一种CdSe量子点的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl

Method for preparing CdSe quantum dots

The invention discloses a method for preparing CdSe quantum dots. The cathode electrolyte by 0.023~0.211 mol/L CdCl

【技术实现步骤摘要】
一种CdSe量子点的制备方法
本专利技术涉及一种CdSe量子点的制备方法。
技术介绍
CdSe是直接跃迁宽带隙II～IV化合物N型半导体，常温下呈灰棕色或红色，与其它的化合物半导体材料相比，由于CdSe材料具有直接跃迁能隙（Eg=1.7eV）宽，良好的可见光响应以及非线性光学特性优异等，因而具有独特的光学特性和光电转换特性。近年来的研究表明，CdSe量子点材料带隙可调，制备过程简单，量子产率高，稳定性(核壳结构)良好，其发光范围几乎可以覆盖整个可见光区，在太阳能电池应用方面具有很大潜在价值。目前，制备CdSe量子点的方法有模板法、溶胶-凝胶法、水热法和胶体化学合成法、电化学沉积法等。其中，模板法制备对条件要求苛刻，产物形貌难以控制；溶胶凝胶法使用的溶剂大多为有机溶剂，对环境污染较大；而水热法需要在密封环境中进行，产物形貌不易控制；胶体化学合成法在制备过程中生成产物不能很好地吸附在基底表面，造成产物脱落；电化学合成法是一种比较成熟的制备方法，产物直接沉积到电极上,结合紧密,价格低廉,相对化学合成有其独特的优势，通过调节工艺参数能有效控制样品晶体形貌与薄膜厚度。阴极还原法是在现有的电化学合成工艺基础上进行了改进。即在阴极还原法中，利用阳离子交换膜将电解槽分隔成阴极室和阳极室，参与反应的H+通过阳离子交换膜进入阴极室，这一过程可减缓反应速率，达到对反应的可控。本专利技术采用阴极还原法制备CdSe量子点工艺尚少见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阴极还原法制备CdSe量子点的方法。本专利技术具体步骤为：在电解槽的阴极槽加入由0.023~0.211mol/LCdCl2、0.023~0.211mol/LH2SeO3、0~0.016mol/LNa2H2Y与0.012~0.134mmol/L十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）混合而成的阴极电解液，在阳极槽加入由0.075~0.448mol/LNaCl与0.533mol/LHCl混合而成的阳极液，两槽被阳离子交换膜隔开;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2V的电压，电解5~25分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即在ITO上获得CdSe量子点，其光电压达到0.0767～0.4112V。本专利技术与其他相关技术相比，阴极还原法制备CdSe量子点最显著的特点是利用阳离子交换膜将电解槽分隔成阴极槽和阳极槽。反应过程中，Cd2+被Na2H2Y络合，形成带负电荷的[CdY]2-，而阳离子交换膜具有选择性透过H+，将[CdY]2-留在阴极槽，避免了阳极Pt片表面被大量Cd的络合物覆盖，提高电荷的传输速率。当阳极槽的H+透过阳离子交换膜进入阴极槽时，会立即参与反应，防止H2SeO3与H+在电压的作用下生成单质Se，增加了样品的纯度，进而提高样品CdSe量子点薄膜的光电性能。通过改变反应过程中的电压大小、沉积时间、溶液温度和溶液反应物浓度等制备工艺参数，可在ITO基底表面获得稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。此方法的沉积过程在室温下就可以进行，生产周期短，操作简单、安全，产物的组成、结晶状况、薄膜厚度及其它性质也可方便调控。具体实施方式实施例1：在电解槽的阴极槽加入0.117mol/LCdCl2、0.117mol/LH2SeO3、0.012mol/LNa2H2Y与0.012mmol/LCTAB的混合溶液，在阳极槽加入0.168mol/LNaCl与0.533mol/LHCl的混合溶液。两槽间被阳离子交换膜隔开。于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加2.0V的电压，电解20分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即获得CdSe/ITO工作电极。测试其光电压达到0.2869V。实施例2：在电解槽的阴极槽加入0.023mol/LCdCl2、0.023mol/LH2SeO3、0.004mol/LNa2H2Y与0.134mmol/LCTAB的混合溶液，在阳极槽加入0.168mol/LNaCl与0.533mol/LHCl的混合溶液。两槽间被阳离子交换膜隔开。于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加2.8V的电压，电解10分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即获得CdSe/ITO工作电极。测试其光电压达到0.2029V。实施例3：在电解槽的阴极槽加入0.07mol/LCdCl2、0.07mol/LH2SeO3、0.008mol/LNa2H2Y与0.073mmol/LCTAB的混合溶液，在阳极槽加入0.216mol/LNaCl与0.533mol/LHCl的混合溶液。两槽间被阳离子交换膜隔开。于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加2.4V的电压，电解15分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即获得CdSe/ITO工作电极。测试其光电压达到0.4112V。实施例4：在电解槽的阴极槽加入0.023mol/LCdCl2、0.211mol/LH2SeO3、0.016mol/LNa2H2Y与0.043mmol/LCTAB的混合溶液，在阳极槽加入0.075mol/LNaCl与0.533mol/LHCl的混合溶液。两槽间被阳离子交换膜隔开。于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6V的电压，电解5分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即获得CdSe/ITO工作电极。测试其光电压达到0.0767V。实施例5：在电解槽的阴极槽加入0.211mol/LCdCl2、0.023mol/LH2SeO3、0.00mol/LNa2H2Y与0.103mmol/LCTAB的混合溶液，在阳极槽加入0.448mol/LNaCl与0.533mol/LHCl的混合溶液。两槽间被阳离子交换膜隔开。于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加3.2V的电压，电解25分钟，取出ITO，用去离子水冲洗，自然晾干，即获得CdSe/ITO工作电极。测试其光电压达到0.2193V。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CdSe量子点的制备方法，其特征在于具体步骤为：在电解槽的阴极槽加入由0.023~0.211 mol/L CdCl

【技术特征摘要】
1.一种CdSe量子点的制备方法，其特征在于具体步骤为：在电解槽的阴极槽加入由0.023~0.211mol/LCdCl2、0.023~0.211mol/LH2SeO3、0~0.016mol/LNa2H2Y与0.012~0.134mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成的阴极电解液，在阳极槽加入由0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：江瑶瑶，钟福新，高云鹏，黎燕，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45