量子点转印方法技术

本发明专利技术属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。该量子点转印方法包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。本发明专利技术可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上的孔洞、裂纹缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点转印方法
本专利技术属于量子点
，具体涉及一种量子点转印方法。
技术介绍
量子点具有发光颜色易调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，其被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷、简便，且成膜质量好的溶液加工方式，然而旋涂法一般只能用于制备单色发光器件，而且使用旋涂法制备的量子点薄膜经常会存在在孔洞、裂纹之类的缺陷。转印是一种制造全彩量子点发光器件的有效方法，在转印过程中可以利用动力学控制来调控弹性体印章与量子点薄膜间的粘附力，实现将量子点薄膜从供体基底到目标基底的转移。转印前，首先需要将量子点旋涂到供体基底上形成量子点薄膜，然后再通过印章将量子点薄膜转印到目标基底上。在转印过程中由于需要对印章加载压力，以增加印章与量子点薄膜之间的粘附力，因此，通常转印后的薄膜在垂直方向量子点紧密，然而在薄膜平面上由于旋涂法产生的孔洞、裂纹之类的缺陷仍然存在。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点转印方法，旨在解决现有转印方法得到的量子点膜层表面存在孔洞、裂纹之类的缺陷的技术问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供一种量子点转印方法，包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。形状记忆聚合物(ShapeMemoryPolymers，简称SMP)又称为形状记忆高分子，是指具有初始形状的制品在一定的条件下改变其初始条件并固定后，通过外界条件(如热、电、光、化学感应等)的刺激又可恢复其初始形状的高分子材料。本专利技术提供的量子点转印方法中，利用含有形状记忆聚合物的材料制备的印章，经过一定条件处理(根据形状记忆聚合物的特性进行)可形成两种不同形态的印章：初始印章和形变印章，在本专利技术中，将供体基底上的量子点初始薄膜提取转印到形变印章上后，利用形状记忆聚合物的固有特性，使形变印章恢复到初始态的初始印章，这个恢复过程(即形变凸型图案的面积缩小形成初始凸型图案)可使印面上的量子点薄膜材料也受到平面方向作用力而面积变小，形成更致密的结构，如此再把致密的量子点薄膜材料转印于目标基底上形成致密的量子点图案化膜层。这样的转印方法可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上孔洞、裂纹等缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术量子点转印方法中的初始印章形成图；图2为本专利技术量子点转印方法中的形变印章形成图；图3为本专利技术量子点转印方法中的形变印章的表面处理图；图4为本专利技术量子点转印方法的转印流程图；其中，a)为设置在供体基底表面的量子点初始薄膜的示意图；b)为形变印章提取量子点初始薄膜材料示意图；c)为提取量子点初始薄膜材料后的形变印章恢复为初始印章的示意图；d)量子点图案化膜层转印于目标基底上的示意图；其中，图中各附图标记为：11：初始印章；111：初始凸型图案；12：形变印章；121：形变凸型图案；21：量子点初始薄膜；22：量子点图案化膜层；3：供体基底；4：抗粘膜；5：目标基底；6：掩膜板；7：第一模具；71：第一凹型模底；8：第二模具；81：第二凹型模底。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，当元件被称为“设置在”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。本专利技术实施例提供了一种量子点薄膜的转印方法，包括如下步骤：S01：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；S02：提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；S03：将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。本专利技术实施例提供的量子点转印方法，采用含有形状记忆聚合物的材料制备的印章，这样的印章经过一定条件处理可形成两种不同形态的印章：初始印章和形变印章，在本专利技术实施例中，将供体基底上的量子点初始薄膜材料提取转印到形变印章上(即使初始薄膜材料先吸附到形变印章的形变凸型图案的印面上)后，利用形状记忆聚合物的固有特性，使形变印章恢复到初始态的初始印章，这个恢复过程可使形变印章印面上的膜层收缩：即形变凸型图案的印面面积缩小恢复形成初始凸型图案，印面上的量子点薄膜材料也受到平面方向作用力而面积变小，形成更致密的结构，如此再把致密的量子点薄膜材料转印于目标基底上形成致密的量子点图案化膜层；优选的，为使形成均匀的图案化膜层，使形变凸型图案的印面面积均匀缩小恢复形成初始凸型图案。这样的转印方法可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上孔洞、裂纹等缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。形状记忆聚合物是指有初始形状的制品在一定的条件下改变其初始条件并固定后，通过外界条件(如热、电、光、化学感应等)的刺激又可恢复其初始形状的高分子材料，根据其恢复原理可分为：热致型SMP、电致型SMP、光致型SMP、化学感应型SMP等。在本专利技术实施例中，含有各种类型的形状记忆聚合物的原料制成的形状记忆聚合物印章都可以实现本专利技术的目的，都在本专利技术的保护范围内；而一优选实施例中，形状记忆聚合物为热致型形状记忆聚合物，且其玻璃化温度Tg为25-150℃。通常量子点不能加热到150℃以上，因此该玻璃化温度Tg范围内最佳转印效果最佳。而优选地，热致型形状记忆聚合物包括环氧树脂和/或聚氨酯等材料。进一步地，在一种具体的实施方式中，如图1和图2所示，上述步骤S01中，初始印章的制备过程为：将制备原料混合加热溶解后，倒入第一模具7中冷却形成初始印章11；所述第一模具7内有形成所述初始凸型图案111的第一凹型模底71。形变印章的制备过程为：将该初始印章11取出放入第二模具8中，加热至温度大于所述热致型形状记忆聚合物的Tg、并均匀施压得形变印章12；其中，第二模具8内有形成形变凸型图案121的第二凹型模底81。即初始凸型图案111和第一凹型模底71完全吻合，形变凸型图案121和第二凹型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。

【技术特征摘要】
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。2.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，在将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触之前，还包括对所述形变凸型图案的印面边缘进行等离子体处理的步骤。3.如权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述等离子体包括O2等离子体、N2等离子体、Ar2等离子体中的至少一种；和/或所述等离子体处理的形变凸型图案的印面边缘面积占所述形变凸型图案的印面面积的5-10％；和/或所述等离子体处理的时间为10-30min。4.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述量子点初始薄膜和所述供体基底之间还设置有一层抗粘膜。5.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张滔，向超宇，李乐，辛征航，张东华，邓天旸，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44