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本发明公开一种铁电存储器结构，包括基底、第一导线、第一介电层、通道柱、第二导线、栅极柱、第二介电层与铁电材料层。第一导线位于基底上。第一介电层位于第一导线上。通道柱位于第一导线上，且位于第一介电层中。第二导线位于第一介电层与通道柱上。栅极柱...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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