专利查询
首页
专利评估
登录
注册
TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
一种QLED器件制造技术
本发明提供一种QLED器件,所述QLED器件包括发光层,其在,所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成,n为1‑3,其中,所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0,所述蓝光量子点材料导带...
一种QLED器件制造技术
本发明公开了一种QLED器件,所述QLED器件包括发光层,其中,所述发光层为量子点与HLCT材料组成的复合发光层。本发明中HLCT材料是可以将三线态激子转化为单线态激子,通过荧光共振能量传递将能量传递给量子点增强量子点的发光,而且在较高...
一种QLED器件的制备方法技术
本发明公开了一种QLED器件的制备方法,包括步骤:提供第一基底,所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起,在所述第一基底上沉积第一电极,在所述第一电极上沉积第一量子点发光层,得到第一结构;提供第二基底,所述第二基底的上表面具有与第一基...
发光材料及其制备方法和QLED器件技术
本发明属于量子点技术领域,尤其涉及一种发光材料及其制备方法和QLED器件。所述发光材料包括量子点和包覆在所述量子点表面的绝缘层,所述绝缘层由绝缘材料组成。将包覆绝缘层的量子点作为发光材料,一方面通过绝缘材料对量子点的直接包覆,可减少量子...
一种纳米材料及其制备方法、光电器件技术
本发明公开一种纳米材料及其制备方法、光电器件,其中,所述纳米材料包括球形碳以及镶嵌在球形碳表面的MoS2纳米片。通过多糖模板表面丰富的羟基和糖苷键对MoS2纳米晶进行包裹,从而限制了MoS2纳米晶在c方向的生长趋势,制得超薄MoS2纳米...
发光材料及其制备方法和QLED器件技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种发光材料及其制备方法和QLED器件。所述发光材料为半导体量子点,所述半导体量子点表面结合有碳量子点。本发明中的发光材料选用碳量子点与半导体量子点复合得到的碳量子点‑半导体量子点复合物作为量子点发光层...
载流子传输材料及其制备方法和QLED器件技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种载流子传输材料及其制备方法和QLED器件。所述载流子传输材料包括经烷氧基硅烷偶联剂修饰的金属氧化物半导体纳米晶,结构通式为:H2NRSi(OM)3,其中,M为所述金属氧化物半导体纳米晶,R为所述烷氧...
一种基底及其制备方法、发光器件技术
本发明公开了一种基底及其制备方法、发光器件,其在,方法包括步骤:提供六方氮化硼,对六方氮化硼进行醇化处理,得到羟基化的六方氮化硼;提供有机配体,所述有机配体带有胺基及用于与所述羟基化的六方氮化硼的羟基反应的功能基团,通过所述有机配体对羟...
一种薄膜的制备方法与QLED器件技术
本发明公开一种薄膜的制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将锌盐溶液与碱混合,进行反应,得到ZnO纳米颗粒;将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中,再加入碱,进行水解反应,形成前驱体溶液;将所述前驱体溶液沉积成膜,并进行退火反应,得到...
QLED器件及其制备方法技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种QLED器件及其制备方法。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极,所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有碳量子点缓冲层,所述碳量子点缓冲层由表面氨基化的碳量子点组成。该碳量子点缓冲层本...
空穴传输材料及其制备方法和应用技术
本发明涉及空穴传输材料技术领域,具体提供一种空穴传输材料及其制备方法和应用。所述空穴传输材料由石墨炔和掺杂于所述石墨炔中的碱金属组成。其制备方法包括以下步骤:将石墨炔和碱金属前躯体进行混料处理,制备得到石墨炔‑碱金属前躯体;在惰性气氛下...
一种钙钛矿量子点复合材料及其制备方法技术
本发明公开一种钙钛矿量子点复合材料及其制备方法,方法包括:提供含氧化石墨烯、铯盐、有机膦、不良溶剂和有机胺的铯前驱液;提供含铅盐、有机膦、不良溶剂和有机胺的铅前驱液;在惰性气氛下,将铯前驱液和铅前驱液混合,使混合前驱液中溶出的铯离子、铅...
一种封装薄膜及其制备方法、光电器件技术
本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件,其中,所述封装薄膜包括层叠设置的由化学式为XaNd的氮化物组成的第一陶瓷膜以及由化学式为YbOe的金属氧化物组成的第二陶瓷膜,在所述第一陶瓷膜与第二陶瓷膜之间的界面处有化学式为XaYbOc的...
一种QLED器件及其制备方法技术
本发明公开一种QLED器件及其制备方法,所述QLED器件包括阴极和阳极及设置在所述阴极和阳极之间的电子传输层和量子点发光层,所述电子传输层为Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列,所述Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列相对于阴极表面垂直排列;所述量子点发光层材...
导电薄膜及其制备方法和应用技术
本发明涉及导电薄膜材料技术领域,具体提供一种导电薄膜及其制备方法和应用。所述导电薄膜,包括银纳米线层、以及自所述银纳米线层一表面向外层叠的聚乙烯亚胺层、石墨烯层。本发明导电薄膜表面的粗糙度小于或等于23nm,可见光透过率超过85%,表面...
三维人脸贴图方法及终端设备技术
本发明适用于计算机技术领域,提供了一种三维人脸贴图方法及终端设备。该方法包括:获取人脸三维网格和人脸二维图像;建立第一网格点与所述人脸二维图像的映射关系;所述第一网格点为所述人脸三维网格中与所述人脸二维图像存在对应关系的网格点;根据所述...
人脸三维重建方法及终端设备技术
本发明适用于计算机技术领域,提供了一种人脸三维重建方法及终端设备。该方法包括:获取人脸三维点云;建立所述人脸三维点云与二维深度图像的映射关系,根据所述二维深度图像对所述人脸三维点云进行信息补充;所述二维深度图像中各像素点的像素信息与所述...
用户数据的统计方法及装置制造方法及图纸
本发明属于数据分析技术领域,尤其涉及用户数据的统计方法及装置,通过接收用户输入的控制指令,从控制指令中提取出关键词,并将预设单位时间内的所有关键词写入一个日志文件;基于所述日志文件内各个所述关键词的出现次数,生成日志统计文件;基于多个所...
一种应用程序启动方法、装置及终端设备制造方法及图纸
本发明适用于数据处理技术领域,提供了一种应用程序启动方法、装置及终端设备,包括:接收应用程序的启动指令;判断数据库中是否包含与应用程序关联的历史应用界面标识;若数据库中包含与应用程序关联的历史应用界面标识,则将历史应用界面标识对应的应用...
一种信息显示的方法及其终端技术
本发明适用于信息处理技术领域,提供了一种信息显示的方法及其终端,包括:接收待推送的信息,并根据信息的信息类型确定用于显示信息的显示控件;获取操作统计文件;基于操作统计文件,将显示控件集成于第一应用程序中;若监测到第一应用程序于前台运行,...
首页
<<
38
39
40
41
42
43
44
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
同济大学
28613
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
思齐乐私人有限公司
12
索尼互动娱乐股份有限公司
758
青庭智能科技苏州有限公司
14