【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁场探测元件及其制造方法，尤其涉及一种具有多个自由 层的磁场探测元件的结构。
技术介绍
作为薄膜磁头的重放元件，GMR (巨磁致阻抗)元件是己知的。迄今 为止，主要使用CIP (面内电流(Current In Plane)) —GMR元件，其中 传感电流(sense current)在水平于元件的薄膜表面的方向上流动。不过， 近年来，为了应付更高密度的记录，已经开发这样的元件，其中传感电流 在垂直于元件的薄膜表面的方向上流动。利用TMR (隧道磁阻(Tunnel Magneto—Resistance))效应的TMR元件和利用GMR效应的CPP (垂直 于平面的电流)元件是已知的属于这种类型的元件。特别地，CPP元件具 有高电势，因为与TMR元件相比它具有低阻抗且因为与CIP元件相比即 使是对于窄磁道宽度它也表现出高输出。CPP元件包括叠层，该叠层具有磁化方向根据外部磁场而改变的磁层 (自由层)，其磁化方向相对于外部磁场固定不变的磁层(固定层(pinned layer)),以及夹在固定层和自由层之间的非磁中间层。该叠层也称为自旋 阀(spin—val...
【技术保护点】
一种磁场探测元件，包括： 包括上磁层、下磁层和夹在所述上磁层与所述下磁层之间的非磁中间层的叠层，其中所述上磁层和所述下磁层的磁化方向根据外部磁场而改变； 上屏蔽电极层和下屏蔽电极层，所述上屏蔽电极层和下屏蔽电极层以下述方式设置：它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，其中所述上屏蔽电极层和所述下屏蔽电极层提供在堆叠方向上的传感电流并磁性屏蔽所述叠层； 设置在所述叠层表面上的偏磁层，所述表面与所述叠层的气浮表面相反，其中所述偏磁层在垂直于气浮表面的方向上施加偏磁场到所述上磁层和到所述下磁层；和 设置在所述叠层的关于其磁道宽度方向的两侧上的绝缘膜，其中 所述偏磁层具有大于...
【技术特征摘要】
US 2007-7-30 11/830,1221.一种磁场探测元件，包括包括上磁层、下磁层和夹在所述上磁层与所述下磁层之间的非磁中间层的叠层，其中所述上磁层和所述下磁层的磁化方向根据外部磁场而改变；上屏蔽电极层和下屏蔽电极层，所述上屏蔽电极层和下屏蔽电极层以下述方式设置它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，其中所述上屏蔽电极层和所述下屏蔽电极层提供在堆叠方向上的传感电流并磁性屏蔽所述叠层；设置在所述叠层表面上的偏磁层，所述表面与所述叠层的气浮表面相反，其中所述偏磁层在垂直于气浮表面的方向上施加偏磁场到所述上磁层和到所述下磁层；和设置在所述叠层的关于其磁道宽度方向的两侧上的绝缘膜，其中所述偏磁层具有大于所述叠层的厚度，且所述上屏蔽电极层和/或所述下屏蔽电极层包括填充阶形部分的辅助屏蔽层，该阶形部分由所述叠层和所述偏磁层形成。2. 根据权利要求1的磁场探测元件，满足-0.55Y/X^).5，其中X为所 述偏磁层的厚度的半值，且其中Y为高程差(hl—h2)，其中高程hl是与 所述上磁层的中点和所述下磁层的中点等距的高程，而高程h2是所述偏 磁层的中点的高程，hl和h2在堆叠方向上测量。3. 根据权利要求1的磁场探测元件，其中所述偏磁层的中点的高程等于与所述上磁层的中点和所述下磁 层的中点等距的高程。4. 根据权利要求1的磁场探测元件， 其中所述辅助屏蔽层以平面的形式在所述绝缘膜上延伸。5. 根据权利要求1的磁场探测元件，其中当没有施加外部磁场时，所述上磁层的磁化方向与所述下磁层的 磁化方向互相大致垂直。6. 根据权利要求1的磁场探测元件，其中所述非磁中间层由铜构成并具有大致1.3nm的厚度。7. 根据权利要求1的磁场探测元件， 其中绝缘层设置在所述叠层与所述偏磁层之间。8. 根据权利要求1的磁场探测元件，其中所述上磁层和所述下磁层的每一个都包括第一磁层、第二磁层和 夹在两者之间的非磁中间层，其中第一和第二磁层的磁化方向根据外部磁 场而改变。9. 一种包括根据权利要求1的磁场探测元件的滑触头。10. —种具有将被形成至根据权利要求1的磁场探测元件中的叠层的曰&11. 一种磁头平衡架组件，包括根据权利要求9的滑触头，以及用于 弹性地支撑滑触头的悬架。12. —种硬盘驱动器，包括根据权利要求9的滑触头，以及用于支撑 滑触头和用于关于记录介质定位...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫内大助，町田贵彦，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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