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一种半导体存储器件，包括：衬底，包括有源图案；栅极结构，与有源图案交叉；位线结构，在衬底上；第一接触部，其中，位线结构和第一接触部彼此交替地布置；绝缘图案，分别设置在位线结构上，其中，绝缘图案之中的绝缘图案设置在第一沟槽中，第一沟槽暴露第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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