【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术栅极各向异性导电连接器，其适用于对形成于晶片上的晶片状态的多个集成电路执行电气检测，装配有该各向异性导电连接器的探针元件，晶片检测仪器装配有该探针元件，和使用该探针元件的晶片检测方法，特别涉及适用于对集成电路执行电气检测的各向异性导电连接器，该集成电路形成于晶片上，其直径是，例如，8英寸或更大，其上形成的集成电路中要被检测的总的电极数目至少为5000个，该集成电路是以晶片的状态呈现的，装配有该各向异性导电连接器的探针元件，装配有该探针的晶片检测仪器，和使用该探针元件的晶片检测方法。
技术介绍
半导体集成电路装置的制造工艺中，在大量集成电路形成于由，例如硅形成的晶片上后，每个这样的集成电路通常都受到探针测试，这样其中的基本电气特性被检测，因此挑选出有缺陷的集成电路。该晶片然后被切割，由此形成半导体芯片。这样的半导体芯片被放置并密封于合适的封装壳中。每个这样封装的半导体集成电路装置进一步接受老化(burn-in)测试，这样高温环境下其中的电气特性被检测，因此挑选出具有潜在缺陷的半导体集成电路装置。在集成电路这样的电气检测中，如探针测试或老化测试，用于电连...
【技术保护点】
一种各向异性导电连接器，其包括弹性各向异性导电膜，其中多个用于连接的导电部件沿形成的所述膜的厚度方向延伸， 其中所述弹性各向异性导电膜具有这样的初始特性，假定所述用于连接的导电部件的总的数目是Ｙ，处于下述状态的用于连接的导电部件的电阻是Ｒ↓［１ｇ］：即Ｙ×１ｇ的负荷沿其厚度方向上施加到弹性各向异性导电膜上的状态，处于下述状态的用于连接的导电部件的电阻是Ｒ↓［６ｇ］：即Ｙ×６ｇ的负荷沿其厚度方向上施加到弹性各向异性导电膜上的状态，则电阻Ｒ↓［１ｇ］的值低于１Ω的所述用于连接的导电部件的数目至少为总的所述用于连接的导电部件的数目的９０％，电阻Ｒ↓［６ｇ］的值低于０．１Ω的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-8-9 232558/20021.一种各向异性导电连接器，其包括弹性各向异性导电膜，其中多个用于连接的导电部件沿形成的所述膜的厚度方向延伸，其中所述弹性各向异性导电膜具有这样的初始特性，假定所述用于连接的导电部件的总的数目是Y，处于下述状态的用于连接的导电部件的电阻是R1g即Y×1g的负荷沿其厚度方向上施加到弹性各向异性导电膜上的状态，处于下述状态的用于连接的导电部件的电阻是R6g即Y×6g的负荷沿其厚度方向上施加到弹性各向异性导电膜上的状态，则电阻R1g的值低于1Ω的所述用于连接的导电部件的数目至少为总的所述用于连接的导电部件的数目的90％，电阻R6g的值低于0.1Ω的所述用于连接的导电部件的数目至少为总的所述用于连接的导电部件的数目的95％，电阻R6g的值至少为0.5Ω的所述用于连接的导电部件的数目至多为总的所述用于连接的导电部件的数目的1％。2.一种各向异性导电连接器，其适用于对以晶片状态形成于晶片上的多个集成电路中的每个执行电气检测，其包括结构板，其中每个都在所述结构板的厚度方向延伸的多个各向异性导电膜安置孔相应于电极区域被形成，其中待检测电极被安置在所有或部分形成于所述晶片上的集成电路中，所述晶片是检测的目标，多个被安置在所述结构板中各个各向异性导电膜安置孔中的弹性各向异性导电膜，且每个都由所述各向异性导电膜安置孔周围的外围边缘支撑，其中每个所述弹性各向异性导电膜由功能部件和要被整体地支撑的部件组成，该功能部件具有多个用于连接的导电部件和将这些用于连接的导电部件彼此绝缘的绝缘部件，该用于连接的导电部件相应于作为检测目标的所述晶片上形成的所述集成电路中所述待检测电极安置，含有显示高密度的磁性的导电颗粒且在所述膜的厚度方向上延伸，该要被整体地支撑的部件形成于功能部件的外围边缘，且被固定到绕所述结构板中所述各向异性导电膜安置孔的外围边缘，并且其中所述弹性各向异性导电膜具有这样的初始特性，假定所述用于连接的导电部件的总的数目是Y，处于下述状态的...
【专利技术属性】
技术研发人员：濑高良司，直井雅也，佐藤克己，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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