TCL集团股份有限公司专利技术

TCL集团股份有限公司共有3757项专利

  • 本发明提出量子点表面配体含量的测定方法及量子点墨水的配制方法。采用本发明量子点墨水的配制方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率...
  • 本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用,方法包括步骤:将所述富勒醇与硅烷偶联剂混合后脱水,得到硅烷偶联剂修饰的富勒烯;配制硅烷偶联剂修饰的富勒烯的碱性溶液;将所述硅烷偶联剂修饰的富勒烯的碱性溶液沉积在所述基板上,形成第一薄膜;在所述第一...
  • 本发明提供了一种纳米复合材料,包括交联结合的金属氧化物纳米颗粒和碳纳米管,所述纳米复合材料具有如下化学结构单元:M@(NH‑R‑SiO3)nCm或M@(SH‑R‑SiO3)nCm,其中,@表示交联结合,M为金属氧化物纳米颗粒,Cm为碳纳...
  • 本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的...
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的...
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。通过氧化还原法测定量子点表面含巯基的有机配体的覆盖率Ki,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明提出颗粒表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的均...
  • 本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的...
  • 本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置,能保证量子点墨水质量的均一性,能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的...
  • 本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10
  • 本发明公开了一种纳米纤维及其制备方法。本发明纳米纤维包括无机氧化物纤维纳米管和填充在所述无机氧化物纤维纳米管中的量子点。本发明的无机氧化物纤维纳米管保证了量子点的化学稳定性和发光性能。本发明纳米纤维制备方法条件易控,制备的芯壳结构纤维的...
  • 本发明公开一种量子点及其制备方法,其中,所述量子点包括量子点核,包覆量子点核的第一金属层,包覆第一金属层的第一半导体壳层,包覆所述第一半导体壳层的第二金属层,包覆第二金属层的第二半导体壳层;其中,所述第一金属层中的金属元素和第二金属层中...
  • 本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用,所述复合膜包括第一薄膜,所述第一薄膜的材料包括量子点;层叠形成在所述第一薄膜一表面的第二薄膜,所述第二薄膜的材料为钛酸酯偶联剂修饰的富勒烯,所述钛酸酯联剂由(ROO)4‑nTi(OX‑R’‑Y)n...
  • 本发明公开一种量子点及其制备方法,其中,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。所述金属层能够以量子点核表面的配体作为连接...
  • 本发明公开一种量子点复合材料及其制备方法,所述量子点复合材料包括量子点核,包覆所述量子点核的间隔层,包覆所述间隔层的金属层,其中所述间隔层的材料选自无机物或聚合物。本发明所提供的量子点复合材料,以量子点为核,量子点核外围包覆间隔层和金属...
  • 本发明公开一种量子点薄膜及其制备方法和应用,其中,所述量子点薄膜包括介质以及分散在所述介质中的量子点,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和...