根据一些示例实施例的半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；下层间绝缘层，在衬底的第一区域和第二区域上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上；过孔结构，在第一区域中穿透上层间绝缘层；多条金属布线，在过孔结构上沿第一方向延伸，并且电连...

公开一种用于处理自然语言处理任务的方法、计算装置和设备。所述方法包括识别机器学习(ML)模型的第一权重。从客户端装置接收第二权重。第二权重可基于由客户端装置更新第一权重。可基于第二权重生成更新矩阵。更新矩阵可被分解为第一分解矩阵。可基于...

一种存储器装置，包括：与存储器单元区的第一边缘部分相邻的第一全局位线；与存储器单元区的第二边缘部分相邻的第二全局位线；在存储器单元区的中心部分中的伪全局位线，以及在读出放大器区中并且连接到第一全局位线、第二全局位线和伪全局位线的位线读出...

一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围区域；底部电极，所述底部电极与所述单元区域交叠；磁性隧道结图案，所述磁性隧道结图案位于所述底部电极上；顶部电极，所述顶部电极位于所述磁性隧道结图案上；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层与所...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种通信网络中的第一网络实体的方法。该方法包括：向网络数据分析功能（NWDAF）的第二网络实体请求用于更新包括至少一个组件的控制信息的至少一个分析；从第二网络实体接收关于至少...

根据实施例的可穿戴装置包括：透明构件，用于将外部光穿过第一表面和与第一表面相对的第二表面传送到用户；透明基板，在透明构件内，布置在第一表面和第二表面之间；第一导电图案，布置在透明基板的面向第一表面的一个表面上；以及第二导电图案，布置在透...

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；阱区，所述阱区在所述衬底中具有第二导电类型；杂质注入区，所述杂质注入区在所述阱区中具有所述第一导电类型；元件分离图案，所述元件分离图案位于所述衬底中；第一鳍状图案...

根据各种实施例，一种电子装置可以包括：第一壳体；第二壳体，其可滑动地联接到第一壳体；可卷曲显示器，其被布置为由第一壳体和第二壳体支撑；支撑构件，其被布置在可卷曲显示器的后表面上，以便支撑可卷曲显示器的至少一部分；第一印刷电路板，其被布置...

根据本公开的各种实施例的电子设备包括显示器和处理器。处理器可以：检测使用数字笔进行的输入在显示器上的运动；确定使用数字笔进行的输入的运动是否在显示器的铰链区域中；如果已经确定运动在显示器的铰链区域中，则确定对使用数字笔进行的输入的校正是...

一种纠错码(ECC)电路的示例操作方法包括：从存储器件接收码字；基于所述码字和指示消息是否在校验节点与变量节点之间交换的奇偶校验矩阵计算校正子向量；当所述校正子向量不是零向量时，通过以下操作来对所述奇偶校验矩阵的多个列执行顺序解码：在第...

一种充电控制集成电路，包括：直接充电电路，其连接到外部系统负载；第一电流限制电路，其连接在第一外部电池和直接充电电路之间，并响应于第一充电控制信号而操作；以及控制电路，其基于与外部系统负载相对应的系统电压和第一外部电池的第一电池电压来控...

公开了一种无线吸尘器，包括：吸尘器主体，该吸尘器主体包括第一处理器，该第一处理器控制连接到信号线的第一开关元件的操作，以便通过信号线向刷装置发送第一信号，并且从刷装置接收通过信号线传输的第二信号；以及刷装置，该刷装置包括第二处理器，该第...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种用于移动通信系统中的网络控制中继器(NCR)的方法。该方法包括：接收用于上行链路(UL)信号或信道集的接收参数的第一信息，以及用于报告与UL信号或信道集相对应的度量的第二...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的实施例，提供了用于操作无线通信系统中的中继器的方法和设备。根据本公开的实施例，提供了由无线通信系统中的中继器执行的方法。该方法包括：经由物理下行链路控制信道(PDCCH...

公开了一种存储器件，包括第一物理接口、第二物理接口、第一存储核心、第二存储核心和设置电路。第一存储核心被分配给第一物理接口，并且包括经由贯通电极连接的多个第一堆叠存储管芯。第二存储核心被分配给第二物理接口，并且包括经由贯通电极连接的多个...

根据实施例的电子装置包括：第一壳体；第二壳体；显示器，所述显示器可以伸出或缩回到内部空间中；第一印刷电路板，所述第一印刷电路板设置在所述第二壳体中；第二印刷电路板，所述第二印刷电路板设置在所述第一壳体中；柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路...

提供了产生光学邻近校正模型的方法、校正光学邻近校正模型的方法、以及制造半导体装置的方法。产生光学邻近校正模型的方法包括：在目标图案的扫描电子显微镜图像的第一测量点处测量第一目标临界尺寸值，并在第二测量点处测量第二目标临界尺寸值；相对于目...

提供了集成电路装置和形成其的方法。该集成电路装置可以包括：下金属布线；上金属布线，在下金属布线上；金属过孔，在下金属布线与上金属布线之间，金属过孔包括分别接触下金属布线和上金属布线的下表面和上表面；以及阻挡层，在金属过孔的侧表面上延伸。...

提供了一种能够改善元件的性能和可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在衬底中的单元区域隔离层，将单元区域与外围区域隔离；隔离有源区域，被单元区域隔离层围绕；位线结构，在单元区域上，包括单元导线；以及...

本公开涉及一种半导体器件，包括：第一衬底；布线部分，在第一衬底上；第二衬底，在布线部分上；第一栅极堆叠结构，在第二衬底上；第二栅极堆叠结构，在第一栅极堆叠结构上；以及沟道结构，穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，并且连接到第二衬底，...