台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有17109项专利

  • 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法,适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜,使该金属薄膜具有较佳的均匀性,并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块,提高电容元件或是其他设...
  • 一种物理气相沉积设备及其电极及其沉积环。该沉积环具有一沉积环本体、一沟槽以及一凸状结构。沉积环本体呈平板环状,并具有一第一表面。沟槽以及凸状结构均呈环状,形成于第一表面之上,凸状结构邻接沟槽,并靠近该沉积环本体的外侧。沟槽具有一第一侧壁...
  • 本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法,首先,激发一气体混合物,以产生具有复数个离子的电浆,且引导电浆至一半导体晶圆上的密集区域中。接着,以额外的热源加热半导体晶圆。最后,于半导体晶圆上沉积电...
  • 一种侦测制程机台使用的消耗性材料厚板寿命的系统及方法。提供消耗性材料厚板,其具有至少一指示器。操作制程机台时,通过连接于该指示器的侦测器产生的信号数值判定其是否等于警示设定数值、介于警示设定数值和警报设定数值间、等于警报设定数值或超出警...
  • 本发明提供一种可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料,包括至少一侦测器,用以对于该可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料,可降低物理气相沉积靶材的消耗成本,制造成本...
  • 本发明是有关于一种增强氟硅玻璃层稳定性的方法,其是在基材上提供氟硅玻璃层,并利用例如氢化磷(Phosphine;PH↓[3])的含磷且含碳气体处理。此含磷且含氢气体形成反应性氢物质以及反应性磷物质其中反应性氢物质来移除氟原子团,而反应性...
  • 一种新颖及改进的废水处理系统,适用于处理CMP制程的废水与BG废水及/或BW废水。一收集第一废水的第一暂存槽,一收集第二废水的第二暂存槽,一收集槽,一析出第一、第二废水中粒子的反应槽,以及至少一沉淀所述第一、第二废水中粒子的沉降槽,其中...
  • 本发明提供一种处理铜化学机械研磨废水的方法和装置。其方法为:以既定量的铜化学机械研磨废水来稀释一混凝剂,将稀释的混凝剂和大量的铜化学机械研磨废水分别导入一反应槽内,使废水和混凝剂产生凝集反应。接着,将上述步骤所得的凝集液导入一慢混沉淀槽...
  • 一种新颖及改进的废水处理系统,适用于处理CMP制程的废水与BG废水及/或BW废水。一暂存槽接收来自CMP制程的废水,一暂存槽接收来自BG制程的废水,一暂存槽接收来自BW的废水,另一收集槽接收来自CMP(chemical  mechani...
  • 一种形成MEMS器件的方法,包括提供包含基底材料(210)以及形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200),在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层(250),在介电层上形成保护层(252),在保护层...
  • 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统,例如反射式隐藏镜面的制造方法,包括下列步骤:形成I型镜面结构;形成间隙壁层于I型镜面结构上;以及图案化间隙壁层,以沿着I型镜面结构的一侧形成至少...
  • 本发明揭示一种镜面制程,其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接,并改善镜面结构的曲率,其步骤包含:在一基底上的第一牺牲层之上,图形化一镜面结构;毯覆性地沉积一钨保护层,以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面;形成第二牺牲层于上述钨...
  • 本发明提供一种形成微机电结构的方法及用于制作微机电结构的模具,特别涉及一种形成微机电结构的方法,包括:提供一基板;形成一第一图案化牺牲层于部分的该基板上,该第一图案化牺牲层包括一主体部与一突出部;形成一第二图案化牺牲层于该第一图案化牺牲...
  • 本发明公开了一种自动化物料传输系统及方法,包括:一高架式传输次系统(Over Head Transportation,OHT),用来传送、接收及放置至少一物料;至少一工作站,用来接收、传送该物料至一预定位置;一输送带;以及至少一升降装置...
  • 一种晶圆载入埠的搬运装置,用以沿着一高架传输系统传送一晶圆承载装置,其特征在于所述晶圆载入埠的搬运装置包括:    一晶圆载入埠;    一轨道,包括一水平组件以及一垂直组件,其中该垂直组件包括一顶部,连接于该水平组件,位于该高架传输系...
  • 一种制造系统,其包括复数机台群组及一配送系统。其中上述复数机台群组包含复数制程机台,其可以处理在制品。其中上述配送系统是设置于上述制程机台之间,用以配送上述在制品,其包括复数机台群组内配送次系统、至少一机台群组间配送次系统、复数缓冲仓储...
  • 本发明是关于一种包装方法与系统、执行整体设计服务的方法。该包装系统包括输入端口、包装装置及控制器。该输入端口接收一第一晶圆批次及一第二晶圆批次,其分别包含第一数量的晶粒及第二数量的晶粒。该包装装置是用以将该第一晶圆批次的晶粒载入该载具上...
  • 本发明提供一种喷墨头的喷墨单元及其制造方法、喷墨组件及喷墨系统。该喷墨头的喷墨单元整合一墨水通道晶圆至CMOS晶圆,CMOS晶圆具有加热元件形成于其中。一具有喷嘴开口的喷嘴薄膜形成在CMOS晶圆的背部,以允许二维方向的墨水从CMOS晶圆...
  • 本发明是关于一种裁切气体管路的方法与装置。一种裁切气体管路的方法,包含选择一气体管路,并夹钳或滚压此气体管路,以形成一颈形区间于气体管路上,接着切割颈形区间,以裁切气体管路。颈形区间可为一封闭区间或为一半封闭区间,并借由颈形区间阻隔气体...
  • 一种化学机械研磨机台,包括一研磨台,以一方向旋转;一研磨垫,设于研磨台上;一调节器,置于研磨垫上,用以刮平研磨垫的表面;一分送管,置于研磨垫上方,其包括分送管柄与分送管面两部分,且在分送管面上具有多个孔洞,每个孔洞的尺寸大小比研浆的颗粒...