本发明提供了一种复合量子点，所述复合量子点为卤化物阴离子修饰剂修饰的量子点，包括量子点颗粒，以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子修饰剂，所述卤化物阴离子修饰剂为[AMXm+n+1]

本发明提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，然后经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS2纳米片/C的二元复合材料和金源...

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种电极和QLED器件。所述电极含有电极材料和磁性材料；其中，所述电极材料为阳极材料或阴极材料。本发明的电极中的磁性材料可以调节载流子迁移率，当电极材料为阳极时，磁性材料可调节空穴迁移率，当电极材料为阴...

本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均为纳米氧化镍薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述纳米氧化镍薄膜中的纳米氧化镍的粒径逐层增加，其中，所述N的取值范围满足：3≤N≤9。

本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均为纳米氧化锌薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述纳米氧化锌薄膜中的纳米氧化锌的粒径逐层增加，其中，所述N的取值范围满足：3≤N≤9。

本发明属于显示器件领域，提供了一种复合材料及其制备方法、应用。本发明提供的PMMA包覆BiOI的复合材料，结合了两种材料的特性，从而能够调节电子和空穴的平衡：一方面核BiOI具有较窄的带隙的特点，能最大限度地吸收可见光，电子从价带跃迁到...

本发明提供了一种复合纳米颗粒，所述复合纳米颗粒包含相互结合的金属氧化物纳米颗粒和金属纳米颗粒，其中，所述金属氧化物纳米颗粒表面结合有卤化物阴离子，所述金属纳米颗粒表面结合有电正性表面修饰剂，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述金属纳米颗粒通过...

本发明提供了一种复合金属氧化物纳米颗粒，包括金属氧化物纳米颗粒，结合在所述金属氧化物纳米颗粒表面的卤化物阴离子，以及与所述卤化物阴离子结合的电正性表面修饰剂。所述复合金属氧化物纳米颗粒用作量子点发光器件的空穴传输层时，能够改善与其接触的...

本发明公开一种QLED器件，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由量子点发光层和复合功能层层叠形成；所述复合功能层包括聚合物和分散于所述聚合物中的钛酸盐纳米棒；其中，所述钛酸盐纳米棒相对于阳极和/或阴极所在平面垂直排列。

本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，且所述N层薄膜为含有掺杂金属离子的纳米氧化锌薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述掺杂金属离子的掺杂浓度逐层升高，其中，所述掺杂金属离子的离子半径为Zn

本发明提供了一种电子传输薄膜，所述电子传输薄膜由含有至少一种掺杂金属离子的纳米氧化锌组成，所述掺杂金属离子的纳米氧化锌为表面富集所述金属离子的纳米氧化锌。本发明提供的电子传输薄膜，能够显著提高氧化锌纳米颗粒的稳定性，从而可以避免氧化锌纳...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料和QLED器件。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层含有空穴功能材料和磁性材料；其中，所述空穴功能材料为空穴注...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料和QLED器件。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子功能层，所述电子功能层含有电子功能材料和磁性材料；其中，所述电子功能材料为电子注...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种QLED器件及其制备方法。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层、阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴调节层，所述空穴调节层含有磁性材料。本发明的QLED器件，在阳极和量子点发光...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和电池器件。一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面结合有硫醇配体，所述量子点表面还结合有阳离子，且所述阳离子可与所述硫醇配体结合。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阳离...

本发明提供了一种空穴传输材料，所述空穴传输材料为含有至少一种掺杂金属离子的纳米氧化镍材料，其中，所述掺杂金属离子的价态不为正二价，且所述掺杂金属离子的离子半径为Ni

本发明属于显示器件领域，提供了一种显示器件及其制备方法。本发明提供的显示器件在量子点发光层和阴极之间引入了由内核为BiOI，壳层为PMMA的复合材料组成的修饰层，一方面BiOI具有较窄的带隙(～1.8eV)的特点，能最大限度地吸收可见光...

本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种生成超分辨率图像的方法及装置。该方法包括：将原始图像样本以及超分辨率图像样本输入预先构建的第二深度神经网络以获得原始图像样本的质量特征和超分辨率图像样本的质量特征；根据原始图像样本的质量特征和超分...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种温度传感器。所述温度传感器设置在LED芯片上，所述温度传感器包括层叠设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和阴极之间的量子点薄膜，所述阳极或所述阴极与所述LED芯片相邻，所述量子点薄膜由表面连接有硫醇...

本发明公开一种量子点及其制备方法，方法包括步骤：提供ZnSe量子点溶液；向所述ZnSe量子点溶液中加入Cd的前驱体，使所述Cd的前驱体与所述ZnSe量子点中的Zn元素之间发生阳离子交换反应，得到CdxZn1‑xSe合金量子点，其中，0