一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法技术

本发明专利技术公开了一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，将编程过程划分成全数据初始编程、回读定向编程和全数据加强编程三个主要阶段：全数据初始编程阶段顺序对所有地址只进行一次编程，不关注数据写入是否成功；回读定向编程阶段对所有地址逐个进行回读判断编程结果，只对数据未编程成功的地址和存储单元进行定向编程；加强编程阶段再次顺序对所有地址再进行一次编程，以进一步提升反熔丝单元的击穿一致性。本方法可有效避免栅氧反熔丝阵列编程时的热量累积，减少高压通路损伤，从而大幅提高编程成功率，降低反熔丝单元击穿电阻的离散性，提升反熔丝存储器的长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及反熔丝型存储器芯片设计领域，特别是一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法。

技术介绍

1、栅氧击穿型反熔丝存储技术的原理是利用高压信号将存储晶体管的栅极氧化层击穿，形成不可逆的导电通道，用导电和不导电来分别代表二进制1和0，实现信息的非易失性存储。由于与标准cmos制造工艺完全兼容，因此栅氧击穿型反熔丝存储电路既可作为子模块ip集成到各类集成电路芯片中，也可以设计成独立的大容量存储器电路，广泛应用于系统参数、用户信息、保密信息和应用程序等重要数据长期存储领域。

2、传统的反熔丝存储芯片的编程方法是一个单阶段不可逆的过程，对数据按地址顺序进行重复尝试、固定次数编程，一个地址编程成功后再跳转下一地址，一个地址编程失败则整只芯片淘汰。随着反熔丝存储容量规模越来越大，编程压力也随之提升，特别是超过mbit量级后传统编程方法存在的不足也越来越突出，即临近地址的高压编程通路在多次编程时散热能力不足，容易过热导致编程高压传输能力下降甚至发生损坏，进而引起编程成功率大幅降低问题，或者引起编程后等效电阻分布离散导致芯片存在长期可靠性问题。...

【技术保护点】

1.一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：将编程过程分为全数据初始编程阶段、回读定向编程阶段和加强编程阶段；

2.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(1)中顺序对所有地址进行编程时，不判断编程是否成功，完成编程操作后即跳转到下一地址继续执行编程操作。

3.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(2)中循环次数上限为100次。

4.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(3)中的拉偏工作电压是正常工作电压的+20％和-2...

【技术特征摘要】

1.一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：将编程过程分为全数据初始编程阶段、回读定向编程阶段和加强编程阶段；

2.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(1)中顺序对所有地址进行编程时，不判断编程是否成功，完成编程操作后即跳转到下一地址继续执行编程操作。

3.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(2)中循环次数上限为100次。

4.根据权利要求1所述的分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法，其特征在于：步骤(3)中的拉偏工作电压是正常工作电压的+20...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雷，周涛，李建成，陆时进，张金雷，陈则非，王文博，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：