铁电存储器结构制造技术

本发明专利技术公开一种铁电存储器结构，包括基底、第一导线、第一介电层、通道柱、第二导线、栅极柱、第二介电层与铁电材料层。第一导线位于基底上。第一介电层位于第一导线上。通道柱位于第一导线上，且位于第一介电层中。第二导线位于第一介电层与通道柱上。栅极柱穿过第二导线，且位于通道柱中。第二介电层位于栅极柱与第一导线之间、栅极柱与通道柱之间以及栅极柱与第二导线之间。铁电材料层位于栅极柱与第二介电层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种铁电存储器(ferroelectric memory)结构。

技术介绍

1、铁电存储器为一种非易失性存储器，且具有存入的数据在断电后也不会消失的优点。此外，相较于其他非易失性存储器，铁电存储器具有可靠度高与操作速度快等特点。此外，美国专利第9,281,044号(us 9,281,044)公开了一种包括铁电场效晶体管(fefet)的存储器阵列。然而，如何进一步缩小铁电存储器的元件尺寸以及提升铁电存储器的电性表现为持续努力的目标。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种铁电存储器结构，其可具有较小的元件尺寸以及较佳的电性表现。

2、本专利技术提出一种铁电存储器结构，包括基底、第一导线、第一介电层、通道柱、第二导线、栅极柱、第二介电层与铁电材料层。第一导线位于基底上。第一介电层位于第一导线上。通道柱位于第一导线上，且位于第一介电层中。第二导线位于第一介电层与通道柱上。栅极柱穿过第二导线，且位于通道柱中。第二介电层位于栅极柱与第一导线之间、栅极柱与通道柱之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铁电存储器结构，包括：

2.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱位于所述第一导线与所述第二导线之间。

3.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱直接接触所述第一导线与所述第二导线。

4.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的材料包括氧化物半导体。

5.如权利要求4所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的材料包括氧化铟镓锌。

6.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的顶面与所述第一介电层的顶面为共平面。

7.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述栅极柱的顶面、所述...

【技术特征摘要】

1.一种铁电存储器结构，包括：

2.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱位于所述第一导线与所述第二导线之间。

3.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱直接接触所述第一导线与所述第二导线。

4.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的材料包括氧化物半导体。

5.如权利要求4所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的材料包括氧化铟镓锌。

6.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的顶面与所述第一介电层的顶面为共平面。

7.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述栅极柱的顶面、所述铁电材料层的顶面与所述第二介电层的顶面为共平面。

8.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述第二介电层位于所述铁电材料层与所述第一导线之间、所述铁电材料层与所述通道柱之间以及所述铁电材料层与所述第二导线之间。

9.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述通道柱的俯视图案环绕所述栅极柱的俯视图案、所述铁电材料层的俯视图案与所述第二介电层的俯视图案。

10.如权利要求1所述的铁电存储器结构，其中所述第二导线的俯视图案环绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：施俊宏，陈旻政，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：