本发明适用于通信技术领域，提供了一种终端设备交互方法、装置和终端设备。该方法包括：采集用户的语音信息；将所述语音信息转换为文字信息；确定所述文字信息所属的类别；根据所述文字信息所属的类别确定是否执行与所述文字信息对应的指令。本发明通过采...

本发明提供一种电话互拨占线的处理方法及系统，涉及通信技术领域。该方法包括：接收呼叫终端发送的呼叫请求，根据呼叫请求判断被叫终端是否正在通话中；若被叫终端正在通话中，则判断呼叫终端与被叫终端是否互拨；若呼叫终端与被叫终端互拨，则根据呼叫终...

本发明公开一种颗粒及其制备方法，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体，所述表面配体的分子结构为P1‑P2‑P3，其中所述P1为与量子点表面原子进行配位结合的配位基团，所述P2为具有共轭体系的有机基团，所述P3为给电子有机基...

本发明公开一种颗粒及其制备方法，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体，所述表面配体的分子结构为P1‑P2‑P3，其中所述P1为与量子点表面原子进行配位结合的配位基团，所述P2为具有苯环共轭体系的有机基团，所述P3为给电子有...

本发明公开一种颗粒及其制备方法，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体。本发明通过具有共轭体系的有机基团P2形成离域的共轭电子云，再通过给电子有机基团P3将离域的共轭电子云体系向配位基团P1推移，从而大大增强了配位基团P1上...

本发明公开一种颗粒及其制备方法，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体，所述表面配体为具有如下结构的物质：

本发明公开一种颗粒及其制备方法，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体，所述表面配体为具有如下结构的物质：

本发明适用于通信技术领域，提供了一种通信控制的方法、装置和穿戴设备。该方法包括：在监听到通过所述语音输入装置输入的语音信息时，判断所述语音信息的长度是否大于预设长度；若所述长度大于预设长度，则将所述语音信息发送至服务器进行语音解析，获得...

本发明公开了一种资源共享方法、智能终端及存储介质，所述方法包括：获取资源共享平台中所有用户的亲密度关系，根据所述亲密度关系为每个用户生成树形资源共享图；检测用户发布的资源信息，通过所述用户对应的树形资源共享图进行资源的配置；当检测所述资...

本发明适用于存储器技术领域，提供了一种数据写入操作的监控方法及其终端，包括：获取目标存储器的已擦写次数；基于已擦写次数获取目标存储器的监控触发条件；若当前时刻满足监控触发条件，则获取各个向目标存储器发起写入操作的进程对应的写入数据特征参...

本发明公开了一种用于制备TFT的墨水及其制备方法和TFT的制备方法。本发明用于制备TFT的墨水包括如下重量份的组分：有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂、水。本发明TFT的制备方法包括的步骤有：将本发明用于制备TFT的墨水...

本发明公开了一种金属氧化物及其制备方法和应用，所述制备方法包括步骤：将A盐和B盐加入醇溶液M中，搅拌至固体溶解，向上述溶液中加入碱溶液，得到混合溶液，使混合溶液发生反应，并生成沉淀物；将上述含沉淀物的溶液搅拌均匀，并进行水热处理，反应得...

本发明公开了一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件，所述金属氧化物的化学式为A(1‑x)MxBO3；其中，A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种，且B为金属元素Ti、Zr和Sn中一种或多种，M代表外层电子结构为(n‑1)d

本发明公开氧化物薄膜的制备方法与QLED器件，其中所述钙钛矿型氧化物薄膜是ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO3成膜后在含有还原性气体的气氛中经退火处理形成的。本发明将ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO...

本发明提供了一种封装薄膜，所述封装薄膜交替层叠设置在基体上的无机薄膜和有机薄膜，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，且至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。本发明提供的封装薄膜，无机薄膜与有机薄膜交替设置，对至少一...

本发明公开一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件，所述氧化物薄膜由氧化物组成，所述氧化物的化学通式为ABx1C(1‑x1)O3，A为二价态的金属元素、B为三价态的金属元素、C为四价态的金属元素，其中，0.05

本发明公开了一种复合金属氧化物及其制备方法、应用，所述制备方法包括步骤：按摩尔份计，将1份A盐溶液与x份B盐溶液混合，得到混合液；加热使A盐和B盐发生氧化还原反应，即得到复合金属氧化物；其中1

本发明公开一种像素界定层及制备方法，方法包括：提供原始的像素界定层，所述像素界定层具有用于界定发光单元的凹槽；提供具有凸台的模具，所述模具的凸台与所述像素界定层的凹槽吻合；所述凸台水平分为上部分和下部分，所述上部分的外径大于下部分的外径...

本发明公开了一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件，所述制备方法包括步骤：将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐与第二金属盐反应得到薄膜；其中...

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种碳量子点的制备方法。该碳量子点的制备方法包括如下步骤：提供糖类碳源和铵盐；将包括所述糖类碳源和所述铵盐的混合物料，在反应环境温度≥120℃、密闭的条件下进行固相反应。本发明提供的碳量子点的制备方法未...