根据本发明的薄膜电容元件包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：（Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［２］）↑［２＋］（Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋１］）↑［２－］表示的组分的铋层...

根据本发明的薄膜电容元件包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：（Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［２］）↑［２＋］（Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋１］）↑［２－］表示的组分但包含...

本发明涉及一种电介质薄膜，以组成式（Ｂａ↓［１－ｘ］Ｓｒ↓［ｘ］）↓［ｙ］ＴｉＯ↓［３］（０．１８≤ｘ≤０．４５、０．９６≤ｙ≤１．０４）表示，当Ｘ射线衍射图中的（１００）面的衍射线峰值强度记为Ｉ（１００）、（１１０）面的衍射线峰值强度...

本发明涉及一种可降低强磁性材料扩散到半导体区域内的磁存储器。磁存储器１具有由ｍ行ｎ列（ｍ、ｎ是２以上的整数）构成的二次元状排列的多个存储区域３。再者，磁存储器１具有：含有写入晶体管３２的漏极区域３２ａ和源极区域３２ｃ的半导体层６；含有Ｔ...

ｃ轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：（Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［２］）↑［２＋］（Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋１］）↑［２－］、或Ｂｉ↓［２］Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋３］表示，所述组成式中的符号ｍ为偶数，符号Ａ...

薄膜电容元件用组合物，该组合物以任意的混合比含有第１铋层状化合物和第２铋层状化合物，其中第１铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数上升的正温度特性；第２铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部...

本发明的目的是提供一种不含铅、居里点高、而且具有优良的压电特性和特别大的Ｑｍａｘ值的压电陶瓷。该压电陶瓷的特征是，其中含有一种以具有（Ｍ↓［１－ｘ］↑［Ⅱ］Ｌｎ↓［ｘ］）Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］型结晶（Ｍ↑［Ⅱ］是选自Ｓｒ、...

本发明涉及一种可防止误写入而且可使写入电流变小的磁存储器，磁存储器１所具有的多个存储区域３各个具有：含有磁化方向Ａ因外部磁场而发生变化的第一磁性层４１的ＴＭＲ元件４；通过写入电流向第一磁性层４１提供外部磁场的写入配线３１；由具有介入空隙...

一种电介质薄膜（８），具有第１铋层状化合物层（８ａ），该第１铋层状化合物层（８ａ）用组成式：（Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［２］）↑［２＋］（Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋１］）↑［２－］、或者Ｂｉ↓［２］Ａ↓［ｍ－１］Ｂ↓［ｍ］Ｏ↓［３ｍ＋...

本发明涉及一种传感器，该传感器具有底座、被固定在底座上的多根销、传感元件和将传感元件连接于多根销的多根引线。传感元件通过多根引线被支撑在多根销上。多根引线分别沿着连接多根销中被连接的销与传感元件的直线进行设置，并在该销和传感元件之间多次...

本发明提供一种可以高精度地评价薄膜磁头输出特性是否良好的方法。在具有将反铁磁性层、固定磁性层、非磁性导电层和自由磁性层层叠构成的旋转阀膜、以及与该旋转阀膜的磁道宽度方向的两侧相接触的硬偏磁膜的薄膜磁头中，首先，在磁道宽度方向上磁化硬偏磁...

本发明提供一种压电陶瓷组合物，其主成分为以Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ为构成元素的复合氧化物，含有从Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ中选择的至少一种作为第一副成分，该第一副成分的含量换算成氧化物为小于等于０．２质量％（但不包括０）；或者，含有以ＣｕＯ↓...

本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层（４）包含非晶硅时，在该光电转换层（４）与反射电极层（２）之间设置光吸收层（３）。光电转换层（４）（非晶硅）主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层（３）主要对长波段具...

一种电介质陶瓷组合物，其至少包含：含有钛酸钡的主成分，包含选自ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ和ＳｒＯ的至少１种的第１副成分，包含选自Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｌｉ↓［２］Ｏ和Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］的至少１种的第２副成分，包含选自Ｖ↓［２］Ｏ↓［５］...

半导体ＩＣ、具有嵌入半导体ＩＣ的模块以及它们的制造方法。一种半导体ＩＣ包括：主体，其主表面上形成有预定电路；金属层，其选择性设置在该半导体ＩＣ主体的除了周边以外的基本上整个背面上。根据本发明，设置在该半导体ＩＣ主体上的金属层可以很大程度...

本发明提供一种可靠性高的磁存储器及其制造方法。在磁轭（５）和感磁层（５ｂ）的磁连接部附近，感磁层（５ｂ）内的磁化的方向紊乱。即，如果读出时起作用的感磁层（５ｂ）中的固定层相对区域的磁化的方向不紊乱，则可靠性提高。所以，在本磁存储器中，使...

本发明的目的在于，提供一种既能够适当保持与硬偏置层的绝缘性、又能够对自由磁性层供给适当大小的偏置磁场的磁性检测元件及其制造方法。将在层叠体（２２）的侧端面（２２ａ）上形成的第１绝缘层的厚度（Ｔ３）形成为比在下部屏蔽层（２０）上形成的第２...

本发明提供了使用温度范围宽、可以得到大的位移量、容易烧成、低公害并且对于环境和生态学方面良好的压电陶瓷及其制造方法。压电基板（１）含有（１－ｍ－ｎ）［（Ｎａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｋ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３...

本发明提供电特性Ｑ↓［ｍａｘ］、耐热性、以及共振频率的温度特性都优良的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物的特征在于：包含以具有钙钛矿型结构的钛酸锆酸铅为主成分的相和含Ａｌ相。该压电陶瓷组合物优选主成分含有Ｍｎ和Ｎｂ，进而优选主成分是用Ｐｂ...

本发明提供一种半导体ＩＣ内设模块，该半导体ＩＣ内设模块通过以最短距离对连接半导体ＩＣ间的总线进行布线，从而实现小型薄型化以及噪音的进一步降低。所述半导体ＩＣ内设模块（１００）具有：多层基板（１０１），其具有第１和第２绝缘层（１０１ａ、１...