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提供可自旋轨道矩(SOT)材料、SOT材料的制造方法、以及包括SOT材料的磁性存储器器件，所述自旋轨道矩(SOT)材料可包括衬底和在所述衬底上的包括多个子叠层的外延薄膜，其中在所述外延薄膜的下部部分中的所述多个子叠层之中的第一子叠层的晶体结...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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