本实用新型提供了一种防止绝缘性能下降，从而改善组织作业性能，能够小型化的电容器装置；具有覆盖素体和整体的盾构箱、盾构箱整体与收纳箱是绝缘的，盾构箱与素体之间设有绝缘结构的电容器，素体包括两部分，各自均分的两部分具有中心点导出接线，并使分...

本实用新型提供了一种固定在支撑碍子内，贯穿且支撑导电性支撑物中的高压用导体的高压用导体支撑装置，在防止上述导体与上述支撑物间微小空隙发生部分放电的同时，又能够防止由于上述导体的热涨变形而引起的上述导体与上述支撑体间的弯曲变形；包括固定在...

本实用新型提供一种电力用设备，在由波纹管槽构成的设备中，在没有改变外形尺寸及油量调整能力的条件下，即能使得作用于油导管的压力损失得到降低。内部放置有电力用设备本体，设置在由绝缘油填充构成的密封箱体中，是由因密封箱体内部绝缘油的收缩膨胀对...

一种绝缘诊断装置以及绝缘诊断方法，在利用电磁波检测局部放电的情况下，在包括较多突发噪声、通信波的环境中也能够可靠地检测气体绝缘开关器等电气设备的劣化。本发明进行如下的处理：在所检测到的背景噪声值大于基准ＢＧＮ值的情况下，判断为还存在较多...

与高压电路进行连接或分离的具有简易断路装置的气体ＶＴ，在移位动作时需要较大的动力，并且导致具有简易断路装置的气体ＶＴ的大型化。本发明为了解决上述问题，而提供一种气体绝缘仪器用变压器，其包括：高压端子（３１），与单相交流的高压导体连接；电...

注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子，从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。

防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源２ａ配有电磁铁４０（磁场发生装置），该电磁铁在等离子体室容器内，在与等离子体发射孔８的等离子体发射方向２２交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场Ｂ。

离子束辐射装置被装备有等离子体产生装置３０，该等离子束产生装置通过射频放电产生等离子体１２并将所产生的等离子体供给到基片４附近。该等离子体产生装置３０包括沿着轴３３延伸的等离子体产生室３２，该轴３３沿着离子束被移动的扫描方向Ｘ延伸；被装...

一种用于以一离子束辐照一基底的装置，包括： 一通过无线电频率放电产生等离子体的等离子体发生器，等离子体发生器把等离子体供给到基底上游侧附近的一个区域以借此扼制由于离子束辐照所造成的基底表面的电荷累积（ｃｈａｒｇｅ ｕｐ）；以及 ...

本发明提供了一种静电加速器及其离子注入设备。此静电加速器具有在作为一种带电粒子的离子的行进方向上布置的第一至第五电极。然后，该第二电极分成两个电极组元，该电极组元通过离子的路径彼此相对，且在其上施加不同的电势以偏转离子。此外，布置在该电...

一种等离子体发生装置，具备有等离子体发生室（１０）以及在室（１０）内设置的高频天线（１），在室（１０）内对气体由天线（１）施加高频功率，发生感应耦合等离子体。天线（１）是由从室（１０）外向室（１０）内延伸的第一部分（１１）、以及从第１部...

在商用电源正常时，高速限流中断部（３）从商用电源经由直流电抗器对负载供给电力，以预备电源部（４）对负载（９）供给的有效电力和无效电力均成为零的方式进行ＰＱ控制。另外，将ＰＱ控制的响应性设定成比事故检测部（２）的商用电源事故检测周期长，在...

一种无功电力补偿装置，将从由分支于电力系统的无功补偿对象负荷电流，进相电容器电流及无功电力补偿电路的电流组成的母线电流中减去无功电力补偿电路的电流的电流信号以及母线电压信号的两者输入于Ｑ检出器，将运算后而求得的Ｑ检出器输出信号与相当于上...

用以控制安装在用户位置的小型发电装置与电力系统连接的连接控制装置。所述连接控制装置检测由从系统中断供电给用户而引起的频率分量中的变动。当出现显著的频率分量变动时，该连接控制装置从电力系统断开该用户以便防止伤害线路上的工作者。

将氢气引入设置了硅溅射靶（２）及被成膜基板（Ｓ）的成膜室（１０）内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Ｈα／ＳｉＨ↑［＊］为０．３～１．３的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶（２）进行化学溅射，在基板（Ｓ）上形成结晶性硅薄膜。...

一种成膜设备，包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室；为该真空室而装备的成膜装置，以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；以及为该真空室而装备的能量束辐照装置，以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶...

用法拉第检测器阵列分别测量Ｚ坐标上的两个点Ｚ↓［ｆ］和Ｚ↓［ｂ］上沿扫描方向（Ｘ轴方向）的粒子束电流密度分布。利用这样测量到的电流密度分布，通过内插法得到工件Ｚ坐标任意位置上粒子束扫描方向上的电流密度分布。使用这样得到的电流密度分布，对...

提供可以模拟地并且按高精度测定基片充电的充电测定装置。该充电测定装置２０包括排列在与离子束１２交叉的面上并接受离子束１２的多个测定导体２２、与各测定导体２２分别连接的多个双向稳压元件２８、和分别测定流过各双向稳压元件２８电流Ｉ的极性和大...

离子注入装置处理充当带电粒子束的离子束，并具有加速腔８，加速腔８含有用于会聚或发散离子束的静电透镜。完成对静电透镜的控制如下。通过单个法拉第杯４６接受扫描离子束４，测量离子束４的束数量Ｉ（ｎ）和束宽度Ｗｄ（ｐ）。相对规定值，计算束数量和...

当离子束１４辐照在衬底２以进行诸如离子注入的处理时，从等离子体生成装置２０发出的等离子体３０被供应给接近衬底２的部分以便对由于离子辐照引起的衬底表面的充电进行抑制。保持Ｉ＃－［Ｅ］／Ｉ＃－［Ｂ］之比不低于１．８，保持Ｉ＃－［Ｉ］／Ｉ＃－...