【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及半导体器件。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dram)器件可以包括位线结构、电容器和上面设置有电容器的上接触插塞，该位线结构具有顺序地堆叠的导电结构和绝缘结构。上接触插塞可以是通过在位线结构上形成金属层并且对金属层进行图案化而形成的。可以提高位线结构中包括的绝缘结构的高度，以便防止位线结构中包括的导电结构在上接触插塞的金属层的图案化期间被损坏。
技术实现思路
1、根据示例实施例，提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；栅极结构，所述栅极结构在与所述衬底的上表面基本上平行的第一方向上延伸穿过所述有源图案的上部；位线结构，所述位线结构位于所述有源图案的中央部分上，所述位线结构在与所述衬底的所述上表面基本上平行并且与所述第一方向基本上垂直的第二方向上延伸；第一间隔物结构和第二间隔物结构，所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构分别设置在所述位线结构的第一侧壁和第二侧壁上，所述位线结构的所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述第一方向上面向彼此；下接...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电间隔物包括金属氮化物。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构关于所述位线结构对称。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电间隔物在所述下接触插塞上的部分在所述第一方向上的侧壁呈凹形状。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述下接触插塞与所述上接触插塞之间的保护图案。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述保护图案包括相对于所述导电...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电间隔物包括金属氮化物。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构关于所述位线结构对称。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电间隔物在所述下接触插塞上的部分在所述第一方向上的侧壁呈凹形状。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述下接触插塞与所述上接触插塞之间的保护图案。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述保护图案包括相对于所述导电间隔物中包括的材料具有高蚀刻选择性的材料。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述导电间隔物包括金属氮化物，并且所述保护图案包括金属。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述保护图案上的绝缘图案，所述绝缘图案接触所述上接触插塞的侧壁，并且所述绝缘图案的最下面的表面低于所述保护图案的最上面的表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述下接触插塞与所述上接触插塞之间的金属硅化物图案，所述绝缘图案接触所述金属硅化物图案的上表面。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴素贤，金仁雨，李相昊，李志勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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