自旋轨道矩材料、包括其的磁性存储器器件和制造自旋轨道矩材料的方法技术

提供可自旋轨道矩(SOT)材料、SOT材料的制造方法、以及包括SOT材料的磁性存储器器件，所述自旋轨道矩(SOT)材料可包括衬底和在所述衬底上的包括多个子叠层的外延薄膜，其中在所述外延薄膜的下部部分中的所述多个子叠层之中的第一子叠层的晶体结构为正交晶系，并且在所述外延薄膜的上部部分中的所述多个子叠层之中的第二子叠层的晶体结构为四方晶系，并且所述外延薄膜的下部部分比所述外延薄膜的上部部分更靠近所述衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及自旋轨道矩材料和自旋轨道矩材料的方法。

技术介绍

1、磁阻随机存取存储器(mram)是利用隧穿磁阻效应的非易失性存储器。与其他存储器器件相比，mram在速度、功耗和耐久性方面具有优势。

2、mram可利用由数位线的电流引起的磁场来转换自由层的磁化方向。随着集成逐渐增加，在一起读取相邻的单元的信息时可发生干扰现象，并且存在以下缺点：方向转换所需的能量高。

3、自旋转移矩(stt)mram可通过使电流直接流动通过磁隧道结(磁隧道结，mtj)来改变自由层的磁化方向，因此它可弥补传统的mram的缺点。然而，由于结构和原理的限制，stt-mram难以实现超高速和低的电功率。因此，正在开发自旋轨道矩(sot)mram。

技术实现思路

1、一些实施方式提供用于制造自旋轨道矩(sot)材料的方法。

2、一些实施方式提供自旋轨道矩(sot)材料。

3、一些实施方式提供磁性存储器器件。

4、根据一些实施方式，提供用于制造自旋轨道矩(sot)材料的方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.自旋轨道矩(SOT)材料，包括：

2.如权利要求1所述的SOT材料，其中

3.如权利要求1所述的SOT材料，其中所述外延薄膜的下部部分的晶格常数小于所述外延薄膜的上部部分的晶格常数。

4.如权利要求1所述的SOT材料，其中

5.如权利要求1所述的SOT材料，其中

6.如权利要求1所述的SOT材料，其中

7.如权利要求1所述的SOT材料，其中

8.如权利要求1所述的SOT材料，其中

9.自旋轨道矩(SOT)材料，包括：

10.磁性存储器器件，包括：

>11.如权利要求1...

【技术特征摘要】

1.自旋轨道矩(sot)材料，包括：

2.如权利要求1所述的sot材料，其中

3.如权利要求1所述的sot材料，其中所述外延薄膜的下部部分的晶格常数小于所述外延薄膜的上部部分的晶格常数。

4.如权利要求1所述的sot材料，其中

5.如权利要求1所述的sot材料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹元准，李大秀，赵庸柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

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