一种QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种QLED器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在阴极上制备量子点发光层；通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层，所述第一界面层为金属氧化物层或有机聚合物层；在第一界面层上制备阳极，得到QLED器件。本发明专利技术通过雾化的溶液方法在量子点发光层和阳极之间制备一层第一界面层，以阻止通过溶液法制备空穴传输层或空穴注入层时对发光层造成的影响，同时钝化量子点发光层表面的缺陷态，提高了器件的效率。

A QLED device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件及其制备方法
本专利技术涉及QLED器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管（QLED）具有半高峰宽窄、颜色可调和可溶液法制备等优异的特点，使其成为了下一代显示科技的有力竞争者。研究者从不同的角度来研究QLED，其中包括对QD、HTL、ETL和电极的研究；还有对器件的结构、性能和稳定性的研究。研究者所研究的QLED器件大多都是底发射的正型QLED器件结构，而反型QLED器件结构是真正适合屏幕应用需要的QLED结构。因为，反型QLED结构具有可以与n-沟道型的TFT晶体管背板直接连接的优势。在近几年研究中，研究者也获得了具备高亮度、高效率和低开启电压器件性能的反型QLED器件。目前，反型器件结构主要为ITO/ETL/QD/HTL/HIL/Al的结构，其中HTL常用的沉积材料为TFB、PVK、TCTA、poly-TPD、CBP和mCP等材料。然而可以溶解HTL沉积材料大多都是氯苯、甲苯或者二氯苯等溶剂，这些溶剂也同样可以溶解QD层。所以在使用全溶液的方法制备反型QLED结构时，在沉积HTL时避免不了将会对QD层造成影响，甚至可以将QD层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在阴极上制备量子点发光层；通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层，所述第一界面层为金属氧化物层或有机聚合物层；在第一界面层上制备阳极，得到QLED器件。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在阴极上制备量子点发光层；通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层，所述第一界面层为金属氧化物层或有机聚合物层；在第一界面层上制备阳极，得到QLED器件。2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在第一界面层上制备阳极的步骤之前，还包括：在第一界面层上制备空穴功能层，所述空穴功能层位于第一界面层与阳极之间。3.根据权利要求1-2任一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层的步骤包括：配制第一界面层材料溶液，所述第一界面层材料溶液为金属的盐溶液或有机聚合物溶液；对第一界面层材料溶液进行雾化处理；向量子点发光层上喷射经雾化处理的第一界面层材料溶液；加热喷射出的经雾化处理的第一界面层材料溶液，使第一界面层材料溶液中的溶剂挥发，并在量子点发光层上制备得到第一界面层。4.根据权利要求3所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面层材料溶液选自AlCl3溶液、PVP溶液、PMMA溶液、PVC溶液和PEI溶液中的一种；和/或所述第一界面层材料溶液中，第一界面层材料的浓度为5-60mg/mL；和/或加热喷射出的经雾化处理的第一界面层材料溶液的步骤中，所述加热的温度为80-300℃；和/或加热喷射出的经雾化处理的第一界面层材料溶液的步骤中，所述加热的方式为红外加热或微波加热。5.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一界面层的厚度为2-20nm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，曹蔚然，李龙基，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44