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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
一种复合膜及其制备方法与应用技术
本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用,方法包括步骤:提供富勒醇,将所述富勒醇与硅烷偶联剂混合后脱水,得到硅烷偶联剂修饰的富勒烯;提供零维宽带隙纳米颗粒溶液;提供基板,将零维宽带隙纳米颗粒溶液沉积在所述基板上,形成第一薄膜;在所述第一薄...
复合膜及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种复合膜,包括层叠结合的富勒醇层和金属纳米颗粒层,所述富勒醇层与所述金属纳米颗粒层接触的表面为硅烷偶联剂修饰的富勒烯,在所述富勒醇层和所述金属纳米颗粒层的结合界面处,所述富勒醇层表面的硅烷偶联剂修饰富勒烯与所述金属纳米颗粒...
一种复合膜及其制备方法与应用技术
本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用,所述复合膜包括:第一薄膜,所述第一薄膜的材料包括近红外量子点;层叠形成在所述第一薄膜表面的第二薄膜,所述第二薄膜的材料为经硅烷偶联剂修饰的富勒烯,所述硅烷偶联剂由YSiX3表示,其中X为烷氧基,Y...
复合膜及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种复合膜,包括依次层叠设置的第一富勒烯层、金属氧化物层、第二富勒烯层、量子点层和第三富勒烯层,第一富勒烯层、所述第二富勒烯层、第三富勒烯层的材料均为富勒烯,金属氧化物层的材料为金属氧化物纳米颗粒,量子点层的材料为量子点,且...
一种封装薄膜及其制备方法、光电器件技术
本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件,其中,所述封装薄膜包括层叠设置的陶瓷膜以及散热膜,所述散热膜由碳化物组成,在所述陶瓷膜与所述散热膜界面处的陶瓷膜表面掺杂有碳离子。本发明通过在陶瓷膜表面注入碳离子,能有效缓解由碳化物组成的散...
一种量子点照明模组制造技术
本发明公开一种量子点照明模组,包括量子点膜片,所述量子点膜片的材料包括量子点和分散所述量子点的基质,其中,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、G...
表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法技术
本发明公开一种表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法。所述表面配体为说明书式I所示的化合物:其中,n为大于或等于1的整数;当n=1时,R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配...
还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法技术
本发明属于光电材料技术领域,具体涉及一种还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法。该还原氧化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:提供氧化石墨烯;将所述氧化石墨烯溶于富氢水中,在碱性环境下进行第一加热处理,得还原氧化石墨烯溶液。该制...
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法技术
本发明属于量子点技术领域,尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法,以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤:提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液,所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体,所述置换配体的结构...
一种复合材料薄膜的制备方法与QLED器件技术
本发明公开一种复合材料薄膜的制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中,得到复合材料溶液;将复合材料溶液制成薄膜,得到所述复合材料薄膜。本发明氨基酸改性的氧化石墨烯与PEDOT:P...
电子传输材料及其制备方法、发光二极管技术
本发明属于光电材料技术领域,具体涉及一种电子传输材料及其制备方法、发光二极管。该电子传输材料的制备方法包括如下步骤:提供锌盐和氧化石墨烯,将所述锌盐与所述氧化石墨烯溶于碱液中,进行加热处理,得还原氧化石墨烯/ZnO复合材料溶液;提供多巴...
正型QLED器件及其制备方法技术
本发明提供了一种正型QLED器件的制备方法,包括以下步骤:提供阳极和置换配体溶液;在所述阳极上沉积量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换,将所...
纳米复合材料及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种纳米复合材料,包括交联结合的纳米线、富勒烯和量子点,所述纳米复合材料具有如下化学结构单元A@(NH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑NH)n2@B、A@(SH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑SH)n2@B、...
封装胶和封装结构制造技术
本发明公开了一种封装胶和封装结构。所述封装胶包括胶粘剂组分,还包括散热纳米粒子和中空微球,所述散热纳米粒子和中空微球是分散在所述胶粘剂组分内。所述封装结构包括电子元件和用于封装所述电子元件的封装层所述封装层包括固化后的本发明封装胶。本发...
导电薄膜及其制备方法技术
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种导电薄膜及其制备方法。该导电薄膜,包括层叠设置的第一金属氧化物层、二硫醇层、Ag金属层和第二金属氧化物层;其中,所述第一金属氧化物层由第一金属氧化物组成,所述二硫醇层由二硫醇化合物组成,所述第二金属氧...
复合纳米颗粒及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种复合纳米颗粒,包括交联结合的金纳米颗粒和富勒烯,所述复合纳米颗粒的具有如下化学结构单元:M@(NH‑R‑SiO3)nCm或M@(SH‑R‑SiO3)nCm,其中@表示交联结合,M为金纳米颗粒,Cm为富勒烯,R为烃基或烃基...
语义分析方法及终端设备技术
本发明适用于人工智能技术领域,提供了一种语义分析方法及终端设备,其中,所述方法包括:获取待处理自然语言语句;提取待处理自然语言语句中的命名实体,确定所述命名实体对应的统一标识符;将待处理自然语言语句中的所述命名实体替换为所述统一标识符;...
一种量子点背光模组制造技术
本发明公开一种量子点背光模组,包括量子点膜片,所述量子点膜片的材料包括量子点和分散所述量子点的基质,其中,所述量子点包括量子点核、包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、G...
一种量子点彩色滤光片制造技术
本发明公开一种量子点彩色滤光片,所述量子点彩色滤光片中的像素区域排布有多个子像素滤光层,至少一个子像素滤光层的材料包括量子点和分散所述量子点的基质,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述...
一种量子点表面配体覆盖率的测定方法技术
本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。通过电位滴定法测定量子点表面含巯基或氮的有机配体的配体的覆盖率Ki,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
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