本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子...

本发明提供了一种薄膜，所述薄膜为金属氧化物薄膜，且所述薄膜中含有接枝化合物，所述接枝化合物接枝在所述薄膜中的金属氧化物上形成接枝金属氧化物，所述接枝金属氧化物结构式为Y‑X2‑R‑X1，其中，Y为金属氧化物，R为烃基或烃基衍生物，X1为...

本发明公开了一种像素界定层及其制备方法、显示装置，所述像素界定层具有坝体和坝体侧面围成的界定区，所述坝体的主体材料为叠氮化环氧树脂，所述坝体侧面分为上部侧面和下部侧面，所述上部侧面接枝有疏水基团，所述下部侧面接枝有亲水基团。本发明解决了...

本发明公开了一种导电薄膜及其制备方法，其中，所述导电薄膜，包括自下而上设置的基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成。本发明解决了现有的Ag基透明导电薄膜导电性能不佳的...

本发明公开一种纳米纤维膜及其制备方法，方法包括以下步骤：提供碳量子点；采用聚多巴胺对所述碳量子点进行表面修饰，在所述碳量子点表面形成一层聚多巴胺薄膜，得到聚多巴胺薄膜包覆的碳量子点；将硝酸银与聚多巴胺薄膜包覆的碳量子点混合反应，得到复合...

本发明提供了一种氮掺杂碳量子点的制备方法，包括以下步骤：提供头发和/或毛发作为碳前驱体，在惰性环境中将所述碳前驱体进行碳化处理，得到碳源；将所述碳源与硝酸混合，经水热反应制备得到氮掺杂碳量子点。

本发明公开一种量子点复合材料及制备方法，方法包括：提供多孔矿物材料、量子点阳离子的前躯体，在惰性气体气氛中，将所述多孔矿物材料悬浮液与所述量子点阳离子的前躯体混合得混合液，再调节混合液的pH至混合液显碱性，得到量子点复合材料的前驱体；提...

本实用新型实施例提出的分立元件驱动的LED背光单元、组件、电路以及显示装置中，通过采用分立的第一LED芯片、第一电子开关管以及第二电子开关管焊接成驱动电路形成LED背光单元，对第一LED芯片进行驱动，克服了传统的集成电路芯片无法对单颗L...

本发明适用于人脸识别技术领域，提供了一种人脸图像校正方法、系统及终端设备，其中，人脸图像校正方法包括：获取原始图像；对所述原始图像进行预处理，获取所述原始图像中所有人脸的人脸位置坐标；根据所述人脸位置坐标提取人脸特征点坐标；根据所述人脸...

本发明提供了一种视频推荐方法、系统、终端及计算机可读存储介质，其中方法包括：获取用户历史观看视频的行为日志数据；根据行为日志数据构建用户‑视频评分矩阵；对用户‑视频评分矩阵进行满秩分解，得到与用户‑视频矩阵对应的左奇异向量矩阵、右奇异向...

本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置，能保证量子点墨水质量的均一性，能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同，能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的...

本发明提供了一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阳极和置换配体溶液；在所述阳极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所...

本发明公开一种QLED器件的后处理方法，包括以下步骤：提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光二极管，所述量子点发光二极管被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸...

本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；将所述量子点预制薄...

本发明公开一种ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将锌盐溶解于有机溶剂中，得到锌盐溶液；在锌盐溶液中加入碱进行反应，得到ZnO颗粒溶液；在ZnO颗粒溶液中加入阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂进行ZnO颗粒表面改性，...

本发明涉及一种发光器件及其制备方法。该发光器件的制备方法，包括如下步骤：提供柔性衬底，所述柔性衬底设置有QLED器件；利用Barix封装技术在所述QLED器件表面形成第一复合膜，所述第一复合膜由层叠设置的第一树脂薄膜和第一无机薄膜组成，...

本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种空穴传输材料、QLED器件及其制备方法。该空穴传输材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的石墨炔。该QLED器件的空穴传输层的材料含有上述空穴传输材料。通过在空穴传输层...

本发明提供了一种复合膜，包括层叠结合的富勒烯层和金属氧化物纳米颗粒层，在所述富勒烯层和所述金属氧化物纳米颗粒层的结合界面处，所述富勒烯层表面的富勒烯与所述金属氧化物纳米颗粒层表面的金属氧化物纳米颗粒通过分子桥交联结合，所述分子桥为‑NH...

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法和应用。本发明量子点发光二极管包括阳极层和阴极层以及层叠结合在所述阳极层和阴极层之间的发光功能层，其特征在于：所述发光功能层包括层叠结合的N层发光薄膜，且第1层至第N‑1层发光薄膜为量子点发光...