本发明公开一种基板处理装置。本发明的基板处理装置，仅在必须使用基板托架的工序中利用基板托架，因此，提高了基板处理工艺的效率。此外，由于同时处理多个基板，所以能够提高基板处理工艺的生产率。此外，能够最大限度地活用用于冷却基板的冷却部的空间...

本发明公开一种等离子体处理装置。本发明的一实施例的等离子体处理装置（1）包括：反应室单元（100），具有相互独立配置的第一室（110）和第二室（120），将基板投入该反应室单元进行等离子体处理；以及等离子体电极单元（120），具有弯折的...

本发明公开一种多晶硅层的制造方法。本发明的一实施例涉及的多晶硅层（22）的制造方法，其特征为，使非晶硅层（20）和金属混合层（30）接触之后，对非晶硅层（20）进行晶化热处理，从而制造多晶硅层（22）。根据本发明，能够提供导入少量金属催...

本发明公开一种多晶硅形成装置。本发明涉及的装置，对基板上形成的非晶硅进行热处理而形成多晶硅，其特征在于，包括：预热部（200），用于预热非晶硅；以及热处理部（300），对在预热部（200）预热的非晶硅进行结晶化热处理。

本发明公开蒸镀气体供给装置，该蒸镀气体供给装置在用于制造半导体元件或平板显示器的薄膜蒸镀工序时，在每个蒸镀工序能够供给均匀量的蒸镀气体。本发明的蒸镀气体供给装置(100)，包括：蒸镀物质储藏部(200)，用于储藏蒸镀物质；蒸镀物质蒸发部...

本发明公开了一种利用金属催化剂制备多晶硅掩膜的方法及利用它制造半导体元件的方法。本发明涉及的利用金属催化剂制备多晶硅掩膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：准备基板(10)的步骤；在基板(10)上形成具有规定图案的非晶硅层(30)的步骤；...

公开了一种在线热处理装置，为了进行热处理而向腔室装载及卸载基板的驱动辊的旋转轴上设置加热器，能够对基板进行均匀的热处理，并提高腔室内部空间的利用率。本发明涉及的在线热处理装置，能够对基板进行连续的热处理，其特征在于，包括：腔室(110)...

一种采用化学气相沉积法进行薄膜蒸镀时将源物质进行气化并供给蒸镀室的源气体供给装置。该源气体供给装置（２００）包括：源气体生成部（２１０），加热源物质而生成源气体；源气体凝结部（２４０），使在源气体生成部生成的源气体流入并被凝结；在此，使...

本发明公开了一种能够同时对多个基板进行热处理且各基板通过与所述各基板相对应的多个加热器被加热的批处理式热处理装置以及适用于该批处理式热处理装置的加热器。根据本发明的批处理式热处理装置包括：对多个基板（１０）提供热处理空间的腔室（１００）...

本发明公开了电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置。本发明的等离子体发生源电极（３６０），产生基板处理用的电感耦合型等离子体（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ），具备：...

公开了一种能够同时处理多个基板的批处理式基板处理装置，在腔室内部相对置地配置用于供给或排出基板处理时气氛气体形成用的气体供给管和气体排出管，并且能够向被装载到腔室中的基板均匀地供给基板处理气体。本发明涉及的能够同时对多个基板进行基板处理...

一种半导体制造设备包括：反应腔，用来提供密封的工艺空间；舟，用来向所述反应腔加载或从所述反应腔卸载一对半导体基底，其中，所述舟包括衬托器和由多个支撑辊可转动地支撑的转动盘，每个半导体基底分别被安装在每个衬托器上，而每个衬托器则分别被安装...

本发明公开了一种支架载置台，在基板处理系统中该支架载置台排列玻璃基板以及／或者支架的位置，以便玻璃基板能够以排列并安装在支架上的状态被加载到基板装载盘上。根据本发明的支架载置台（１００）用于装载并收纳支架（１４０）以及与该支架（１４０）...

本发明公开了一种多晶硅层的制造方法，该方法能够用于诸如ＳＲＡＭ等半导体器件的制造中。所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成所述半导体器件中所包含的晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；通过选择性去除所述绝缘层来形成接触孔，...

本发明提供一种舟形构件，在批式热处理装置中，在搭载并支持了基 板的舟形构件上形成支持基板的长边侧的第一及第二支持道，防止在热处 理进行过程中基板因自身载荷而变形。本发明所涉及的舟形构件是在批式 热处理装置中、在提供用于执行热处理工序的空...

本发明提供为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属或金属化合物吸附于非晶质硅薄膜上的装置及吸附方法。本发明的金属吸附装置（１０）包含：供给含有金属的源气体的源气体供给部（１１）；供给辅助气体的辅助气体供给部（１２）；通过源气体与辅助...

本发明提供在制造用于ＬＣＤ等平板显示器中的ＴＦＴ用的多晶硅薄膜时用于使非晶硅薄膜结晶化的热处理系统。本发明的热处理系统（１０）的特征在于，其包括：对基板（３７）实施热处理的基板热处理部（２０）；以比基板热处理部（２０）中的最大冷却速度更...

本发明提供一种用于分批式反应室的加热装置，其中包括多个加热器的加热器群沿着反应室的周边重复布置，每个加热器具有温度控制部件、施压线、一对第一及第二加热单元，所述成对的第一和第二加热单元彼此分隔并用作反应室的加热体；其中每对第一及第二加热...

一种闪速ＥＥＰＲＯＭ单元，包括：　　　　衬底，其上形成有用于使单元绝缘的场氧化层；　　　　浮栅介质层，其形成于相邻的场氧化层之间，所述浮栅介质层包括在形成于所述衬底上的源和漏之间并联连接的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的厚度大于...

本发明提供一种在将由保存在源物质蒸发部中的源物质蒸发出的源气体提供给蒸镀室执行薄膜蒸镀的化学气相蒸镀工序中，测量源物质蒸发部中剩余的源物质量的方法。本发明的方法的特征在于，包括（ａ）将源物质蒸发部（１１０）内的气体压力维持在第１压力的阶...