一种半导体存储器件包括：位线，其在第一方向上延伸；有源图案，其位于位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于第一垂直部分与第二垂直部分之间的水...

提供化合物，其具有在蓝色波长区域内的发射光谱的峰值波长、高的色纯度，实现高的发光效率和长的寿命。提供包括包含所述化合物的发射层的有机电致发光(EL)器件。所述化合物由式(1)表示，其中R<supgt;1</supgt;、R&...

一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：基板，所述基板包括元件隔离层；位线，所述位线在所述基板上沿第一方向延伸；单元缓冲绝缘层，所述单元缓冲绝缘层在所述位线与所述基板之间，并且包括上单元缓冲绝缘层和下单元缓冲绝缘层；下存储接触，所述...

一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其与有源图案重叠；分离绝缘层，其在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极通过分离绝缘层插置在其间...

公开了一种存储系统、一种存储系统的操作方法和一种计算系统。该存储系统包括：存储装置；诊断电路，其生成测试图案，将测试图案发送到存储装置，从存储装置接收与测试图案对应的结果数据，并且通过将测试图案与结果数据进行比较来测试存储装置是否正常操...

一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一半导体图案，所述第一半导体图案位于所述有源图案上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案；以及栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方...

一种半导体封装可以包括：重分布层结构；半导体结构，在重分布层结构上；印刷电路板，在重分布层结构上并绕半导体结构的侧表面延伸；模制材料，重分布层结构上绕半导体结构延伸；以及硅中介层，在印刷电路板和模制材料上。

一种等离子体处理装置包括被配置为容纳电极的喷头以及位于喷头上的可变阻抗控制器。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的圆周布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。可变阻抗控制器被配置为：随着第一构件和第二...

提供一种方法和设备，其中，用户设备(UE)被配置为具有由不连续发送(DTX)/不连续接收(DRX)周期性、DTX/DRX起始时隙或偏移以及DTX/DRX活动时段定义的小区DTX/DRX配置。在UE处启用或禁用小区DTX/DRX配置。

公开了包括保护区域的存储装置及其数据写入方法。一种响应于主机装置的请求而将数据写入存储装置的重放保护存储器块(RPMB)区域中的方法包括：从主机装置接收包括消息认证码、数据和位图索引的写入请求，以及基于消息认证码和位图索引来验证写入请求...

本公开涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上，并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；...

提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底；衬底上的沟道区；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区和第二源极/漏极区电连接至沟道区；栅电极，其在第一方向上延伸并且位于沟道区上；导电线，其在与第一方向相交的第二...

一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案，所述沟道图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述多个半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述多个半导...

一种半导体存储器装置，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，其在第一表面上并包括第一下栅电极和第一下有源接触件；上有源区，其在下有源区上并包括第一上栅电极和与第一下有源接触件的至少一部分竖直地重叠的第一上有源接触件；...

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区，其中，边界设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间；器件隔离层，在所述衬底上位于所述第一有源区与所述第二有源区之间的沟槽中；第一沟道图案和第一源极/漏极图案，位...

公开蓝色发光化合物和有机发光器件。所述蓝色发光化合物包括含氮芳族杂环骨架和键合至所述含氮芳族杂环骨架的至少两个芳族取代基，其中所述含氮芳族杂环骨架包括四个各自具有3‑20个碳原子的支化或环状烷基作为取代基，并且所述含氮芳族杂环骨架和所述...

提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件包括：在基板上的上晶体管结构，上晶体管结构包括在第一水平方向上彼此间隔开的一对上源极/漏极区和在所述一对上源极/漏极区之间的上栅电极；在基板和上晶体管结构之间的下晶体管结构，下晶体管结构包括...

一种半导体存储器件，包括：衬底，包括有源图案；栅极结构，与有源图案交叉；位线结构，在衬底上；第一接触部，其中，位线结构和第一接触部彼此交替地布置；绝缘图案，分别设置在位线结构上，其中，绝缘图案之中的绝缘图案设置在第一沟槽中，第一沟槽暴露...

提供了一种具有提高的可靠性的半导体存储器装置和一种电子系统。半导体存储器装置包括：单元衬底；模制堆叠件，其包括交替地堆叠在单元衬底上的模制绝缘层和栅电极；半导体层，其在与单元衬底的上表面相交的竖直方向上延伸，以穿过模制堆叠件；阻挡绝缘图...

根据所公开的发明的一个方面的热泵系统可以包括：压缩机，压缩制冷剂；水热交换器，在该水热交换器中，压缩的制冷剂与进水进行热交换；膨胀阀，膨胀在水热交换器中冷凝的制冷剂；室外热交换器，在该室外热交换器中，在由膨胀阀膨胀的制冷剂与室外空气之间...