一种改善薄氧化层均一性的炉管装置，包括：　　　　一反应腔体，为提供一氧化反应的空间，以形成一薄氧化层于半导体硅晶圆上；　　　　一第一导管，连接该反应腔体，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；　　　　一第一氮气导管，连接该第一导管以供应一...

本发明提供一种化学组成及方法，是一种用于铜电镀的电解液及将金属电镀至电镀表面的方法，本发明的化学成分组成包含有一抑制添加剂，该抑制添加剂为一共聚物，并包含有不同比例的环氧乙烷与环氧丙烷的单体分子，可以用来改善电镀浴溶液在电镀表面上的湿润...

本发明涉及一种铜电镀的电解液，该电解液中的组合物是有机混合物，包括有机酸，及低分子量非离子聚合物。该电解液的使用方法包括在电解质溶液内悬浮一层此组合物；以及将待电镀表面通过此组合物悬浮层以确定一湿润层于待电镀表面上。然后，被电镀至待电镀...

本发明涉及电镀液与其电镀方法，涉及将铜或其他金属电镀至半导体基板的电镀液以及电镀方法，特别涉及该电镀液的含氮整平剂。本发明提供一种电镀方法，其包括：ａ）提供一电镀液，包括一金属离子，一酸性电解液以及一浓度介于５．０到１０．０ｍｇ／Ｌ的含...

本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被...

一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比（ＥｔｃｈｉｎｇＳｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸（ＰｈｏｓｐｈｏｒｉｃＡｃｉｄ；Ｈ＃－［３］ＰＯ＃－［４］）与可溶性硅（Ｓｉ）化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生...

本发明提供一种气体供应装置，包括：一第一气体来源，提供惰性载气且连接于一第一管线；一第二气体来源，提供无水反应气体且连接于一第二管线；一第三气体来源，提供具有化学成份的气体且连接于一第三管线；一主管线，连接于该第一管线、第二管线及第三管...

本发明提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一块状材料；形成多个贯穿孔于该块状材料中；以及分割该块状材料以成为多个分离的构件，每个构件包括一个上述贯穿孔，其中每个构件形成该指示器的围封物，该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或...

一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：（ａ）使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；（ｂ）将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；（ｃ）使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成...

本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容元件的制程中。利用小于２７０℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设...

一种物理气相沉积设备及其电极及其沉积环。该沉积环具有一沉积环本体、一沟槽以及一凸状结构。沉积环本体呈平板环状，并具有一第一表面。沟槽以及凸状结构均呈环状，形成于第一表面之上，凸状结构邻接沟槽，并靠近该沉积环本体的外侧。沟槽具有一第一侧壁...

本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法，首先，激发一气体混合物，以产生具有复数个离子的电浆，且引导电浆至一半导体晶圆上的密集区域中。接着，以额外的热源加热半导体晶圆。最后，于半导体晶圆上沉积电...

一种侦测制程机台使用的消耗性材料厚板寿命的系统及方法。提供消耗性材料厚板，其具有至少一指示器。操作制程机台时，通过连接于该指示器的侦测器产生的信号数值判定其是否等于警示设定数值、介于警示设定数值和警报设定数值间、等于警报设定数值或超出警...

本发明提供一种可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，包括至少一侦测器，用以对于该可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，可降低物理气相沉积靶材的消耗成本，制造成本...

本发明是有关于一种增强氟硅玻璃层稳定性的方法，其是在基材上提供氟硅玻璃层，并利用例如氢化磷（Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ；ＰＨ↓［３］）的含磷且含碳气体处理。此含磷且含氢气体形成反应性氢物质以及反应性磷物质其中反应性氢物质来移除氟原子团，而反应性...

一种新颖及改进的废水处理系统，适用于处理ＣＭＰ制程的废水与ＢＧ废水及／或ＢＷ废水。一收集第一废水的第一暂存槽，一收集第二废水的第二暂存槽，一收集槽，一析出第一、第二废水中粒子的反应槽，以及至少一沉淀所述第一、第二废水中粒子的沉降槽，其中...

本发明提供一种处理铜化学机械研磨废水的方法和装置。其方法为：以既定量的铜化学机械研磨废水来稀释一混凝剂，将稀释的混凝剂和大量的铜化学机械研磨废水分别导入一反应槽内，使废水和混凝剂产生凝集反应。接着，将上述步骤所得的凝集液导入一慢混沉淀槽...

一种新颖及改进的废水处理系统，适用于处理ＣＭＰ制程的废水与ＢＧ废水及／或ＢＷ废水。一暂存槽接收来自ＣＭＰ制程的废水，一暂存槽接收来自ＢＧ制程的废水，一暂存槽接收来自ＢＷ的废水，另一收集槽接收来自ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｍｅｃｈａｎｉ...

一种形成ＭＥＭＳ器件的方法，包括提供包含基底材料（２１０）以及形成在基底材料的第一侧（２１２）上的至少一层导电层（２２０）的底层结构（２００），在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层（２５０），在介电层上形成保护层（２５２），在保护层...

本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成Ｉ型镜面结构；形成间隙壁层于Ｉ型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着Ｉ型镜面结构的一侧形成至少...