【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体存储结构及其制备方法、存储器、电子设备。
技术介绍
1、存储器是计算机中数据存放的主要介质。存储器包括存储单元，存储单元中通常包括晶体管。为了提高存储器的存取速度、防止数据因存储器故障而丢失、有效利用存储器空间，通常将若干存储单元排列成n行×m列矩阵形式，形成存储阵列。随着数据存储技术的发展和进步，存储器件不断朝着小型化、高集成度的方向发展。
技术实现思路
1、本申请提出一种半导体存储结构及其制备方法、存储器、电子设备。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体存储结构，包括：
3、衬底；
4、存储节点连接层，设置在衬底一侧；
5、读晶体管，设置在存储节点连接层远离衬底一侧，读晶体管包括第一栅极和第一有源层，第一有源层位于第一栅极远离衬底一侧并与第一栅极绝缘，第一有源层在衬底上的正投影与第一栅极在衬底上的正投影有交叠，第一栅极与存储节点连接层电连接；
6、写晶体管，设置在存储节点...
【技术保护点】
1.一种半导体存储结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储结构，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储结构，其特征在于，所述存储节点连接层沿平行于所述衬底方向延伸，所述存储节点连接层具有相连接的第一部分和第二部分，所述存储节点连接层的第一部分与所述第一栅极电连接，所述存储节点连接层的第二部分与所述第二有源层的第一部分电连接，其中：
4.根据权利要求1或2所述的半导体存储结构，其特征在于，还包括接地结构，所述接地结构设置在所述衬底的一侧，并位于所述衬底和所述存储节点连接层之间，所述存储节点连接层与所述
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储结构，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储结构，其特征在于，所述存储节点连接层沿平行于所述衬底方向延伸，所述存储节点连接层具有相连接的第一部分和第二部分，所述存储节点连接层的第一部分与所述第一栅极电连接，所述存储节点连接层的第二部分与所述第二有源层的第一部分电连接，其中：
4.根据权利要求1或2所述的半导体存储结构，其特征在于，还包括接地结构，所述接地结构设置在所述衬底的一侧，并位于所述衬底和所述存储节点连接层之间，所述存储节点连接层与所述接地结构绝缘；
5.根据权利要求2所述的半导体存储结构，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述衬底的一侧并覆盖所述第一有源层和所述第二有源层；
6.根据权利要求1或2所述的半导体存储结构，其特征在于，还包括：
7.一种存储器，其特征在于，包括至少一个权利要求1至6中任一项所述的半导体存储结构；
8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的半导体存储结构，或权利要求7所述的存储器。
9.一种半导体存...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱正勇，康卜文，毛淑娟，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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