三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64267项专利

  • 显示设备包括:后机架,所述后机架被构造以支撑液晶显示面板和背光组件;振动区域,所述振动区域被形成为所述后机架的与该后机架的边缘相邻的一部分,所述振动区域通过振动阻挡部与所述后机架的其余部分隔离,使得振动不会传递到所述后机架的所述其余部分...
  • 提供了一种视频解码方法和装置以及视频编码方法和装置,其中,在视频编码和解码处理期间,获得指示是否将使用当前块的最可能模式(MPM)的MPM模式信息,获得指示是否将使用基于所述MPM模式配置的扩展帧内模式集的扩展帧内模式集信息,并且基于所...
  • 根据各种实施例,一种电子设备包括嵌入式通用集成电路卡(eUICC)和电连接到eUICC的至少一个处理器。至少一个处理器可以被配置为:基于确认使得存储在eUICC中的第一简档被转移到外部电子设备的至少一个用户输入,发送请求将第一简档转移到...
  • 本发明涉及制造图案化的膜方法以及包括图案化的膜的电致发光器件和显示装置。制造图案化的膜的方法包括:形成包括半导体纳米颗粒和添加剂的第一膜,其中所述添加剂包括多硫醇化合物,所述半导体纳米颗粒包括有机配体(例如在其表面上),并且所述有机配体...
  • 半导体芯片包括有源层,其在下面的基底衬底的顶表面上。有源层具有:(i)接合表面,在有源层中,接合表面界定底部有源层与在底部有源层上延伸的顶部有源层之间的界面,以及(ii)倒角边缘,其完全延伸穿过顶部有源层以完全暴露其侧壁,但仅部分地穿过...
  • 一种包括只读存储单元的集成电路,所述只读存储单元包括导通单元。所述导通单元包括:第一源极/漏极区和第二源极/漏极区;位于所述第一源极/漏极区和所述导通单元的正面的位线之间的正面接触;以及位于所述第二源极/漏极区和所述导通单元的背面的电力...
  • 一种半导体装置包括:有源区,其在衬底上并且包括在第一方向上延伸的有源图案。装置隔离层围绕有源图案。栅极结构在第二方向上延伸。源极/漏极区在有源图案上。层间绝缘层覆盖源极/漏极区。接触结构连接到源极/漏极区。掩埋导电结构在第一方向上延伸,...
  • 本公开提供了集成电路装置及其形成方法。集成电路装置可以包括:在衬底上的上晶体管结构,该上晶体管结构包括上沟道区和在上沟道区上的上栅电极;在衬底和上晶体管结构之间的下晶体管结构,下晶体管结构包括下沟道区和在下沟道区上的下栅电极;以及在下栅...
  • 一种双向直流到直流(DC‑DC)转换器包括:电感器;第一开关晶体管,被配置为响应于第一驱动信号而对到电感器的一端的电源电压进行开关;第二开关晶体管,被配置为响应于第二驱动信号而在电感器的一端与接地电压之间进行开关;以及双向电流传感器,被...
  • 提供了加密装置和该加密装置的操作方法。一种加密装置包括:加密核心电路,其被配置为通过对输入数据执行加密操作来生成输出数据;以及加密控制器电路,其被配置为控制加密核心的操作。加密核心电路包括:行移位电路,其被配置为通过对输入数据执行行移位...
  • 一种半导体装置包括:第一位线,其在第一方向上延伸;第一半导体图案,其在第二方向上延伸并且包括彼此相对的第一端和第二端,第一半导体图案的第一端与第一位线接触;第一字线,其在第一半导体图案上并且在第三方向上延伸;选择线,其邻近于第一半导体图...
  • 提供了一种半导体存储器件,包括:衬底;基底绝缘膜,其位于衬底的上表面上;多个第一导电图案,其位于基底绝缘膜上并且彼此间隔开,其中,多个第一导电图案在第一方向上延伸;间隔物结构,其位于多个第一导电图案的每一个第一导电图案的侧表面上;阻挡金...
  • 一种半导体装置包括:第一电力节点,所述第一电力节点被配置为供应第一电源电压;上拉电路,所述上拉电路电连接在所述第一电力节点与被配置为输出信号的输出节点之间;以及控制器,所述控制器被配置为将上拉控制代码输出到所述上拉电路。所述上拉电路包括...
  • 提供了半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括第一结构和第二结构。第一结构包括:第一半导体衬底,具有有源表面和与该有源表面相对的非有源表面,其中第一半导体器件被配置为设置在该有源表面上;第一通孔,竖直地穿透第一半导体衬底,并且从第一半...
  • 一种半导体器件可以包括:衬底,所述衬底包括在第一方向上彼此相邻的单元块区域和外围区域;有源图案,所述有源图案位于所述单元块区域上;位线,所述位线设置在所述有源图案上并且在所述第一方向上延伸;第一绝缘结构,所述第一绝缘结构与所述位线接触;...
  • 实施方式提供了电容器和包括电容器的半导体器件。根据至少一个实施方式的电容器可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间并包括铁电层和设置在铁电层中的辅助部分的电介质层,其中辅助部分的能带隙E<subgt...
  • 一种半导体装置,包括:外部有源图案,其在衬底上,外部有源图案具有与外部有源图案交叉的沟槽;外部字线,其覆盖沟槽的壁;内部有源图案,其在沟槽中覆盖外部字线;内部字线,其在沟槽中覆盖内部有源图案;以及分离绝缘图案,其在沟槽中插置在外部字线和...
  • 一种电子装置可以包括:印刷电路板,所述印刷电路板包括第一开口;至少一个插座,所述至少一个插座设置在所述印刷电路板中并且布置为与所述第一开口相邻;电连接构件,所述电连接构件与所述至少一个插座可脱离并且联接到所述至少一个插座;以及至少一个突...
  • 本发明提供一种存储器模块的动作方法、存储器模块以及包含该存储器模块的存储装置。在本发明的存储器模块的动作方法中,所述存储器模块与存储器控制器进行通信,所述存储器模块的动作方法包含:将针对所述存储器模块包含的多个存储器装置各自的固有ID临...
  • 提供可自旋轨道矩(SOT)材料、SOT材料的制造方法、以及包括SOT材料的磁性存储器器件,所述自旋轨道矩(SOT)材料可包括衬底和在所述衬底上的包括多个子叠层的外延薄膜,其中在所述外延薄膜的下部部分中的所述多个子叠层之中的第一子叠层的晶...