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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
量子点复合颗粒及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种量子点复合颗粒,所述量子点复合颗粒包括二氧化硅包覆量子点,以及结合在所述二氧化硅包覆量子点表面的金属纳米颗粒,其中,所述二氧化硅包覆量子点包括量子点以及包覆在所述量子点表面的二氧化硅层,且所述金属纳米颗粒与所述二氧化硅层...
无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种无机纳米材料印刷油墨,所述无机纳米材料印刷油墨中的溶剂为有机溶剂,所述无机纳米材料印刷油墨包括至少一种无机纳米材料和至少一种含氟酮类有机溶剂,所述含氟酮类有机溶剂的结构如结构通式Ⅲ所示:(R
无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种无机纳米材料印刷油墨,所述无机纳米材料印刷油墨中的溶剂为有机溶剂,所述无机纳米材料印刷油墨包括至少一种无机纳米材料和至少一种含氟醚类有机溶剂,所述含氟醚类有机溶剂的结构如结构通式Ⅳ所示:(R
无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种无机纳米材料印刷油墨,所述无机纳米材料印刷油墨中的溶剂为有机溶剂,所述无机纳米材料印刷油墨包括至少一种无机纳米材料和至少一种含氟酯类有机溶剂,且所述含氟酯类有机溶剂的结构如结构通式Ⅱ所示:(R
无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种无机纳米材料印刷油墨,所述无机纳米材料印刷油墨中的溶剂为有机溶剂,所述无机纳米材料印刷油墨包括至少一种无机纳米材料和至少一种含氟芳烃类有机溶剂,所述含氟芳烃类有机溶剂的结构如结构通式Ⅴ所示:(R
无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种无机纳米材料印刷油墨,所述无机纳米材料印刷油墨中的溶剂为有机溶剂,所述无机纳米材料印刷油墨包括至少一种无机纳米材料和至少一种含氟烷烃类有机溶剂,所述含氟烷烃类有机溶剂的结构如结构通式Ⅵ所示:(R
玻璃及其制备方法、碳量子点复合材料技术
本发明涉及一种玻璃及其制备方法、碳量子点复合材料。玻璃的制备方法包括:提供碳量子点复合材料和玻璃基质材料粉末,所述碳量子点复合材料选自CDs‑CaF2复合材料、CDs‑SiO2复合材料和CDs‑CaF2‑SiO2复合材料中的任意一种;将...
一种印章及其制备方法与量子点转印方法技术
本发明公开一种印章及其制备方法与量子点转印方法,方法包括步骤:提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体,所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起;将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌...
分立元件驱动的LED封装组件及显示装置制造方法及图纸
本实用新型实施例提出的分立元件驱动的LED封装组件及显示装置中,通过对封装基板的第二预设区域的LED驱动模块采用第一封装胶体进行封装,并在封装基板的第一预设区域形成反射面,然后在反射面内形成对LED模块进行封装的第二封装胶体,其中,第二...
一种聚合物材料及其制备方法和应用技术
本发明公开一种聚合物材料及其制备方法和应用,其中,所述制备方法包括:提供颗粒,所述颗粒包括量子点和包覆于所述量子点表面的水氧阻隔材料;采用烷氧基硅烷偶联剂对所述颗粒表面进行表面修饰,得到表面烷氧基硅烷偶联剂修饰的颗粒,其中烷氧基硅烷偶联...
量子点转印方法技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点转印方法。该量子点转印方法包括如下步骤:提供形状记忆聚合物印章的初始印章,所述初始印章设有初始凸型图案,将所述初始印章进行变形处理,使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案,得到形变...
一种文本摘要生成方法、智能终端及存储介质技术
本发明公开了一种文本摘要生成方法、智能终端及存储介质,所述方法包括:获取待生成摘要的输入信息,并将所述输入信息转换为数字向量数据;通过编码器将数字向量数据输入到双向循环神经网络进行运算,输出句子到选择门网络生成新的门状态序列;通过注意力...
一种广告显示的控制方法、装置及智能终端制造方法及图纸
本发明适用于智能终端技术领域,提供了一种广告显示的控制方法、装置及智能终端。该方法包括:若检测到用户发出的控制智能终端显示界面广告显示的指令时,获取用户所选择的控制广告显示的类型;根据所选择的类型,控制所述智能终端显示界面广告的显示。本...
一种像素界定层及制备方法与应用技术
本发明公开一种像素界定层及制备方法与应用,方法包括:提供原始的亲水像素界定层;在所述像素界定层的坝体的侧面上部分制备SiO2薄膜;对所述SiO2薄膜进行处理使其形成SiO2‑OH;将硅烷偶联剂溶液添加至经处理的SiO2薄膜表面,使硅烷偶...
一种薄膜及其制备方法与QLED器件技术
本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二介质与第二金属形成的渐变层;沿所述渐变层的厚度方向,第二介质的质量浓度由高到低。本发明具有如下好处:(1)第二金属表面的自由电子与发光层发射...
一种QLED器件及其制备方法技术
本发明公开一种QLED器件及其制备方法,包括阳极、量子点发光层及阴极,所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间,其中,所述量子点发光层和所述阴极之间包括薄膜;所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成;沿所述薄膜的厚度方向,所述N型半导...
薄膜及其制备方法与QLED器件技术
本发明公开薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层;自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上,所述第二介质的质量浓度由低到高。本发明所述薄膜...
一种薄膜及其制备方法与应用技术
本发明公开一种薄膜及其制备方法与应用,所述薄膜由介质和纳米金属颗粒构成,沿所述薄膜厚度方向,所述介质的质量浓度由低到高。本发明沿所述薄膜的厚度方向,介质和纳米金属颗粒的质量浓度均逐渐变化,形成了具有渐变结构的薄膜。其可以增加介质和纳米金...
一种QLED器件制造技术
本发明公开一种QLED器件,包括阳极、量子点发光层及阴极,所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间,其中,所述阳极与所述量子点发光层之间包括由P型半导体和纳米金属颗粒构成的第一薄膜;沿所述第一薄膜的厚度方向,所述P型半导体的质量浓度...
一种薄膜及其制备方法与应用技术
本发明公开一种薄膜及其制备方法与应用,所述薄膜由介质和纳米金属颗粒构成,沿所述薄膜的厚度方向,所述纳米金属颗粒的尺寸逐渐增大。本发明提供了一种具有渐变结构的薄膜,沿所述薄膜的厚度方向,所述纳米金属颗粒的尺寸逐渐增大,这样可以获得较为宽广...
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