【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器件和包括该存储器件的电子设备。
技术介绍
1、已经引入高带宽存储器(hbm)来提高数据处理速度。电子器件工程联合委员会(jedec)最近已经发布了hbm3标准，并且现在正在定义下一个版本(hbm4)。jedec正在计划将hbm3的多个(例如，两个)物理接口合并到hbm4标准中，这意味着在hbm4标准下生产的存储器件可能与使用hbm3的产品不兼容。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了可以提供兼容性的存储器件和包括该存储器件的电子设备。
2、根据一些示例实施例，一种存储器件可以包括第一物理接口、第二物理接口、分配给第一物理接口的第一存储核心、分配给第二物理接口的第二存储核心、以及设置电路。第一存储核心可以包括经由第一贯通电极连接的多个第一堆叠存储管芯。第二存储核心可以包括经由第二贯通电极连接的多个第二堆叠存储管芯。设置电路可以设置包括第一物理接口和第二物理接口在内的多个物理接口之中的要用于与存储器件的外部设备连接的至少一个物理接口。
3、根据一些示例...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一物理接口和所述第二物理接口设置在相同缓冲管芯上。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一物理接口用于与所述外部设备连接的存储器件的突发长度是其中所述第一物理接口和所述第二物理接口用于与所述外部设备连接的存储器件的突发长度的两倍。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述设置电路包括硬件引脚，所述硬件引脚被配置为在所述多个物理接口之中选择至少一个物理接口。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一物理接口连接到所述外部设备，并且
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一物理接口和所述第二物理接口设置在相同缓冲管芯上。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一物理接口用于与所述外部设备连接的存储器件的突发长度是其中所述第一物理接口和所述第二物理接口用于与所述外部设备连接的存储器件的突发长度的两倍。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述设置电路包括硬件引脚，所述硬件引脚被配置为在所述多个物理接口之中选择至少一个物理接口。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一物理接口连接到所述外部设备，并且
6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述硬件引脚包括：
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一物理接口连接到所述外部设备，并且
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述设置电路还被配置为：
9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一物理接口包括分别连接到所述多个第一数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁润硕，郑允敬，申宰宇，安珉焕，郑震硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。