本发明提供了一种复合量子点，所述复合量子点为卤化物阴离子修饰的量子点，包括量子点颗粒，以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子。本发明提供的复合量子点，包括量子点颗粒，以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子。所述复合量子点，具有电...

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用，方法包括步骤：在已形成的具有窄能带隙的M

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用。在本发明的方法中，可以对采用传统合金化方法所已经形成的合金量子点（即M

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用，方法包括步骤：首先形成常规的化合物量子点核，然后在含所述化合物量子点核的反应体系中加入待合金化的金属元素M

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用，本发明先将具有较小离子半径的M

本发明提供了一种量子点固态膜，所述量子点固态膜中的量子点为卤化物阴离子和卤素离子共钝化的量子点，其中，所述卤化物阴离子修饰在所述量子点表面，所述卤素离子与卤化物阴离子修饰的量子点结合。所述卤化物阴离子对量子点进行修饰后，能够有效较少表面...

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用。本发明方法中，合金化的组分分布不仅可以像常规方法一样通过变化阳离子和阴离子的投料比例来调节，而且还可以通过实际反应过程的各反应条件参数来进行更实时、更直接、更精确的调节，从而可以实现对于合金化量子...

本发明属于显示器件领域，提供了一种核壳结构量子点及其制备方法。本发明通过将镉锌前体溶液、硒硫前体混合液、锌前体溶液以及硫前体溶液的混合溶液在惰性氛围进行混合反应，快速合成了CdxZn1‑xSeyS1‑y/ZnS核壳结构量子点溶液，并经过...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体...

本发明提供一种喷墨打印喷头自动清洁装置及方法，清洁装置包括擦拭布、收放装置、位于擦拭布下方的支撑轴、前张紧轴及后张紧轴，以及溶剂喷射装置，前张紧轴与后张紧轴均压设于擦拭布上，前张紧轴与后张紧轴分别位于支撑轴的两侧，溶剂喷射装置包括溶剂储...

本发明属于控制技术领域，尤其涉及音量调节的方法及装置，通过在终端设备开机时，启动终端设备内的引导程序，并通过引导程序加载已预先添加进引导程序所在的本件内的声卡驱动程序以及中断处理程序，使用中断处理程序判断是否接收到音量按键的操作指令，若...

本发明公开一种金属氧化物及其制备方法与QLED器件，方法包括步骤：提供初始金属氧化物；将所述初始金属氧化物分散于有机溶剂中，并加入有机酸，使所述初始金属氧化物与有机酸进行配位反应，制备得到表面结合有有机酸的金属氧化物；将所述表面结合有有...

本发明公开一种量子点固态膜及其制备方法，方法包括步骤：提供初始的量子点固态膜；将所述初始的量子点固态膜浸泡在无机盐溶液中进行配体交换反应，退火得到经配体交换的量子点固态膜；将金属胺配合物溶液涂布在所述经配体交换的量子点固态膜上，退火得到...

本发明公开了一种基底及其制备方法、发光器件和显示屏，其在，方法包括步骤：提供六方氮化硼，并对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；提供有机配体，所述有机配体带有胺基及活性基团，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；...

本发明提供了一种载流子传输材料，所述载流子传输材料为复合纳米材料，且所述复合纳米材料为富勒烯掺杂的纳米SnO2。本发明提供的载流子传输材料，以纳米SnO2为主体材料，且在所述纳米SnO2中掺杂有富勒烯。所述纳米SnO2具有很低的价带能够...

本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件,其中，所述封装薄膜，包括层叠设置的陶瓷膜和复合薄膜。本发明采用溅射与离子注入相结合的方法，通过注入高能的惰性气体离子可以将溅射在陶瓷膜表面的有机材料和无机材料一同注入到陶瓷膜内部，形成有机无...

本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，方法包括以下步骤：在第一电极上制备第一绝缘层；通过溶液法在所述第一绝缘层上制备凹凸结构的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上制备发光器件，得到场效应晶体管。本发明通过溶液法制备凹凸结构的第二绝缘层，该凹...

本发明涉及发光器件技术领域，具体提供一种电致发光器件及其制造方法、显示装置。所述电致发光器件包括层叠设置在阴极表面上的电子传输层，所述电子传输层由Zn1‑xMgxO晶体材料组成，其中，0＜x＜1。其制造方法包括：在阴极的表面采用物理气相...

本发明提供了一种CuMO2的制备方法，包括以下步骤：提供二价铜盐溶液，在惰性气氛下，在所述二价铜盐溶液中加入还原剂，所述二价铜盐中的铜离子在还原剂的作用下生成亚铜离子，得到亚铜离子溶液；提供M盐水溶液，所述M选自Ga、In、Cr、Al中...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和QLED器件。所述电子传输材料为金属离子掺杂的氧化锌，所述金属离子为同一种金属元素的不同价态的两种或三种金属离子，且所述金属离子的最低价态为正二价。该电子传输材料利用高低价...