半导体存储器件制造技术

一种半导体存储器件，包括：衬底，包括有源图案；栅极结构，与有源图案交叉；位线结构，在衬底上；第一接触部，其中，位线结构和第一接触部彼此交替地布置；绝缘图案，分别设置在位线结构上，其中，绝缘图案之中的绝缘图案设置在第一沟槽中，第一沟槽暴露第一接触部中的第一接触部的侧壁以及栅极结构的至少一部分；以及第二接触部，设置在第一接触部上，其中，第二接触部之中的第二接触部设置在第二沟槽中，第二沟槽暴露绝缘图案的侧壁和第一接触部的上表面，其中，绝缘图案与位线结构之中的位线结构的上表面重叠，并且沿第一沟槽和第二沟槽的侧壁延伸，并且接触第一接触部和第二接触部。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体存储器件。

技术介绍

1、随着半导体器件的集成度越来越高，各个电路图案变得越来越小型化，以便在相同面积内实现更多数量的半导体器件。即，随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的组件的设计规则减少。

2、半导体器件可以包括字线和位线结构。随着半导体器件变得高度集成，位线结构中的每一个的纵横比可以增大。在这种情况下，解决由位线结构中的每一个的纵横比增大引起的问题的需求逐渐增加。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了具有改善的可靠性和性能的半导体存储器件。

2、本公开的一方面提供了一种半导体存储器件，包括：衬底，包括多个有源图案；栅极结构，延伸到衬底中，其中，栅极结构在第一方向上延伸以与多个有源图案交叉；多个位线结构，在衬底上，其中，多个位线结构中的位线结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第一接触部，其中，多个位线结构和多个第一接触部在第一方向上彼此交替地布置；多个绝缘图案，分别设置在多个位线结构上，其中，多个绝缘图案之中的绝缘图案设置在第一沟槽中，第一沟槽暴露多个第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述绝缘图案包括：

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域和所述第二区域包括彼此相同的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域的上表面的宽度小于所述第二区域的下表面的宽度。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域的下表面的宽度大于所述第一区域的上表面的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二接触部的下表面的宽度小于所述第二接触部的上表面的宽度。</p>

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【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述绝缘图案包括：

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域和所述第二区域包括彼此相同的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域的上表面的宽度小于所述第二区域的下表面的宽度。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域的下表面的宽度大于所述第一区域的上表面的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二接触部的下表面的宽度小于所述第二接触部的上表面的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁具有彼此不同的倾斜度，

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述绝缘图案是沿所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁的整体结构。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在平面图中，所述多个有源图案布置成z字形图案。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在平面图中，所述多个有源图案被布置为多个行和多个列。

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【专利技术属性】
技术研发人员：朴台镇，金熙中，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：