气体配管（19～21）向真空容器（1）内供给Ar气体。高频电源（12）使高频电流从平面状的电极（2、3）的一端流入电极（2、3）。由此，在靶部件（4、5）的表面附近基于电感耦合产生等离子体。低频电源（16）对电极（2、3）施加交变电压。...

本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0...

本发明提供廉价且选择性地吸附汞离子的含有汞离子的液体的处理方法及汞离子吸附材料。本发明的含有汞离子的液体的处理方法及汞离子吸附材料使用颗粒状吸附材料，所述颗粒状吸附材料是向颗粒状的基材上导入接枝链而成的，所述接枝链是使用含有(甲基)丙烯...

本实用新型的目的在于提供一种具有设于变压元件的初级线圈上的、能够较容易地安装于初级线圈上的电场衰减屏蔽件的气体VT。本实用新型的气体VT是下述的气体绝缘仪表用变压器，即在由具有嵌入导体的绝缘隔离件进行密封的填充有绝缘气体的容器中收纳变压...

本实用新型的目的在于提供一种三相式气体绝缘仪表用变压器，该变压器能够较容易地将用于连接变压元件、和绝缘隔离件上所安装的嵌入导体的连接导体固定为任意的角度的三相式气体VT。本实用新型的三相式气体VT是下述的三相式气体绝缘仪表用变压器，即其...

本发明提供一种等离子处理装置，使天线的有效电感减小，而将天线长度方向的两端部间所产生的电位差抑制为小电位差，借此将等离子电位抑制为低电位，并提高天线长度方向上的等离子密度分布的均一性。构成等离子处理装置的平面形状实质上笔直的天线(30)...

提供一种既可以通过共振抑制元件抑制铁共振又能够抑制元件自身破损的带有铁共振抑制功能的仪用互感器以及铁共振抑制电路。对于在变压器主体(12)的次级侧与共振抑制元件(25)一起串联连接的开关(24)，在共振检测电路(22)检测出铁共振的期间...

本实用新型提供一种太阳能发电系统及其功率调节器，随着系统的大容量化，为了提高系统整体的总发电效率，而存在提高太阳能电池模块的输出的趋势，本实用新型的课题在于以不降低功率调节器的效率就可应对直流电压的高电压化。该太阳能发电系统具备：太阳能...

本发明提供一种等离子体处理装置，其是电感耦合型装置，可减小天线的有效电感系数，将等离子体电位抑制得较低，并且，可通过该天线来控制其长度方向上的等离子体密度分布。该等离子体处理装置中，由相互接近而配置在沿着竖立在基板(2)表面的垂线(3)...

本实用新型提供一种油封式电力设备。该油封式电力设备不需要连接油封式电力设备的容器和油量调整装置的导油管的阀，能够低成本且容易地安装油量调整装置，并且能够防止处于填充在容器内的绝缘油上层的塑料沉积物进入到油量调整装置中。利用能够装卸的连接...

本实用新型提供一种气体绝缘计量器用变压器。其目的在于提供具有能在进行耐电压试验时与GIS分开、在耐电压试验结束后容易地与GIS相连接的断路机构的气体VT。本实用新型的气体TV在利用具有嵌入导体的绝缘隔离件进行密封的、填充有绝缘气体的容器...

本发明提供一种等离子装置。天线（１～４）以其一端贯穿反应容器（１０）的盖（１２）并与平板构件（３１）相连接、另一端贯穿反应容器（１０）的盖（１２）并与平板构件（３２）相连接的方式配置在反应容器（１０）的内部。平板构件（３１、３２）以相互...

本发明提供基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法。该基材蚀刻机构用于真空处理装置，该真空处理装置在真空室内放出电子并将所导入的气体离子化，对载置在设于真空室内的旋转台上的基材进行蚀刻而进行清洁净化，其中，该基材蚀刻机构具有：一对电力导...

一种太阳光发电系统，具备功率调节器（１２），该功率调节器（１２）被设置在将多个太阳能电池（１１ａ、２１ａ）串联连接而成的太阳能电池模块（１１、２１）与其它电源系统（１３）之间，使太阳能电池模块（１１、２１）与其它电源系统（１３）相互连接...

本实用新型涉及一种电容器装置。以往的电容器元件的突出电极虽然是折叠的，但存在如下问题：在电场等的影响下，突出电极的电极箔会渐渐立起、破损等。以往为了防止这种破损而在突出电极和绝缘构件之间设置空间。通过以使缓冲构件与突出电极相接触的方式来...

本实用新型提供一种电容器装置，其容易实现在一个电容器元件中使串联级数增加。该电容器装置具有电容器元件，该电容器元件是将两张导电箔作为一对电极，在用电介质薄片使两张导电箔之间绝缘的状态下卷绕规定圈数，使两张导电箔中的一方的导电箔的卷绕侧部...

本实用新型涉及一种电容器装置。在现有发明中，集合板的端部比缠绕在螺柱上的加强纸更向外侧突出，因此在容器内会产生多余的空间，需要更多的封入容器内的绝缘油等绝缘介质，因而存在成本增加的问题。另外，在用于保护突出电极的保护构件厚的情况下，保护...

提供一种通过改进以往的ＲＬＣ电路方式的脉冲电流发生装置来即使不提高电容器的充电电压也能够防止电流在脉冲电流的波尾部截断的脉冲电流发生装置。该脉冲电流发生装置具备在连接负载（１２）的输出端子（２０、２２）之间相互串联连接的电容器（４）、电...

本发明提供能够在较低的温度下廉价且以良好的生产性形成结晶硅薄 膜的硅薄膜形成方法。本发明提供能获得泄漏电流被抑制得较低的薄膜晶 体管用的基板的硅薄膜形成方法。该硅薄膜形成方法中，将基板(S)暴露于 含氢的氢结合处理用气体的等离子体后，在...

通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温 度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜： 成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释 气体的导入流量Md...