本发明公开了一种量子点光刻胶及其制备方法、量子点彩膜的制备方法，其中，所述量子点光刻胶，包括光刻胶基材以及掺杂在所述光刻胶基材中的量子点材料，所述量子点材料表面结合有有机配体，通过有机配体的配位作用既提高了量子点的发光强度，又可以防止量...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种涂布纸及其制备方法。该涂布纸，包括原纸，所述原纸的至少一面有涂布层，所述涂布层主要由颜料、量子点、偶联剂、胶黏剂组成。该涂布纸具有良好的印刷适性、油墨浸透性、油墨吸收性、表面平滑性、抗水性，以及易辨...

本发明公开一种复合纳米颗粒及其制备方法，通过先分别利用第一修饰剂和第二修饰剂对量子点和磁性纳米颗粒分别进行表面修饰，然后将经过第一修饰剂和第二修饰剂的量子点和磁性纳米颗粒进行混合，在一定的条件下使第一修饰剂和第二修饰剂发生脱水缩合反应，...

本发明涉及量子点技术领域，具体提供一种量子点的合成方法和应用。所述合成方法包括以下步骤：将含待交换离子的第一反应液、包含被交换离子的量子点前躯体、离子提取剂三者进行混合处理，所述离子提取剂与所述被交换离子发生化学反应，使所述量子点前躯体...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种碳量子点的制备方法。该碳量子点的制备方法，包括如下步骤：提供碳源、表面活性剂和介孔二氧化硅，所述介孔二氧化硅的孔径为1‑30nm；将所述碳源、所述表面活性剂和所述介孔二氧化硅混合进行第一研磨处理，得...

本发明公开一种量子点及制备方法，方法包括：提供量子点阳离子前躯体、有机溶剂及液态叔基硫醇；在惰性气体气氛，将所述量子点阳离子前躯体、有机溶剂及液态叔基硫醇混合并加热，反应得到量子点。本发明现有技术制备的量子点尺寸过大、存在发光峰位蓝移的...

本发明公开一种钙钛矿量子点及其制备方法，方法包括以下步骤：在惰性气氛下，将铯盐、有机膦、不良溶剂和有机胺混合均匀，得到铯前驱液；在惰性气氛下，将铅盐、有机膦、不良溶剂和有机胺混合均匀，得到铅前驱液；在惰性气氛下，将铯前驱液和铅前驱液混合...

本发明公开了一种钙钛矿量子点复合材料及其制备方法，制备方法包括：提供含石墨烯、铯盐、有机酸、良溶剂和有机胺的铯前驱液，提供含铅盐、有机酸、良溶剂和有机胺的铅前驱液；或者，提供含铯盐、有机酸、良溶剂和有机胺的铯前驱液，提供含石墨烯、铅盐、...

本发明属于显示器件领域，提供了氧化锌纳米材料及其制备方法、发光器件。本发明通过施主(镓)‑受主(氮)共掺的方法，提高p型氧化锌的受主能级，使得Ga、N共掺杂的p型氧化锌的空穴迁移率提高，减小了氧化锌的禁带宽度，抑制了自补偿效应，从而影响...

本发明涉及电子器件制造技术领域，提供一种喷墨打印喷头自动清洁装置及方法，清洁装置包括擦拭部件、收放装置、位于擦拭部件下方的支撑轴、前张紧轴及后张紧轴，以及溶剂喷射装置，前张紧轴与后张紧轴均压设于擦拭部件上，前张紧轴与后张紧轴分别位于支撑...

本发明涉及光催化技术领域，具体提供一种Z型光催化剂及其制备方法和应用。所述Z型光催化剂为复合材料，包括C3N4、包覆于所述C3N4表面的碳层以及包覆于所述碳层表面的CdS量子点层。所述制备方法包括：在C3N4的悬浊液中进行碳源的包覆处理...

本发明公开一种光催化剂及其制备方法与应用，其中，方法包括以下步骤：将氧化石墨烯溶液和钛酸锶前驱体混合得到混合溶液，向混合溶液中加入Cd前驱体并加热，在加热过程中逐渐加入S前驱体，得到钛酸锶、石墨烯与CdS复合的三元复合光催化剂。本发明采...

本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，方法包括步骤：提供纳米金属氧化物溶液；向所述纳米金属氧化物溶液中加入有机杂环化合物，得到改性的纳米金属氧化物溶液；将所述改性的纳米金属氧化物溶液制成薄膜，得到改性纳米金属氧化物薄膜。本发明通...

本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子...

本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子...

本发明公开一种薄膜与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种主体高分子材料，所述主体高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子点与高分子材...

本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子...

本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件，其中，所述封装薄膜包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1‑4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。本发明将第一有机薄膜和第二...

本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件，其中，所述封装薄膜包括层叠设置的陶瓷膜以及盖板玻璃，所述盖板玻璃由玻璃组成，至少在所述陶瓷膜与所述盖板玻璃界面处的陶瓷膜表面掺杂有所述玻璃。所述盖板玻璃通过熔融处理后，部分玻璃熔体掺杂到陶瓷...

本发明公开了一种QLED器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在阴极上制备量子点发光层；通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层，所述第一界面层为金属氧化物层或有机聚合物层；在第一界面层上制备阳极，得到QLED器件。本发明通过雾...