【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及厚晶片的处理，特别是用于与si-cmos晶片集成的外延晶片的处理。
技术介绍
1、通常，基于微型led显示器的应用需要化合物半导体与si-cmos背板的紧密共集成。一些常见的集成方案利用硅外延晶片上的化合物半导体(如gan)以及晶片到晶片的混合键合来连接到si-cmos。为了补偿外延层引起的应力并避免大的弯曲，外延gan通常沉积在厚硅基板上，如(111)硅基板，在200mm平台上沉积1150μm，或在300mm平台上沉积1550μm-2250μm。
2、一般来说，200mm设备的弯曲度需要低于50μm，300mm设备的弯曲度需要低于150μm，以符合标准cmos生产工具的规范。一种可能的解决方案是通过切割外延晶片并将裸片转移到目标晶片上来执行晶片重构。例如，ep 4 016 594a1提出了这样一种重构方案。
3、尽管该方案有利于实现高产量，特别是由于检测良好裸片并仅将良好裸片转移到目标晶片上的可能性而有利于实现高产量，但这种重构过程的实现是非常复杂的。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种方法(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
5.根据权利要求4所述的方法，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，
8.根据权利要求7所述的方法，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，
11.根据权利要求3所述的方法，
12.根据权利要求3所述的
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【技术特征摘要】
1.一种方法(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
5.根据权利要求4所述的方法，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，
8.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·施托伊德尔，J·韦尔托门，
申请(专利权)人：MICLEDI微型显示器公司，
类型：发明
国别省市：
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