切削槽的测量方法技术

提供一种切削槽的测量方法，用来对由第１切削刀片和第２切削刀片分段切削的第１切削槽和第２切削槽进行正确测量。该测量方法用来在实施下述两种工序时对形成于晶片上的第１切削槽和第２切削槽的位置进行测量，这两种工序一是通过第１切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第１切削槽的工序，二是通过第１切削机构沿着第１切削槽形成第２切削槽的工序；当测量第１切削槽的位置时，由摄像机构对形成于晶片上的第１切削槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系，当测量第１切削槽的位置时，在形成第１切削槽之前于晶片的周边部分由第２切削机构形成测量槽，并通过摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对通过切削刀片来切削的切削槽、具体来说是对利用第1切削刀片和第2切削刀片来分段切削的第1切削槽和第2切削槽的位置分别进行测量的切削槽测量方法。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，通过在作为大致圆盘形状的半导体晶片表面呈格子状排列的被称为通道的分割预制线来划分多个区域，并在该所划分的区域上形成IC、LSI等的电路。然后，通过将半导体晶片沿着通道切断，对形成电路后的区域进行分割，制造出各个半导体芯片。有一种半导体晶片，在通道的表面部分设置称为测试元件组(Teg)的测试用金属图案。这样，存在下述问题，即若采用切削硅等半导体原材料的切削刀片，对在通道上设置了Teg的半导体晶片进行切削，则对切削刀片产生阻塞，使半导体晶片受到损伤。为了解决上述问题，近年来一般采用下述方法，这就是使用具备2个切削部件的切削装置，通过由安装于第1切削部件上的第1切削刀片形成用来除去通道上所设置的Teg的第1切削槽，使半导体原材料曝露，此后通过安装于第2切削部件上的第2切削刀片沿着第1切削槽形成用来切断半导体原材料的第2切削槽。另外，在未设置上述Teg等的半导体晶片中，一般也采用下述方法，即使用具备2个切削部件的切削装置，通过安装于第1切削部件上的第1切削刀片沿着半导体晶片的通道形成V字状的第1切削槽，此后通过安装于第2切削部件上的第2切削刀片沿着V字状的第1切削槽形成用来切断的第2切削槽，以此在半导体芯片的周边形成倒角。还有，切削装置为了利用切削刀片沿着半导体晶片的通道进行正确切削，通常具备用来检测应切削区域的摄像机构，进行定位以使被该摄像机构所形成的基准线和切削刀片相一致。然而，安装切削刀片的旋转主轴因运转而产生的热量，由此引起热膨胀。其结果是，安装于旋转主轴上的切削刀片产生位移，偏离通道的中心。为此，实施下述调整作业，即通过在运转指定时间后，定期将切削槽定位于摄像机构的正下方，测量被摄像机构所形成的基准线和切削槽之间的偏差，来检测切削刀片的位移量，对应于该切削刀片的位移量调整切削部件也就是切削刀片的位置。在上述摄像机构的基准线和切削槽之间的偏差测量过程中，存在下面的问题。也就是说，对于由第1切削刀片所形成的第1切削槽，由于能够通过摄像机构进行摄像，因而可以测量第1切削槽和摄像机构的基准线之间的偏差，但是因为由第2切削刀片所形成的第2切削槽是沿着第1切削槽形成的，所以不能通过摄像机构来检测第2切削槽的位置，而无法测量第2切削槽和摄像机构的基准线之间的偏差。还有，作为对通过切削刀片所切削的切削槽和被上述摄像机构所形成的基准线之间的偏差进行测量的方法已提出下述技术，即在半导体晶片的背面粘贴切割带，当由切削刀片对半导体晶片进行切削时，越过半导体晶片对切割带进行切削，并由摄像机构对形成于该切割带上的切削槽进行摄像，以此测量切削槽和被摄像机构所形成的基准线之间的偏差。(例如，参见专利文献1。)专利文献1特许第3280736号公报然而，切削刀片存在下述问题，即因为其厚度较薄且不坚硬，所以如果切削半导体晶片的那种硬质材料，则有时从表面转向弯曲到背面进行切削，并且切割带上所形成的切削槽的位置和切削刀片的位置不一致。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述状况而做出的，其主要技术课题在于，提供一种，用来正确测量由第1切削刀片和第2切削刀片分段切削的第1切削槽和第2切削槽。为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种，其采用切削装置，该切削装置具备卡盘工作台，用来保持晶片；第1切削机构，具备第1切削刀片，用来对保持于该卡盘工作台上的晶片施以切削加工；第2切削机构，具备第2切削刀片，用来对通过该第1切削机构所切削的区域进一步施以切削加工；摄像机构，具备基准线，用来检测应切削的区域；当实施下述3种工序时，测量晶片上所形成的该第1切削槽和该第2切削槽的位置，上述3种工序一是通过该摄像机构对保持于卡盘工作台上的晶片应切削区域进行检测的工序，二是通过该第1切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第1切削槽的工序，三是通过该第2切削机构沿着该第1切削槽形成第2切削槽的工序，该测量方法的特征为，当测量该第1切削槽的位置时，通过该摄像机构对形成于晶片上的该第1切削槽进行摄像，来测量和基准线之间的位置关系，当测量该第2切削槽的位置时，在形成该第1切削槽之前于晶片的周边部分由该第2切削机构形成测量槽，通过该摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。专利技术效果根据本专利技术的切削槽测量方法，由于当测量第2切削槽的位置时，在形成第1切削槽之前于晶片的周边部分由该第2切削机构形成测量槽，并通过摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系，因而可以对测量槽也就是第2切削槽和基准线之间的位置关系进行正确测量。附图说明图1是使用根据本专利技术的切削槽测量方法的切削装置一个实施方式的斜视图。图2是作为被加工物的半导体晶片的斜视图。图3是表示经由切割带将图2所示的半导体晶片支承于切割框架上状态的斜视图。图4是简单表示构成图1所示的切削装置的第1主轴部件和第2主轴部件的说明图。图5是图1所示的切削装置所装备的第1摄像机构、第2摄像机构及控制机构的概略结构框图。图6是表示第1主轴部件的第1切削刀片及第2主轴部件的第2切削刀片和第1摄像机构及第2摄像机构所形成的基准线之间关系的说明图。图7是通过构成图1所示的切削装置的第1主轴部件的第1切削刀片来形成第1切削槽的工序说明图。图8是通过构成图1所示的切削装置的第1主轴部件的第1切削刀片及第2主轴部件的第2切削刀片来形成第1切削槽及第2切削槽的工序说明图。图9是表示通过第1摄像机构对由第1切削刀片所形成的第1切削槽进行摄像状态的说明图。图10是表示在半导体晶片上形成第1切削槽、第2切削槽及测量槽状态的说明图。图11是表示通过第2摄像机构对由第2切削刀片所形成的测量槽进行摄像状态的说明图。具体实施例方式下面，参照附图详细说明根据本专利技术的切削槽测量方法的最佳实施方式。图1表示出，使用本专利技术的切削槽测量方法的切削装置一个实施方式的斜视图。图示实施方式中的切削装置具备有固定底座2。在该固定底座2的侧面设置盒子装载机构3。盒子装载机构3具备盒子装载座32，设置于固定底座2的侧面，可以沿着按上下方向所设置的2根导轨31、31进行滑动；升降机构33，用来使盒子装载座32沿着导轨31、31按上下方向(用箭头Z表示的方向)进行移动。然后，在盒子装载座32的上面装载用来收存作为被加工物的半导体晶片的盒子4。收存到该盒子4中的半导体晶片10如图2所示，在表面10a上呈格子状形成有多个通道(street)101，并且在由该多个通道101所划分出的多个区域上形成有IC、LSI等的电路102。该半导体晶片10如图3所示，粘贴于环形切割框架11上所安装的切割(dicing)带12表面。这种经由切割带12支承于切割框架11上的半导体晶片10被收存到上述盒子4中。回到图1接着进行说明，图示实施方式中的切削装置具备被加工物运出运入机构5，用来将装载于上述盒子装载座32上的盒子4中所收存的加工前半导体晶片10运出，并且向盒子4运入加工后的半导体晶片10。被加工物运出运入机构5包括手柄51，用来保持半导体晶片10；手柄支承构件52，用来支承该手柄51；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切削槽的测量方法，　　　　采用切削装置，该切削装置具备：卡盘工作台，用来保持晶片；第１切削机构，具备第１切削刀片，用来对保持于该卡盘工作台上的晶片施以切削加工；第２切削机构，具备第２切削刀片，用来对通过该第１切削机构所切削的区域再实施切削加工；摄像机构，具备基准线，用来检测应切削的区域；　　　　当实施下述３种工序时，对形成于晶片上的该第１切削槽和该第２切削槽的位置进行测量，上述３种工序一是通过该摄像机构对保持于卡盘工作台上的晶片应切削区域进行检测的工序，二是通过该第１切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第１切削槽的工序，三是通过该第２切削机构沿着该第１切削槽形成第２切削槽的工序，　　　　其特征为，　　　　当测量该第１切削槽的位置时，通过该摄像机构对形成于晶片上的该第１切削槽进行摄像，来测量和基准线之间的位置关系，　　　　当测量该第２切削槽的位置时，在形成该第１切削槽之前，在晶片的外周边部分由该第２切削机构形成测量槽，通过该摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-8 002766/20041.一种切削槽的测量方法，采用切削装置，该切削装置具备卡盘工作台，用来保持晶片；第1切削机构，具备第1切削刀片，用来对保持于该卡盘工作台上的晶片施以切削加工；第2切削机构，具备第2切削刀片，用来对通过该第1切削机构所切削的区域再实施切削加工；摄像机构，具备基准线，用来检测应切削的区域；当实施下述3种工序时，对形成于晶片上的该第1切削槽和该第2切削槽的位置进行测量，上述3种工序一是通...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本直子，根岸克治，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]