【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及集成电路装置领域，并且更具体地，涉及包括背侧配电网络(bspdn)结构的集成电路装置。
技术介绍
1、已经提出了集成电路装置的各种结构以及它们的形成方法，以增大集成电路装置的集成度。具体地，已经提出了包括形成在基底中或基底的背侧上的元件的集成电路装置，以简化装置制造的中端制程(meol)部分和/或后端制程(beol)部分。
技术实现思路
1、一种集成电流源，所述集成电路包括：晶体管，包括在基底上的源极/漏极区域；背侧电源轨，与源极/漏极区域间隔开，其中，基底在源极/漏极区域与背侧电源轨之间；以及电源接触件，在源极/漏极区域与背侧电源轨之间并且将源极/漏极区域电连接到背侧电源轨，其中，源极/漏极区域的宽度方向上的中心线相对于电源接触件的宽度方向上的中心线成角度。
2、一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：晶体管，包括源极/漏极区域；背侧电源轨，在竖直方向上与源极/漏极区域间隔开；背侧绝缘件，在背侧电源轨与源极/漏极区域之间并且包括面对源极/漏极区域的上表面；第一...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电源接触件包括彼此平行的相对侧表面。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：电源插塞，在源极/漏极区域与电源接触件之间并且接触源极/漏极区域和电源接触件两者，并且
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，电源插塞的侧表面和电源接触件的侧表面形成台阶，并且
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，电源插塞的厚度比电源接触件的厚度薄。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，晶体管还包括沟
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电源接触件包括彼此平行的相对侧表面。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：电源插塞，在源极/漏极区域与电源接触件之间并且接触源极/漏极区域和电源接触件两者，并且
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，电源插塞的侧表面和电源接触件的侧表面形成台阶，并且
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，电源插塞的厚度比电源接触件的厚度薄。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，晶体管还包括沟道区域，
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，晶体管是第一晶体管，源极/漏极区域是第一源极/漏极区域，背侧电源轨是第一背侧电源轨，并且电源接触件是第一电源接触件，
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，第二电源接触件包括彼此平行的相对侧表面。
9.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，基底的上表面面对源极/漏极区域，并且
10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电源接触件在平面图中具有中空矩形形状。
11.一种集成电路装置，所述集成电路装...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹承灿，洪元赫，朴判济，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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