用于制造电子器件的结构体及使用它的电子器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种能大幅度提高产品形状自由度的电子器件制造用结构体。根据本发明专利技术的电子器件制造用结构体，其特征在于，包括基板（１１）；和在上述基板（１１）上设置的导电膜（１２），其特征在于，上述导电膜对上述基板１１）的粘接力小于等于０．１Ｎ／ｃｍ。根据本发明专利技术的电子器件制造用结构体，由于导电膜对基板的粘接力非常弱，所以能够从基板容易剥离导电膜。为此，能够在与成膜时所使用的基板不同的另一基板上形成电子器件，并能够大幅度提高产品形状的自由度。特别地，若位于基板侧的下部导电膜的粘接力为０．０４Ｎ／ｃｍ，则能够从基板非常容易地剥离导电膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件制造用结构体及使用该结构体的电子器件的制造方法，特别涉及一种制作薄膜电容器、强电介质非易失性存储器、薄膜体波谐振器等电子器件时所使用的结构体及使用这种结构的电子器件的制造方法，所述各电子器件包括具有强电介质性和压电性的功能膜及与其邻接设置的导电膜。
技术介绍
在薄膜电容器、强电介质非易失性存储器、薄膜体波谐振器等电子器件中，使用强电介质材料和由压电材料构成的功能膜。例如，薄膜体波谐振器具有利用上下两个导电膜(上部导电膜及下部导电膜)夹持由压电材料构成的功能膜的结构，通过在这些导电膜间施加高频信号，能够作为高频滤波器使用。在这种电子器件中，为了获得良好的器件特性，必须提高功能膜的结晶性，为此，不仅要使功能膜的成膜方法和成膜条件最佳化，而且重要的是还应提高作为功能膜衬底的下部导电膜的结晶性。这是因为作为衬底的下部导电膜的结晶性对功能膜的结晶性影响很大。例如，在特许文献1中记载了一种具有良好的结晶性的下部导电膜的形成方法。作为下部导电膜的材料，必须使用与在其上部形成的功能膜的晶格融合性高且反应性低的材料。因此，在使用具有例如ZnO等的纤锌矿型晶体结构的压电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件制造用结构体，包括基板和在上述基板上设置的导电膜，其特征在于，上述导电膜对上述基板的粘接力小于等于０．１Ｎ／ｃｍ。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-9 003586/20041.一种电子器件制造用结构体，包括基板和在上述基板上设置的导电膜，其特征在于，上述导电膜对上述基板的粘接力小于等于0.1N/cm。2.根据权利要求1所述的电子器件制造用结构体，其特征在于，上述粘接力小于等于0.04N/cm。3.根据权利要求1或2所述的电子器件制造用结构体，其特征在于，上述导电膜是沿面心立方结构的(111)面或最密六方结构的(0001)面单一取向的金属薄膜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件制造用结构体，其特征在于，上述导电膜的X射线摇摆曲线的半辐值小于等于2°。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件制造用结构体，其特征在于，还具有设在上述导体膜上的功能膜。6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件制造用结构体，其特征在于，还包括设在上述功能膜上的另一导电膜。7.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括成膜工序，在基板上至少按导电膜、功能膜的顺序形成导电膜和功能膜；剥离工序，从上述基板上剥离包含上述导电膜及功能膜的层叠体；承载工序...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口隆男，齐藤久俊，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]