磁存储器件和磁存储器件的制造方法技术

本发明专利技术的课题是提供能高效地利用由流过导线的电流所形成的磁场以稳定地进行信息的写入、同时能更简便地制造的磁存储器件及其制造方法。由于包含在基体３１上形成一对层叠体Ｓ２０ａ、Ｓ２０ｂ的层叠体形成工序、以至少覆盖一对层叠体Ｓ２０ａ、Ｓ２０ｂ的方式形成下部磁轭４Ｂ的下部磁轭形成工序以及在下部磁轭４Ｂ上经作为第１绝缘膜的绝缘膜７Ａ以在第１层内Ｌ１互相邻接地排列的方式同时形成一对第１部分６Ｆ和写入位线５ａ、５ｂ的写入线形成工序，故可使制造工序进一步简化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备包含磁化方向随外部磁场变化的感磁层的磁阻效应元件、同时利用感磁层的磁化方向的变化来进行信息的记录、读出的磁存储器件及其的制造方法。
技术介绍
迄今为止，作为在计算机或通信装置等的信息处理装置中使用的通用存储器，使用了DRAM(动态随机存取存储器)或SRAM(静态RAM)等的易失性存储器。在这些易失性存储器中，为了保持所存储的信息，必须不断地供给电流来进行刷新。此外，由于若切断电源就会丧失全部的信息，故除了这些易失性存储器外，必须设置非易失性的存储器作为记录信息用的手段，例如使用闪速(flash)EEPROM或磁硬盘装置等。在这些非易失性存储器中，伴随信息处理的高速化，存取的高速化成为重要的课题。再者，伴随便携式信息装置的快速的普及和高性能化，目标是实现能在任何时候任何地方进行信息处理的所谓的普适计算的信息装置的开发正在快速地取得进展。作为这样的信息装置开发的中心的关键器件，强烈地要求与高速处理对应的非易失性存储器的开发。作为在非易失性存储器的高速化方面有效的技术，利用沿强磁性层的易磁化轴的磁化方向来存储信息的磁存储元件已知有排列成矩阵状了的磁随机存取存储器(以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁存储器件，其特征在于：具备：第１写入线；以与该第１写入线交叉的方式延伸的第２写入线；以及磁阻效应元件，上述磁阻效应元件在上述第１和第２写入线交叉的区域中具有以包围上述第１和第２写入线的方式沿周围方向配置的磁轭和包含磁化 方向随外部磁场而变化的感磁层并与上述磁轭以磁的方式连结了的层叠体，上述第１和第２写入线在被上述磁轭包围的区域中被排列成在第１层内互相邻接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上岛聪史，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]