本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒｔｏ　　Ｐｌａｎｅ：电流垂直于平面）结构的巨磁阻效应元件（ＣＰＰ－ＧＭＲ元件），由于上述...

本发明涉及一种层叠型压电元件，其特征在于，具备将多个压电体和多个内部电极互相交替地层叠并烧结而成的层叠体。多个内部电极含有第１电极以及第２电极。层叠体具有：第１电极及第２电极在层叠体的层叠方向上以互相重叠的形式所构成的活性部分；和第１电...

本发明提供一种压电陶瓷组合物及叠层型压电元件，其能在低温下且在低氧还原性气氛中烧制，并且即使在１ｋＶ／ｍｍ以上的高电压下也能得到充分的位移。该压电陶瓷组合物以用下述组成式表示的复合氧化物为主成分，相对于主成分，含有：作为第１副成分，按Ｃ...

本发明涉及一种层叠型压电元件，其具备将多个压电体和多个内部电极交替层叠并烧结而成的层叠体。多个内部电极含有第１电极以及第２电极。层叠体中设置有由熔点比压电体的烧结温度高的材料所形成的金属氧化物层。层叠体具有：第１电极和第２电极在层叠体的...

本发明提供一种布线构造等，能够在保持邻接的布线层间的绝缘的同时可靠地连接被布线体与布线层，并能够实现基于连接孔的间距狭小化的印刷布线板等的高密度安装。半导体内置基板，在内芯基板的两面上形成有导电图形，并在层叠于内芯基板上的树脂层内配置有...

压电陶瓷和压电元件：本发明提供一种能够在低温中烧结，同时能够提高压电特性的压电陶瓷和压电元件。含有Ｐｂ↓［ａ］［（Ｚｎ↓［ｂ／３］Ｎｂ↓［２／３］）↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］Ｚｒ↓［ｚ］］Ｏ↓［３］（０．９４≤ａ≤１．０２、１＜ｂ≤３、ｘ＋ｙ...

本发明涉及一种压电陶瓷（压电体层２）的制造方法，它是对包含ＴｉＯ↓［２］原料、ＺｒＯ↓［２］原料以及ＰｂＯ原料为主要成分的压电材料进行烧成而制造压电陶瓷的压电陶瓷的制造方法，其特征在于，混合到压电材料中的Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］的含量范围为...

电介质陶瓷组合物，它是含有：含ＢａＴｉＯ↓［３］的主成分；含ＢａＺｒＯ↓［３］的第１副成分；含Ｍｇ氧化物的第２副成分；含稀土类元素氧化物的第３副成分；含选自Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ和Ｆｅ中一种以上元素的氧化物的第４副成分；和含选自Ｓｉ、Ａｌ、Ｇ...

本发明涉及一种压电常数（ｄ）大并且Ｑｍ值也大的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物具有相当于如下固溶体的组成，该固溶体含有具有菱方晶系钙钛矿结构的第一化合物、具有正方晶系钙钛矿结构的第二化合物、第三化合物，该第三化合物是将Ｂｉ作为第一构成元...

本发明涉及一种在低温烧成时也可以得到优良的压电特性的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物含有具有相当于如下固溶体的组成的成分，该固溶体含有具有菱方晶系钙钛矿结构的第一化合物、具有正方晶系钙钛矿结构的第二化合物和第三化合物，所述第三化合物含有...

本发明提供电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有Ｂａ↓［ｍ］ＴｉＯ↓［２＋ｍ］（ｍ满足０．９９≤ｍ≤１．０１）、Ｂａ↓［ｎ］ＺｒＯ↓［２＋ｎ］（ｎ满足０．９９≤ｎ≤１．０１）、Ｍｇ的氧化物、Ｒ的氧化物（Ｒ为选自Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ...

本发明涉及一种薄膜器件，其凸块具有改善的表面特性。薄膜器件的薄膜元件包括电磁转换元件、无源元件和有源元件中的至少一种。包含Ｃｕ作为主要成分的引线导体膜连接到薄膜元件。引线导体设置有凸块。该凸块包括第一导体膜和第二导体膜。所述第一导体膜附...

提供一种有机ＥＬ元件，其中，作为与阴极相邻的层，设置含有２５℃标准电极电位不足－１．８Ｖ金属的有机金属盐和／或有机金属配合物且涂布形成的电子注入性的有机层，与该电子注入性有机层相邻设有含高分子ＥＬ材料的有机层。另外，作为与阴极相接的层，...

本发明涉及一种具备间隔层和包夹上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层、在该层叠方向上施加了检测电流而成的ＣＰＰ（ＣｕｒｒｅｎｔＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ　Ｐｌａｎｅ）结构的巨磁阻效应元件（ＣＰＰ－ＧＭＲ元件），自由层以磁化方向相...

本发明提供一种能够增大电子部件的安装面积，并能够抑制接地电极和金属防护层的连接不良，充分地确保接地电极和导电性防护层的连接强度的电子模块及其制造方法。电子模块（１００）中，在内置有半导体装置（３０）等的多层基板（１）上安装有电子部件（６...

一种磁场探测元件包括：包括上磁层、下磁层和夹在上、下磁层之间的非磁中间层的叠层，上磁层和下磁层的磁化方向根据外部磁场改变；以下述方式设置的上屏蔽电极层和下屏蔽电极层：它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，上屏蔽电极层和下屏蔽电极...

本发明提供一种能够防止短路发生的监控元件和磁阻效应元件基板以及监控元件的制造方法。本发明的在形成由上下屏蔽层施加与膜面垂直的检测电流的磁阻效应元件的媒体对置面的研磨加工时，作为监控该磁阻效应元件的元件电阻的监控器来使用的监控元件，具备结...

离子源１４具备：形成有开口３０ａ的放电容器３０、设置在放电容器３０外且用于在放电容器３０内生成等离子体３３的线圈３２、将在放电容器３０内生成的等离子体３３中的离子从开口３０ａ引出并产生离子束２６的引出电极３５、向线圈３２供给电力的电力供...

本发明关于一种放电灯装置，包括一灯管及置于该灯管内的阴极，该阴极由一价补偿半导体陶瓷材料、或一强制还原半导体陶瓷材料、或一价补偿且强制还原的半导体陶瓷材料所制成．由于阴极不包含一电子放射材料，而使用一半导体陶瓷材料．因此阴极不产生蒸气，...

本发明涉及热阴极式放电灯装置，它由放电灯管，接近圆柱形且以半导体瓷料制成并被装设于管内及包括纵向周围表面作为放电表面，及连接至阴极电极构件纵向两末端及贯穿管末端部分的两引线所构成。由于本放电灯装置的阴极电极中使用的是半导体瓷料而非电子放...