金刚石光磁传感器包含：金刚石，其具有带电子自旋的色心；以及反射面，其反射经由光学系统传播并射入到金刚石的内部的激发光，反射面反射从被激发光激发的色心放射的放射光，使其向光学系统的方向聚光

本发明的金刚石光磁传感器

本发明的课题在于使电介质板的处理变得容易并且降低电介质板因电介质板的热膨胀而破损的可能性。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、天线(6)以及磁场导入窗(3)，磁场导入窗(3)具有形成有多个狭缝(41)且具有桥接部(42)的金属板(...

本发明遍及靶的整个表面地供给气体。溅镀装置(1)的真空容器(2)包括保持靶(30)的至少一个靶保持器(32)。靶保持器包括：气体导入部(51)，导入气体(10)；以及一对气体放出口(54)，设置于靶周围的至少一部分的相向位置且将气体放出...

本发明的课题在于降低在真空容器内移动的粒子附着于电介质罩的可能性。设置于真空容器(2)的壁面的磁场导入窗(3)包括：金属板(31)，形成有多个狭缝(311)；电介质罩(32)，覆盖多个狭缝(311)；垫圈(33)，设置于电介质罩(32)...

本发明的课题在于利用直线状的天线部、并且降低电容耦合等离子体的生成。设置于真空容器的内部的直线状的天线部(3)包括：天线导体(31)，在其中流动高频电流；以及法拉第屏蔽件(33)，设置于天线导体(31)的至少一部分的周围。围。围。

本发明的课题在于在真空容器的内部生成抑制了静电耦合性成分的等离子体。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)；天线(7)，产生高频磁场；以及磁场导入窗(3)，将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，磁场导入窗(3)具有：金属板(4)，形...

本发明对被处理物均匀地进行等离子体处理。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)，在内部收容被处理物(W1)；天线(6)，设置于真空容器(2)的外部，且产生高频磁场；磁场导入窗(3)，设置于真空容器(2)的壁面(22)，且将高频磁场导...

一种成膜方法，在氧化物半导体上形成氮氧化硅膜，所述成膜方法的特征在于，通过等离子体CVD法来形成所述氮氧化硅膜，所述等离子体CVD法是供给SiF4气体、氮气、氧气及氢气作为工艺气体而进行，在所述供给的工艺气体中，氮气的流量相对于氮气与氧...

一种金刚石磁传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；以及检测部，检测来自金刚石的色心的放射光，检测部检测通过不向金刚石照射电磁波而由激发光照射部向金刚石照射激发光从而产生...

电抗器的温度上升试验方法包括将具有试验频率及试验电流值的试验电流通入电抗器的步骤，所述试验电流带来基于基波电流通电时的铜损(Wcu21)及高次谐波电流通电时的铜损(Wcu22)的目标铜损(Wcut)、以及基于基波电流通电时的铁损(Wfe...

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体CVD法，在所述等离子体处理后...

为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器...

一种成膜方法，为通过使用等离子体对靶材进行溅镀而将氧化物半导体膜形成于基板上的方法，所述成膜方法中，通过变更所述基板与所述靶材之间的距离来控制所述氧化物半导体膜的结晶性。的结晶性。的结晶性。

在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述...

本发明实现一种能够以高精度推定一次电压的气体绝缘变压器等。变压器包括：芯；二次绕组(12)，缠绕于芯；一次绕组(11)，与二次绕组同轴地缠绕于二次绕组的外周外；高压屏蔽罩(13)，覆盖一次绕组的外周；低压屏蔽罩(14)，与高压屏蔽罩相向...

本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置...

本发明能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体P的天线机构3，包括：天线本体31，流通高频电流；以及一条或多条调整电路32，与天线本体31邻接设置，调整电路32具有构成闭路的金属导体3...

本发明中，二次线圈单元20的环部21中的绝缘包覆体26是以复合的方式使用带状绝缘纸31、32和片状绝缘纸33来构成，所述带状绝缘纸31、32以在内侧的导电壳25的环本体部25a的内径侧和外径侧往复的方式沿周向错开并缠绕，所述片状绝缘纸3...

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过...