灵敏放大器制造技术

本发明专利技术提供了一种灵敏放大器，包括：第一前置放大器电路，用于产生参考单元电流；第二前置放大器电路，用于产生存储单元电流；调变比例负载电路，用于对参考单元电流进行放大或缩小处理；第一镜像电路，用于将放大或缩小处理后的参考单元电流进行复制处理；第二镜像电路，用于将存储单元电流进行复制处理；电流差值读取电路，用于将复制处理后的参考单元电流和复制处理后的存储单元电流进行比较，并输出比较结果。本发明专利技术能直接对存储单元电流和参考单元电流进行比较，并且采用调变比例负载电路对参考单元电流进行放大或缩小处理，所以提高了比较时的电流差值，从而提高了输出存储单元和参考单元电流比较结果的速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器，尤其是涉及一种灵敏放大器。

技术介绍

1、灵敏放大器（sense amplifier，sa)作为存储器读取路径的关键电路之一，它的性能直接影响着存储器的读取速度。随着半导体存储器密度的提高和容量的增大，半导体存储器阵列中每根位线上所述连接的存储单元的数量也越来越大，单根位线上的寄生电容也越来越大，这样就降低了灵敏放大器的读取速度和增加了信号的延迟。因此对灵敏放大器的要求也越来越高。低功耗、高速、适用于存储器包括nor flash的灵敏放大器的设计是非常重要的。

2、灵敏放大器的作用是对存储单元进行读取并与参考存储单元的输出进行比较，输出判断结果(逻辑“0”或逻辑“1”)。根据工作原理，灵敏放大器分为电压模和电流模两种，它们的输入信号分别是电压量和电流量。现有技术中，较为常见的电压模式灵敏放大器，将位线电流转化为电压，通过opamp比较位线上的电压差值，其优点结构简单、稳定性好。

3、然而，现有技术的灵敏放大器是通过将存储单元电流和参考单元电流均转为电压后进行比较，且比较时的电压差值较小，导致输出存储单元和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一前置放大器电路包括：第一反相器和第一NMOS管，所述第一反相器的输入端接第一NMOS管的漏端，同时接参考单元，所述第一反相器的输出端接所述第一NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极输出参考单元电流。

3.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二前置放大器电路包括：第二反相器和第二NMOS管，所述第二反相器的输入端接第二NMOS管的漏端，同时接存储单元，所述第二反相器的输出端接所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极输出存储单元电流。

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【技术特征摘要】

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一前置放大器电路包括：第一反相器和第一nmos管，所述第一反相器的输入端接第一nmos管的漏端，同时接参考单元，所述第一反相器的输出端接所述第一nmos管的栅极，所述第一nmos管的源极输出参考单元电流。

3.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二前置放大器电路包括：第二反相器和第二nmos管，所述第二反相器的输入端接第二nmos管的漏端，同时接存储单元，所述第二反相器的输出端接所述第二nmos管的栅极，所述第二nmos管的源极输出存储单元电流。

4.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述调变比例负载电路对所述参考单元电流进行放大n倍或缩小n倍处理，其中，n为大于或等于2的正整数。

5.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述调变比例负载电路包括：n个pmos管，所有所述pmos管的源极均接电源电压，每个所述pmos管的栅极和漏极短接，并且所有所述pmos管的漏极相接并接所述参考单元电流，最后一个pmos管的栅极输出放大或缩小处理后的所述参考单元电流。

6.如权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，n为2时，所述调变比例负载电路包括：第三pmos管和第四pmos管，所述第三pmos管和第四pmos管的源极均接电源电压，所述第三pmos管的栅极和漏极短接，所述第四pmos管的栅极和漏极短接，所述第三pmos管的漏极和所述第四p...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韦韦，邵婉新，郭志超，季善鹏，何禾，宋海平，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：