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提供了集成电路装置及其形成方法。所述集成电路装置可以包括：晶体管，包括基底上的源极/漏极区域；背侧电源轨，与源极/漏极区域间隔开；以及电源接触件，在源极/漏极区域与背侧电源轨之间，并且将源极/漏极区域电连接到背侧电源轨。基底可以在源极/漏极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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