专利查询
首页
专利评估
登录
注册
三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
用于在双工模式下在多个时隙上传输的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于在双工模式下在多个时隙上传输的装置和方法。一种方法包括:接收第一时隙、第二时隙、以及在包括来自第一时隙和第二时隙的时隙的第一数量的时隙上传输信道的信息,第一时隙包括与子带(SB...
化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备制造技术
提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中,各基团的定义如说明书中所描述...
用于管理分组报头字段的物理层和方法技术
一种用于管理物理(PHY)层中的分组报头字段的方法,其包括:由PHY层的报头描述符阵列(HDA)接收数据分组和所述数据分组的状态信号;由所述HDA为所接收的数据分组写入报头字段;由所述HDA将所述数据分组的所述写入报头字段和所述状态信号...
具有多个发送接收点的TA指示和应用制造技术
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于促进向用户设备(UE)发信令通知多个定时提前(TA)值、促进UE使用多个TA值来与多个发送接收点(TRP)进行通信、以及促进无线通信网络中TA值的更新的方法和装置。UE包括收发...
用于使用UWB通信进行测距的方法和设备技术
根据本文所公开的超宽带(UWB)设备包括:UWB子系统(UWBS)和连接到UWBS的处理器。该处理器可以:控制在第一测距块内的第一测距循环中发射控制消息,该控制消息包括与第一会话ID相对应的第一测距循环管理列表(RRML)参数和与第二会...
半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统制造方法及图纸
提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括:第一半导体结构,其包括衬底、电路元件和电路互连线;和第二半导体结构,其在第一半导体结构上。第二半导体结构包括:板层;多个栅电极,其在第一方向上彼此间隔开并堆叠在板层上,栅电极包括下选择栅电...
柔性电子装置制造方法及图纸
本文件涉及一种电子装置。根据本文件的一个实施例的电子装置具有柔性显示模块,其中,柔性显示模块包括图案化窗口,并且图案化窗口包括具有几何图案的多个第一图案和在对应于旋转轴方向的第一方向上延伸的多个第二图案,以便连接至少两个第一图案。
用于在无线通信系统中执行随机接入和不连续接收的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的第五代(5G)或第六代(6G)通信系统。提供了一种在无线通信系统中由用户设备(UE)执行的方法。该方法包括:如果单播不连续接收(DRX)和多播DRX被配置,则从基站(BS)接收单播相关下行链路信号,基...
用于存储的设备的系统、方法和装置制造方法及图纸
一种设备可以包括高速缓存介质、存储介质、被配置为与高速缓存介质及存储介质通信的通信接口,以及至少一个控制电路,其用于将存储介质的一部分配置为可见存储器,并且将高速缓存介质的一部分配置为用于存储介质的该部分的高速缓存。存储介质的该部分可以...
图像传感器及其制造方法技术
公开了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括:衬底,具有彼此相反的第一表面和第二表面;抗反射层,位于所述衬底的所述第二表面上;以及像素隔离部分,位于所述衬底中并且使多个像素彼此分隔开。所述多个像素包括第一像素至第四像素。所述像素隔离...
无线通信系统中用于发送和接收数据和参考信号的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及无线通信系统中的终端和基站的操作。具体地,本公开涉及一种无线通信系统中用于发送和接收数据和参考信号的方法、以及能够执行该方法的装置。根据本公开的一个实施例,提供了一种通信...
天线结构和包括其的电子装置制造方法及图纸
根据本公开的各种实施例,一种电子装置可以包括:第一壳体;第二壳体,配置为相对于第一壳体滑动;可卷曲显示器,包括第一显示区域和第二显示区域,第二显示区域从第一显示区域延伸并且包括弯曲的弯曲部分,并且配置为使得第二显示区域的至少一部分基于第...
导览图提供方法和支持其的电子设备技术
公开了一种包括显示器、相机和处理器的电子设备。处理器可以被配置为:将通过相机获得的第一图像显示在显示器上;响应于第一图像被放大指定的第一放大倍率范围中的一个放大倍率,将放大的第一图像显示为第二图像;将包括第一导览框的导览图显示在显示器的...
布局校正方法以及使用该布局校正方法的掩模制造方法技术
提供了用于半导体器件的布局校正方法以及使用该布局校正方法的掩模制造方法。布局校正方法包括:接收至少包括目标层和参考层的设计布局;检测目标层中构成目标图案的目标边缘,并检测参考层中构成参考图案的参考边缘;在与三个或更多个参考边缘相交的目标...
包括堆叠晶体管的集成电路装置及其制造方法制造方法及图纸
提供了集成电路装置及其形成方法。集成电路装置可以包括衬底上的晶体管。晶体管可以包括:彼此间隔开的一对薄半导体层;在所述一对薄半导体层之间的沟道区;在所述一对薄半导体层和所述沟道区上的栅电极;以及栅极绝缘体,将所述栅电极与所述一对薄半导体...
包括接合衬底的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:第一衬底,其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线;以及第二...
用于在无线通信系统中提供服务的方法和装置制造方法及图纸
提供了用于在无线通信系统中提供服务的方法和装置。提供了一种由无线通信中的接入和移动性管理功能(AMF)执行的方法。该方法包括:向策略控制功能(PCF)发送包括第一允许的网络切片选择辅助信息(NSSAI)的策略创建请求消息,从PCF接收包...
集成电路装置及其形成方法制造方法及图纸
提供了集成电路装置及其形成方法。所述集成电路装置可以包括:晶体管,包括基底上的源极/漏极区域;背侧电源轨,与源极/漏极区域间隔开;以及电源接触件,在源极/漏极区域与背侧电源轨之间,并且将源极/漏极区域电连接到背侧电源轨。基底可以在源极/...
半导体存储器件制造技术
提供了半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括:衬底;元件隔离图案,所述元件隔离图案在所述衬底中限定有源区域;第一导电图案,所述第一导电图案位于所述衬底和所述元件隔离图案上,并且在第一方向上延伸,其中,所述第一导电图案连接到所述有源区...
非易失性存储器件、操作其的方法和存储装置制造方法及图纸
提供了非易失性存储器件、操作其的方法和存储装置。非易失性存储器件包括:多个三态锁存器;感测节点电路,感测节点电路被配置为将其中的感测节点电耦接到非易失性存储器件的位线;传输节点电路,传输节点电路被配置为将其中的传输节点电耦接到多个三态锁...
首页
<<
259
260
261
262
263
264
265
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
北京小米移动软件有限公司
34944
电化株式会社
1051
莱孚滴生物股份有限公司
1
精励微机电技术公司
2
奥普特朗技术有限公司
3
同济大学
28613
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428