器时,仅将基片传送至工位台并在保持该运载器时...
磁检测元件及其形成方法以及磁传感器和电流计技术
本发明的课题是,提供一种能够抑制磁滞现象的显现,降低1/f噪声,并以高灵敏度且稳定地检测出信号磁场的磁检测元件。由于设置了包含具有被固定于恒定方向(Y方向)的磁化方向J21的固定层21、表现出随外部磁场H变化并且在该外部磁场H为零时平行...
传感器、助力自行车、磁致伸缩元件及其制造方法技术
本发明的目的在于提供相对温度变化具有稳定特性的传感器、磁致伸缩元件等。其中,检测电动助力自行车的踩踏力的扭矩传感器具备:具有由(Tb↓[x]Dy↓[(1-x)])T↓[y]所示组成的烧结体所构成的磁致伸缩元件(这里,x在0.50<x≤1...
压电陶瓷和压电元件制造技术
本发明提供一种能够在低温中烧结,同时能够提高压电特性的压电陶瓷和压电元件。含有Pb↓[a][(Zn↓[b/3]Nb↓[2/3])↓[x]Ti↓[y]Zr↓[z]]O↓[3](0.94≤a≤1.02、1<b≤3、x+y+z=1、0.05≤...
叠层陶瓷元件的制造方法技术
提供即使多层化或大型化也能够得到良好的制品、特别适合于叠层压电元件的叠层陶瓷元件的制造方法。形成交替地层叠了含有陶瓷层的原料的陶瓷前体层、和含有作为内部电极层的原料的金属铜的内部电极前体层的叠层体后,加热从而脱脂处理。此时,导入含有惰性...
压电陶瓷组合物、压电元件及它们的制造方法技术
一种压电陶瓷组合物,它含有以Pb、Zr和Ti为主要成分的具有钙钛矿结构的复合氧化物以及下述(a)成分和/或(b)成分、或、下述(A)成分和/或(B)成分,(a)Ag和/或Ag化合物、和、Mo和/或Mo化合物;(b)钼酸银[Ag↓[2]M...
压电陶瓷、压电元件、及其制造方法技术
本发明涉及一种即使不添加添加物等也可充分降低釉烧温度的压电陶瓷以及压电元件的制造方法、在压电陶瓷的制造中使烧成温度降低的方法和利用这样的制造方法可得到的压电元件。本发明的压电陶瓷的制造方法包括:混合含有Pb、Zr以及Ti的原料并调制粉状...
隧道磁电阻效应元件、其测试方法与装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法,该方法包括:测量步骤,通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻;计算步骤,由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率;和评估步骤,使用计算出的电阻变化...
光电转换元件、光电转换装置和硅化铁膜制造方法及图纸
太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外,pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且,i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁...
薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元制造技术
c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物,由组成式:(Bi↓[2]O↓[2])↑[2+](A↓[m-1]B↓[m]O↓[3m+1])↑[2-]、或Bi↓[2]A↓[m-1]B↓[m]O↓[3m+3]表示,所述组成式中的符号m为奇数,符号A...
首页
<<
196
197
198
199
200
201
202
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81098
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
中电数据产业集团有限公司
164
天津仁程科技有限公司
1
广东弘捷新能源有限公司
35
甘肃瓮福化工有限责任公司
213
江苏国信泗阳太阳能发电有限公司
2
蚌埠壹石通聚合物复合材料有限公司
30
强芯科技南通有限公司
71
重庆邮电大学
14121
南京钢铁股份有限公司
4931
湖南安盛坤科技有限公司
4